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Circuits Integrés (ICS) (10403)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT41K512M8RG-093: n	-	RFQ	6764	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K512M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (7.5x10.6)	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 260	1 066 GHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	-
Mtfc64gajaece-aat	-	RFQ	9054	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	169-LFBGA	Mtfc64	Flash - Nand	-	169-LFBGA (14x18)	-		1 (illimité)			3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	MMC	-
NAND512R3A2DZA6E	-	RFQ	7321	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-TFBGA	NAND512	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-Nand512r3a2dza6e	3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	512mbitons	50 ns	Éclair	64m x 8	Parallèle	50ns
Mtfc32gapalna-aat	34.6800	RFQ	760	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	-	100-TBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT55L256V32PT-6IT	14.9900	RFQ	47	Micron Technology Inc.	ZBT®	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		Sram - zbt	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	Volatil	8mbitons	3,5 ns	Sram	256k x 32	Parallèle	-
MT62F2G64D8CL-023 WT: B Tr	74.4900	RFQ	6617	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-		Sdram - ddr5	1,05 V	-	-				557-MT62F2G64D8CL-023WT: BTR			2 500	4.266 GHz	Volatil	128 GBIT		Drachme	2G x 64	Lvstl	-
MT47H64M16NF-25E IT: M	-	RFQ	1839	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H64M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 368	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
MT62F768M64D4EJ-031 AUT: A TR	118.2000	RFQ	8751	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif				MT62F768				-			Atteindre non affecté	557-MT62F768M64D4EJ-031AUT: ATR			1 500
MT29F256G08CKCABH2-10: A TR	-	RFQ	3812	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	MT29F256G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	Parallèle	-
Mt25qu512abb1ew9-0sit tr	10.7200	RFQ	604	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	Mt25qu512	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	8-WPDFN (8x6) (MLP8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	133 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT53B512M64D8HR-053 WT: B	-	RFQ	3019	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT29C4G48MAAGBBAKS-48	-	RFQ	1549	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	137-VFBGA	MT29C4G48	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	137-VFBGA (13x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 140	208 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 2gbit (lpdram)		Flash, Bélier	512m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
Mtfc32gjved-wt	-	RFQ	1404	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	169-VFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	169-VFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT53D256M16D1NY-046 XT ES: B	-	RFQ	9521	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)			MT53D256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	-	-
MT29F1G08ABADAH4-ITE: D	-	RFQ	2641	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Parallèle	-
MT53E256M16D1FW-046 AIT: B TR	9.0450	RFQ	9333	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)			MT53E256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-mt53e256m16d1fw-046ait: btr			2 000	2.133 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	-	-
MT42L128M64D4LC-3 IT: A	-	RFQ	5527	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	240-VFBGA	MT42L128M64	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V	240-FBGA (14x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	333 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	128m x 64	Parallèle	-
MT29F2T08CTCBBJ7-6C: B	-	RFQ	9511	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152 LBGA	MT29F2T08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	152 LBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1	167 MHz	Non volatile	2 tbit		Éclair	256g x 8	Parallèle	-
MTFC8GAMALNA-AIT ES	-	RFQ	4783	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	Mtfc8	Flash - Nand	-	100-TBGA (14x18)	-		1 (illimité)			3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C TR	60 5400	RFQ	1980	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: CTR			2 000
N25Q128A23BF840F TR	-	RFQ	5095	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25Q128A23	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT58L512Y36DT-10	18.9400	RFQ	1	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3 465V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volatil	18mbitons	5 ns	Sram	512k x 36	Parallèle	-
MT29F4G08ABADAWP-AT: D	-	RFQ	6051	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F4G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	960		Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
MT41K2G8KJR-125: A TR	-	RFQ	4244	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K2G8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (9,5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	800 MHz	Volatil	16 Gbit	13,5 ns	Drachme	2G x 8	Parallèle	-
Mt25ql128aba1ese-0sit	4.1200	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	MT25QL128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-Mt25ql128aba1ese-0sit	3A991B1A	8542.32.0071	1 800	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT29F1G16ABBFAH4-IT: F	-	RFQ	8002	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G16	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT29F1G16ABBFAH4-IT: F		8542.32.0071	210		Non volatile	1 gbit		Éclair	64m x 16	Parallèle	-
Mt58l256l18f1t-8.5ittr	4.9900	RFQ	15	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	500	100 MHz	Volatil	4mbbitons	8,5 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-
MT29F64G08AECABJ1-10ITZ: A	-	RFQ	9549	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
M29W400FB55N3F TR	-	RFQ	9430	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W400	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 500		Non volatile	4mbbitons	55 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	55ns
EDF8164A3MC-GD-FR	-	RFQ	1356	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDF8164	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	1	800 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	128m x 64	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (ICS) (10403)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²