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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F64G08CECCBH1-12Z: C | - |  | 5171 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT28EW512ABA1LPC-0AAT | - | | 5023 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | MT28EW512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64 LBGA (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 104 | Non volatile | 512mbitons | 105 ns | Éclair | 64m x 8, 32m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
 | MT29F4G16ABBFAM70A3WC1 | - | | 1035 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | Support de surface | Mourir | MT29F4G16 | Flash - Nand | Mourir | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 256m x 16 | Parallèle | - | ||||||||
 | M25P16-VMW6G | - | | 1061 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | M25P16 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-So W | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 800 | 75 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
| MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q | - | | 4014 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 221-WFBGA | MT29TZZZ8 | Flash - Nand, dram - lpddr3 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 221-WFBGA (13x11,5) | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 520 | 933 MHz | Non volatile, volatile | 64gbit (nand), 8gbit (LPDDR3) | Flash, Bélier | 68g x 8 (NAND), 256m x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | ||||
| M58LR256KB70ZC5Z | - | | 9144 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 79-VFBGA | M58LR256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 79-VFBGA (9x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -M58LR256KB70ZC5Z | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 740 | 66 MHz | Non volatile | 256mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 70ns | |
 | MT29F256G08CBBJ4-37: B | - | | 3491 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 267 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W.G7A TR | - | | 2578 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | MT29VZZZ7 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | ||||||||||||||||
| Mtfc32gasaons-aat | 23.2950 | | 4687 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-mtfc32gasaons-aat | 1 | 52 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| EMF8132A3PF-DV-FR TR | - | | 7499 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | EMF8132 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 000 | |||||||||||||||||
 | MT29F4G16AACWC: C TR | - | | 3704 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 256m x 16 | Parallèle | - | ||||
| Mt28ew512aba1hpn-0sit | - | | 9142 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-VFBGA | MT28EW512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-VFBGA (7x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 560 | Non volatile | 512mbitons | 95 ns | Éclair | 64m x 8, 32m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
 | MT45V256KW16PEGA-70 WT TR | - | | 2496 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 48-VFBGA | MT45V256KW16 | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 4mbbitons | 70 ns | Psram | 256k x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
 | MTFC128GAPALNS-AIT ES TR | - | | 9038 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-TFBGA | MTFC128 | Flash - Nand | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 1 (illimité) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29F256G08CJAAAWP-ITZ: A TR | - | | 5743 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
| Mtfc32gludm-wt | - | | 5751 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc32g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT46H64M32LFMA-5 IT: B Tr | - | | 1678 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-WFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-WFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
| MT41K256M4JP-15E: G TR | - | | 1648 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K256M4 | Sdram - ddr3 | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 667 MHz | Volatil | 1 gbit | 13,5 ns | Drachme | 256m x 4 | Parallèle | - | |||
| MT29C8G96MAZBADKD-5 WT | - | | 5806 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT29C8G96 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 8gbit (nand), 4gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 512m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
 | MT53D1G64D8NZ-046 WT ES: E | - | | 5519 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 376-WFBGA | MT53D1G64 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 376-WFBGA (14x14) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 190 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | - | - | ||||
| MT42L64M32D1LF-18 IT: C | - | | 6363 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-WFBGA | MT42L64M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 168-fbga (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 008 | 533 MHz | Volatil | 2 gbit | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | - | ||||
| MT29F128G08CFAAAWP-IT: A | - | | 4883 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | |||||
| M29W160ET90N6 | - | | 8632 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W160 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 16mbitons | 90 ns | Éclair | 2m x 8, 1m x 16 | Parallèle | 90ns | |||
 | MT40A256M16GE-083E AAT: B | - | | 1175 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A256M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 020 | 1,2 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||
| Mt53d4dctw-dc tr | - | | 6248 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT53D4 | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 2 000 | |||||||||||||||||||
| MT53D2G32D8QD-062 WT: D | - | | 9049 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D2G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | - | - | ||||||||
 | MT48LC16M16A2P-6A IT: G | - | | 2026 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 080 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
| MT46H256M32L4JV-5 IT: A | - | | 5199 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT46H256M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 8 Gbit | 5 ns | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT53E2G32D4DT-046 WT ES: A | 96.1650 | | 4720 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E2G32D4DT-046WTES: A | 136 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | - | - | |||||||||
| Mt53d4darn-dc | - | | 4513 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Abandonné à sic | MT53D4 | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 008 |
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