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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | M29W800FB70N3F TR | - | ![]() | 5350 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W800 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | MT29F2T08CUCBBK9-37: B | - | ![]() | 6772 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F2T08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 120 | 267 MHz | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | Mt28ew256aba1lpn-0sit tr | - | ![]() | 8438 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-VFBGA | MT28EW256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-VFBGA (7x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Mt28ew256aba1lpn-0sittr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 256mbitons | 75 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
![]() | MT29F256G08AUAAAC5: A | - | ![]() | 9154 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 52-VLGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | M29W800DB70M6 | - | ![]() | 4504 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0,525 ", 13,34 mm de grosur) | M29W800 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 44-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 16 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | MT52L256M64D2PD-107 XT ES: B TR | - | ![]() | 2518 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Support de surface | 216-WFBGA | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 216-FBGA (15x15) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | Mt46v64m8fn-6 it: f | - | ![]() | 5917 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V64M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | télécharger | Rohs non conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT29AZ5A3CHHTB-18AAT.109 TR | 9.3900 | ![]() | 3633 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT29AZ5 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29AZ5A3CHHTB-18AAT.109TR | 3 000 | |||||||||||||||||
MT40A4G4NRE-075E: B | - | ![]() | 9142 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A4G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (8x12) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 140 | 1,33 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 4G x 4 | Parallèle | - | ||||||
![]() | MT46H8M16LFCF-10 | - | ![]() | 6359 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H8M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-VFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 104 MHz | Volatil | 128mbitons | 7 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT29F2G08ABDHC: D TR | - | ![]() | 2150 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10.5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT53D768M64D4NZ-046 WT: A | - | ![]() | 6498 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D768 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 190 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 768m x 64 | - | - | |||||||||
![]() | Np5q128ae3esfc0e | - | ![]() | 9478 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Omneo ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | NP5Q128A | PCM (Pram) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 33 MHz | Non volatile | 128mbitons | 360 µs | PCM (Pram) | 16m x 8 | Pimenter | 350 µs | |||
![]() | MT48LC4M16A2TG-6: G | - | ![]() | 7712 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
![]() | N25Q256A13EF840F | - | ![]() | 9334 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25Q256A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 108 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 64m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | Mt46v64m8fn-6: D tr | - | ![]() | 8481 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V64M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | télécharger | Rohs non conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | Mt58v1mv18ft-7.5 | 18.7900 | ![]() | 154 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 2 375V ~ 2 625V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 18mbitons | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | |||||
![]() | MT44K32M18RB-107E: B | 46.0350 | ![]() | 3773 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K32M18 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 190 | 933 MHz | Volatil | 576mbit | 8 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | MT47H32M16HR-187E: G TR | - | ![]() | 1210 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H32M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 512mbitons | 350 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
MT25QU256ABA8E12-1SIT TR | 6.7800 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | Mt25qu256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | ||||
![]() | MT46V32M16P-75 L: C TR | - | ![]() | 8343 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | - | Rohs3 conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 750 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | Mtfc4gacaalt-4m | - | ![]() | 1590 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-TBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Mtfc4gacaalt-4mit | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 580 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | |||
![]() | MT53D384M64D4SB-046 XT ES: E | - | ![]() | 3725 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 190 | 2.133 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - | |||||
![]() | MT48LC2M32B2B5-6A AIT: J | - | ![]() | 2507 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | 12ns | ||
MT29F128G08EBEBBWPES: B TR | - | ![]() | 3153 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | MT28F800B5SG-8 B | - | ![]() | 8844 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | MT28F800B5 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 8mbitons | 80 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 80ns | |||
![]() | MT29F256G08EBHAFJ4-3RES: A | - | ![]() | 1553 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 333 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT47H64M16BT-3: A TR | - | ![]() | 2969 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 92-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 92-FBGA (11x19) | télécharger | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | Mt28f800b3wg-9 t tr | - | ![]() | 5517 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F800B3 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 8mbitons | 90 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 90ns | |||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 WT: C TR | 22.8450 | ![]() | 4763 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WT: CTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - |
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