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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mt53e4d1ade-dc tr | 22.5000 |  | 7857 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT53E4 | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E4D1ADE-DCTR | 2 000 | |||||||||||||||||||
 | MT29F128G08CBABH6-6M: A TR | - | | 5395 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 166 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AAT: B | 92.1450 | | 3765 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 556-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT: B | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 mx 64 | - | - | ||||||||
| MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1 | - | | 9406 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F384G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 384gbit | Éclair | 48g x 8 | Parallèle | - | ||||
| M29F040B90K6 | - | | 4571 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | M29F040 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (11.35x13.89) | - | Rohs non conforme | Non applicable | Atteindre non affecté | 497-1705-5 | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Non volatile | 4mbbitons | 90 ns | Éclair | 512k x 8 | Parallèle | 90ns | ||
| MT47H32M16U67A3WC1 | - | | 7012 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | - | - | MT47H32M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | Volatil | 512mbitons | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR | - | | 7372 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 24 TBGA | MT35XU01 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 200 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Bus xccela | - | |||
| M58LT256KSB8ZA6E | - | | 9302 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | M58LT256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-TBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Non volatile | 256mbitons | 85 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 85ns | |||
 | N25Q032A13EF840F TR | - | | 6497 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25Q032A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
| M28W640HCT70N6E | - | | 4516 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M28W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT42L32M32D2AC-25 AAT: A | - | | 7052 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | MT42L32M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-fbga (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | - | |||
| Mt53e4dadt-dc tr | 22.5000 | | 4253 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT53E4 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 557-MT53E4DADT-DCTR | 2 000 | ||||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-023 IT: C TR | 25.1400 | | 2118 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | Nand16gw3d2bn6e | - | | 1217 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | NAND16G | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -Nand16gw3d2bn6e | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | Non volatile | 16 Gbit | 25 ns | Éclair | 2G x 8 | Parallèle | 25ns | ||
| Mt25tl256hba8esf-0sit tr | - | | 4067 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT25TL256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT29F1T08EELKEJ4-ITF: K | 36,9000 | | 1779 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F1T08EELKEJ4-ITF: K | 1 | |||||||||||||||||||||
 | N25Q032A13ESEA0F TR | - | | 7534 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | N25Q032A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT52L256M32D1PF-107 WT ES: B TR | - | | 2247 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 178-VFBGA | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 178-fbga (11,5x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | ||||
 | MT29F8G08ABACAH4-S: C | - | | 2471 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F8G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | Non volatile | 8 Gbit | Éclair | 1g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT58L512L18PT-10 | - | | 6829 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 8mbitons | 5 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | |||
 | MTFC32GASAQHD-AIT TR | 17.4000 | | 2096 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MTFC32GASAQHD-AITTR | 2 000 | 200 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | EMMC | - | ||||
| Edfb164a1ma-jd-fr tr | - | | 4046 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | EDFB164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | Parallèle | - | |||||||
 | MT47H128M8B7-37E: A TR | - | | 4920 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 92-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 92-FBGA (11x19) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 267 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT ES: B | 31.9350 | | 9571 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023Aates: B | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
 | MT53D1024M32D4NQ-046 AIT: D | - | | 7298 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | ||||
| M29W128GL90N6E | - | | 1419 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 128mbitons | 90 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 90ns | ||||
| MT62F1G32D2DS-023 WT ES: C TR | 22.8450 | | 3297 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WTES: CTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| NAND04GW3C2BN6E | - | | 6688 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | Nand04g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -Nand04gw3c2bn6e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 4 Gbit | 25 ns | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | 25ns | ||
 | MT29E1T08CMHBBJ4-3: B | - | | 5512 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29E1T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 333 MHz | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | Parallèle | - | |||||
| MT62F512M32D2DS-031 WT: B TR | 12.2400 | | 4229 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | - | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031WT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | - |
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