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Circuits Integrés (ICS) (10403)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
N25q064a13esf41f tr	-	RFQ	1407	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	N25Q064A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SO	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	108 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	16m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
Mtfc32gjved-3f wt	-	RFQ	8022	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	169-VFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	169-VFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
N25Q256A13EF840F	-	RFQ	9334	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25Q256A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	108 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	64m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT46V128M8TG-6T: A TR	-	RFQ	8208	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V128M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	5 (48 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	167 MHz	Volatil	1 gbit	700 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT	-	RFQ	6126	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	137-VFBGA	MT29C4G48	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	137-VFBGA (13x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 140	208 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 2gbit (lpdram)		Flash, Bélier	512m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
MT29F128G08AMCABK3-10ITZ: A	-	RFQ	5765	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT47H64M8B6-3 IT: D tr	-	RFQ	6436	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	60-fbga	MT47H64M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT29F128G08AKAAAC5-Z: A	-	RFQ	2330	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	52-VLGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	52-VLGA (18x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R	8.1100	RFQ	1467	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R			1
MT48V4M32LFB5-8 XT: G	-	RFQ	5109	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	-20 ° C ~ 75 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48V4M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	2,3V ~ 2,7 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	125 MHz	Volatil	128mbitons	7 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	15NS
MT53D1024M32D4DT-053 WT: D	-	RFQ	4518	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-VFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MT46V16M16TG-75 IT: F Tr	-	RFQ	2303	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V16M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	750 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
MT53E1536M64D8HJ-046 AUT: C TR	103.8600	RFQ	6961	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT53E1536M64D8HJ-046AUT: CTR			2 000
MT52L1G32D4PG-093 WT ES: B	-	RFQ	2029	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	178-VFBGA	MT52L1G32	Sdram - mobile lpddr3	1,2 V	178-fbga (12x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 680	1067 MHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MT53D768M64D4SQ-046 WT: A TR	-	RFQ	1530	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D768	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	2.133 GHz	Volatil	48gbit		Drachme	768m x 64	-	-
MT42L128M32D2MH-3 IT: A	-	RFQ	8670	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	134-VFBGA	MT42L128M32	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V	134-fbga (11x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	333 MHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	128m x 32	Parallèle	-
MT28F400B5WG-8 TET	-	RFQ	4578	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F400B5	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	48-tsop i	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	80ns
MT29F512G08CMEABH7-12: A	-	RFQ	5512	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152-TBGA	MT29F512G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	152-TBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
MT53E2G64D8TN-046 WT: A	92.3100	RFQ	8724	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	556-LFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	556-LFBGA (12.4x12.4)	-				557-MT53E2G64D8TN-046WT: A			1	2.133 GHz	Volatil	128 GBIT	3,5 ns	Drachme	2G x 64	Parallèle	18n
MT47H512M4THN-3: H	-	RFQ	4641	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	63-TFBGA	MT47H512M4	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	63-fbga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	333 MHz	Volatil	2 gbit	450 PS	Drachme	512m x 4	Parallèle	15NS
Mt29rz4c4dzzmgmf-18w.80c	-	RFQ	9452	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-VFBGA	MT29RZ4C4	Flash - Nand, dram - lpddr2	1,8 V	168-VFBGA (12x12)	-			Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 008	533 MHz	Non volatile, volatile	4Gbit (NAND), 4GBit (LPDDR2)		Flash, Bélier	256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2)	Parallèle	-
MT48LC2M32B2B5-7 IT: G TR	-	RFQ	1062	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48LC2M32B2	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	143 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	14ns
MT29E2T08CUHBBM4-3: B Tr	-	RFQ	6737	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29E2T08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	333 MHz	Non volatile	2 tbit		Éclair	256g x 8	Parallèle	-
MT53E1G32D2FW-046 AAT: A TR	32.8500	RFQ	7552	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger				557-MT53E1G32D2FW-046AAT: ATR			2 000	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	Parallèle	18n
MT40A1G16RC-062E IT: B Tr	-	RFQ	9680	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A1G16	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (10x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT40A1G16RC-062EIT: BTR	EAR99	8542.32.0036	2 000	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit	19 ns	Drachme	1g x 16	Parallèle	15NS
MT49H32M18CFM-25: B	-	RFQ	9062	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H32M18	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144 µbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0028	1 000	400 MHz	Volatil	576mbit	20 ns	Drachme	32m x 18	Parallèle	-
MT47H256M8EB-25E AIT: C TR	-	RFQ	6867	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	MT47H256M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (9x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	400 MHz	Volatil	2 gbit	400 PS	Drachme	256m x 8	Parallèle	15NS
MT46H64M16LFBF-5 IT: B	7.8100	RFQ	4	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H64M16	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 782	200 MHz	Volatil	1 gbit	5 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
MT25QL128ABA1EW7-MSIT	-	RFQ	8856	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	MT25QL128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-WPDFN (6x5) (MLP8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 940	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT48H16M32LFCM-75: A TR	-	RFQ	8728	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48H16M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	15NS

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (ICS) (10403)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²