RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Circuits Integrés (ICS) (10403)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT48LC128M4A2P-75: C TR	-	RFQ	5026	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC128M4A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	512mbitons	5.4 ns	Drachme	128m x 4	Parallèle	15NS
MT41K128M16JT-107 AAT: K	7.7700	RFQ	1	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K128M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT41K128M16JT-107AAT: K	EAR99	8542.32.0036	1 224	933 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
MT60B1G16HC-56B: G	19.0650	RFQ	9184	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	102-VFBGA		Sdram - ddr5	-	102-VFBGA (9x14)	-				557-MT60B1G16HC-56B: G			1	2,8 GHz	Volatil	16 Gbit	16 ns	Drachme	1g x 16	Coffre	-
MT29F512G08EBLEEEEJ4-QJ: E	13.2450	RFQ	6614	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ: E			1
MT53E768M32D2FW-046 AIT: C	20.7300	RFQ	4641	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-mt53e768m32d2fw-046ait: c			1
MT46V128M4BN-75: D	-	RFQ	5720	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V128M4	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12.5)	-	Rohs3 conforme	5 (48 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	512mbitons	750 PS	Drachme	128m x 4	Parallèle	15NS
MT46H16M16LFBF-6 IT: A TR	-	RFQ	9646	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H16M16	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	166 MHz	Volatil	256mbitons	5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	12ns
MT46V32M8TG-75 L: G	-	RFQ	4880	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	750 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
MT46V32M16TG-6T: C	-	RFQ	5539	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	-	Rohs non conforme	4 (72 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT53D4G16D8AL-062 WT: E	-	RFQ	1672	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D4G16	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT53D4G16D8AL-062WT: E	OBSOLÈTE		1 190	1,6 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	4G x 16	-	-
MTFC64GBCAQDQ-AAT ES TR	29.4000	RFQ	9810	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-mtfc64gbcaqdq-aatestr			1 500
MT48LC8M32LFF5-8	-	RFQ	8668	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48LC8M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	3V ~ 3,6 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	125 MHz	Volatil	256mbitons	7 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
MT62F768M64D4ZU-026 WT: B	27.9300	RFQ	6515	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-	MT62F768	Sdram - mobile lpddr5	-	-	-				557-MT62F768M64D4ZU-026WT: B			1	3,2 GHz	Volatil	48gbit		Drachme	768m x 64	Parallèle	-
MT41K512M16TNA-125 IT: E TR	-	RFQ	5519	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K512M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (10x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	8 Gbit	13,5 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	-
MT49H16M18CBM-25: B TR	-	RFQ	9843	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H16M18	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144 µbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	16m x 18	Parallèle	-
M29W256GL70ZA6F TR	-	RFQ	3995	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	M29W256	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-TBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500		Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	70ns
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1	-	RFQ	9813	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F4G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Non volatile	4 Gbit		Éclair	256m x 16	Parallèle	-
MT40A256M16GE-083E AUT: B	-	RFQ	1223	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A256M16	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 020	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Parallèle	-
MT40A1G8WE-075E: D TR	-	RFQ	7878	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A1G8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (8x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1,33 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	1g x 8	Parallèle	-
Mt53b2darn-dc	-	RFQ	3925	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic								-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 008
Mt48lc4m32b2p-6: g tr	-	RFQ	4137	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT48LC4M32B2	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	167 MHz	Volatil	128mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	12ns
MTFC128GBCAQTC-AIT	57.6200	RFQ	7241	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		557-MTFC128GBCAQTC-AIT			1 520
M25px80-vmp6tgt0 tr	-	RFQ	1702	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	M25px80	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-VFQFPN (6x5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	4 000	75 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT29F1T08EBLCHD4-QA: C TR	20.9850	RFQ	5429	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT29F1T08EBLCHD4-QA: CTR			2 000
MT41K128M16JT-125 M: K TR	-	RFQ	3615	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K128M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	2 000	800 MHz	Volatil	2 gbit	13,75 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	-
MTFC256GAZAOTD-AIT TR	90.5250	RFQ	9917	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MTFC256GAZAOTD-AITTR			2 000
MT48LC32M8A2TG-75 L: D	-	RFQ	2354	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC32M8A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
MT46V64M8TG-5B IT: J	-	RFQ	1835	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0028	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
Mt25qu02gcbb8e12-0sit	34.7400	RFQ	643	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	Mt25qu02	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 122	133 MHz	Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
M25p16-vmc6tg tr	-	RFQ	6672	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-UDFN	M25P16	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-UFDFPN (MLP8) (4x3)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	4 000	75 MHz	Non volatile	16mbitons		Éclair	2m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (ICS) (10403)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²