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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D512M64D4CR-053 WT ES: D TR | - |  | 3606 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | ||||
 | MT46V8M16P-75: D TR | - | | 4529 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V8M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 750 PS | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT41K64M16JT-125: G | - | | 7092 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K64M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 13,75 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | |||
| EDFA364A3PM-GD-FD | - | | 3112 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | EDFA364 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 190 | 800 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | Parallèle | - | ||||||
 | M29F800DT70N6 | - | | 4038 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29F800 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | Pc28f00bp33efa | - | | 8607 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | PC28F00B | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-Easybga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | 52 MHz | Non volatile | 2 gbit | 100 ns | Éclair | 128m x 16 | Parallèle | 100ns | |||
 | MT58L1MY18PT-10 | 21.2200 | | 4683 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT58L1MY18 | Sram | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 18mbitons | 5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||
| MT25QL02GCBA8E12-0SIT | - | | 9198 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT25QL02 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 122 | 133 MHz | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | ||||
 | MT46H32M32LFMA-6 IT: B Tr | - | | 4187 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-WFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-WFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT29F2T08EMLCEJ4-R: C TR | - | | 5391 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-R: CTR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | Parallèle | - | ||||
| Mt58l256l32ft-10 | 12.5600 | | 9 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT58L256L32 | Sram - synchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 256k x 32 | Parallèle | - | ||
| M29dw323db5an6f tr | - | | 6350 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29DW323 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 256mbitons | 55 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 55ns | |||
 | MT44K16M36RB-093 IT: A TR | - | | 2468 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K16M36 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 1 066 GHz | Volatil | 576mbit | 10 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | |||
 | MT29F512G08CUCDBJ6-6R: D | - | | 5708 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132 LBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132 LBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 166 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT41J64M16JT-107: G | - | | 9637 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41J64M16 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | MT40A1G8WE-083E AUT: B TR | - | | 1152 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A1G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (8x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | - | |||
| M29W128GH70ZA6F TR | - | | 8350 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | M29W128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 128mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
 | N25Q128A13B1241F TR | - | | 5344 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT40A2G4PM-083E: A | - | | 3000 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (9x13.2) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 020 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 2G x 4 | Parallèle | - | |||
 | Mt29c4g48mazbaaks-5 e wt tr | - | | 1922 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 137-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-VFBGA (13x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 2gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 256m x 16 (NAND), 128m x 16 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
| N25Q016A11EV7A0 | - | | 3506 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | - | - | N25Q016A11 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Pimenter | 8 ms, 1 ms | ||||
| MT46H32M32LFB5-48 IT: B | - | | 6815 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 208 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 14.4NS | |||
| Rc28f00ap30tfa | - | | 8947 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | AXCELL ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | Rc28f00 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-Easybga (8x10) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | 52 MHz | Non volatile | 1 gbit | 100 ns | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | 100ns | ||
| MT44K16M36RB-107E: B | 46.0350 | | 8109 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K16M36 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 190 | 933 MHz | Volatil | 576mbit | 8 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | ||
| EDF8132A3PB-GD-FD | - | | 9321 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | - | EDF8132 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-WFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 680 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | - | ||||
 | MT48H4M16LFB4-10 | - | | 7031 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 54-VFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 104 MHz | Volatil | 64mbitons | 7 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT28F800B5WP-8 B | - | | 1356 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F800B5 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 8mbitons | 80 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 80ns | |||
 | MT29F64G08CBABAWP-IT: B | - | | 2823 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT46V128M4P-75: D TR | - | | 4618 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V128M4 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | - | Rohs3 conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 750 PS | Drachme | 128m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT29C2G24MAAAAHAMD-5 | - | | 8087 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C2G24 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 2gbit (nand), 1gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 256m x 8 (NAND), 64m x 16 (LPDRAM) | Parallèle | - |
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