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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFC16GAKAEDQ-AIT | - |  | 9464 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | Mtfc16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,9 V | 100 lbga (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT29F1T08EMCAGJ4-5M: A | - | | 7807 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | OBSOLÈTE | 1 120 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | Parallèle | |||||||||
 | MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ: C TR | - | | 7394 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F16G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT53B384M64D4NK-062 WT: B TR | - | | 3786 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 366-WFBGA (15x15) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 1,6 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - | |||
| MT29F128G08CECGBJ4-5M: G | - | | 9709 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MTFC4GMWDQ-3M AIT | - | | 1431 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 lbga (14x18) | - | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | ||||||
| MT62F1536M32D4DS-026 AAT: B TR | 47.8950 | | 6055 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT62F1536M32D4DS-026AAT: BTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT47H64M16HR-25 IT: H | - | | 6348 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR | - | | 5274 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 137-TFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-TFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 166 MHz | Non volatile, volatile | 1gbit (nand), 1gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 128m x 8 (nand), 32m x 32 (lpdram) | Parallèle | - | |||
| MT53B256M64D2TP-062 L XT: C | - | | 4087 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 120 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | - | - | |||
 | MT46V32M16TG-75Z: C TR | - | | 5010 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | - | Rohs non conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 750 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT29F4G01ABBFD12-AATES: F Tr | - | | 7691 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 24 TBGA | MT29F4G01 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | ||||
 | MT28EW01GABA1LJS-0SIT | - | | 9755 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28EW01 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 1 gbit | 95 ns | Éclair | 128m x 8, 64m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
| Mtfc4gacaana-4m | - | | 5250 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | ||||||||
| MTFC32GAZAOTD-AIT | 24.8700 | | 9730 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MTFC32GAZAOTD-AIT | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT46H16M32LFB5-6 AT: C TR | - | | 7626 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT53D384M32D2DS-053 WT: C TR | - | | 9237 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 1 866 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | ||||
 | MT48LC8M32B2B5-6 TR | - | | 9459 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48LC8M32B2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | 12ns | ||
| MT29F384G08EBHBBJ4-3RES: B TR | - | | 5044 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F384G08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 384gbit | Éclair | 48g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT48LC16M16A2P-6A: D | - | | 5185 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
| MTFC128GBCAQTC-AAT ES TR | 53.7600 | | 4891 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MTFC128GBCAQTC-AATERSTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MT46H32M32LFJG-6 IT: A TR | - | | 1134 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| MT46V16M16TG-6T IT: F Tr | - | | 5940 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V16M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT62F3G32D8DV-023 AAT: B TR | 94.8300 | | 1764 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AAT: BTR | 2 000 | 4.266 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 3G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| MT53E768M32D2FW-046 AUT: C | 43.6350 | | 6976 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AUT: C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT48LC8M16A2B4-6A: L TR | - | | 1295 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 000 | 167 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
| EDF8164A3MD-GD-FD TR | - | | 6450 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDF8164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 400 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | ||||
| MT53B256M32D1GZ-062 WT ES: B Tr | - | | 4397 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (11x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | |||
 | MT29F1G08ABBDAHC: D | - | | 3965 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 140 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT41J256M4HX-15E: D TR | - | | 7465 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41J256M4 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-fbga (9x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 667 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 256m x 4 | Parallèle | - |
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