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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT57W1MH18BF-7.5 | 23.0000 |  | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - Synchrones, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 500 PS | Sram | 1m x 18 | Hstl | - | |||
 | M28W160FST70ZA6E | - | | 1141 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | M28W160 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 136 | Non volatile | 16mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MT46H64M32LFCX-48 IT: B | - | | 3868 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 208 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 14.4NS | |||
| Edb4416bbbh-1dit-fr tr | - | | 3595 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 134-WFBGA | EDB4416 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-fbga (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||
 | M29W160EB70N6 | - | | 7309 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W160 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 16mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 8, 1m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MT41K512M16V91AWC1 | - | | 1917 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT41K512M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | ||||||||||
 | MT29F32G08ABCDBJ4-6: D | - | | 6569 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 166 MHz | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT45W2MW16BABB-706 L WT | - | | 3169 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 54-VFBGA | MT45W2MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 32mbitons | 70 ns | Psram | 2m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR | - | | 5265 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C2G24 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 2gbit (nand), 1gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 128m x 16 (NAND), 32m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | |||
| EDF8132A3PB-GD-FR TR | - | | 2250 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | - | EDF8132 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-WFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | - | |||
 | MT55L256L18P1T-7.5TR | 4.9100 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatil | 4mbbitons | 4.2 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | |||
 | N25Q128A13TSF40G | - | | 6519 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 225 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
| N25Q256A11E1240E | - | | 4923 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | N25Q256A11 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 64m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR | - | | 3511 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | MT25QL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
| M36w0r6050u4zsf tr | - | | 5342 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | M36W0R6050 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | |||||||||||||||||
| MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT TR | - | | 1927 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 137-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-VFBGA (13x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 208 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 2gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
| Mt29f1g01abbfdsf-it: f tr | - | | 3300 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT29F1G01 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 16-SO | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 1g x 1 | Pimenter | - | ||||
 | MT41K256M16TW-093 IT: P TR | - | | 3170 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1 066 GHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | ||
| Mtfc16gltam-wt | - | | 1881 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc16g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | |||||
 | Mt46h16m16lfbf-6 à: h tr | - | | 8208 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H16M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
| MT53B384M64D4TX-053 WT: B TR | - | | 7221 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 1 866 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - | |||
 | MT29F32G08FAAWP: A TR | - | | 6122 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F | - | | 2413 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 162-VFBGA | MT29RZ4B2 | Flash - Nand, dram - lpddr2 | 1,8 V | 162-VFBGA (10.5x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 533 MHz | Non volatile, volatile | 4Gbit (nand), 2Gbit (LPDDR2) | Flash, Bélier | 128m x 32 (NAND), 64m x 32 (LPDDR2) | Parallèle | - | |||
 | MT28F128J3RG-12 Met TR | - | | 2160 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F128J3 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128mbitons | 120 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | - | |||
| MT55L256L32FT-12 | 8.9300 | | 7 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | Volatil | 8mbitons | 9 ns | Sram | 256k x 32 | Parallèle | - | |||
| Mt29gz5a3bpga-53aat.87k tr | - | | 3143 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 149-WFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 149-WFBGA (8x9,5) | télécharger | 557-MT29GZ5A3BPGA-53AAT.87KTR | OBSOLÈTE | 2 000 | Non volatile, volatile | 4 Gbit | 25 ns | Flash, Bélier | 512m x 8 | Onfi | 30ns | |||||||
| MT28HL32GQBB3ERK-0GCT | 73.5000 | | 3353 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | MT28HL32 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 960 | |||||||||||||||||
 | MT29F4G16ABAEAH4: E | - | | 9942 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 256m x 16 | Parallèle | - | ||||
| MT41J512M8THU-15E: A | - | | 9862 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 82-fbga | MT41J512M8 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 667 MHz | Volatil | 4 Gbit | 13,5 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | - | ||
 | MT53E128M32D2FW-046 AUT: A | 8.7450 | | 9329 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AUT: A | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | 18n |
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