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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT42L64M64D2MP-25 IT: A | - |  | 7307 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 220-WFBGA | MT42L64M64 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 220-FBGA (14x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 64m x 64 | Parallèle | - | ||||
 | JS28F640J3D75E | - | | 6669 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F640J3 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 64mbitons | 75 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 75ns | |||
 | Mt29f256g08cjabawp-it: b tr | - | | 9831 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||||
| MT29F8T08EWLEEM5-QA: E | - | | 7472 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-QA: E | OBSOLÈTE | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT53E512M64D4NK-046 WT: D | - | | 6171 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 366-WFBGA | MT53E512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 366-WFBGA (15x15) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E512M64D4NK-046WT: D | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | ||
 | Mt25qu128aba8e54-0sit tr | 3,9000 | | 8010 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 15-XFBGA, WLCSP | MT25QU128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 15-xfwlbga | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5 000 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT47H256M4B7-5E: A TR | - | | 2457 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 92-TFBGA | MT47H256M4 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 92-FBGA (11x19) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 600 PS | Drachme | 256m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT44K32M18RB-125: A TR | - | | 2596 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K32M18 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 576mbit | 12 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
 | MT53D384M32D2DS-046 AAT: E | - | | 8977 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | |||
 | MT40A4G4DVN-062H: E | - | | 9411 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A4G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | télécharger | 557-MT40A4G4DVN-062H: E | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 210 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 27 ns | Drachme | 4G x 4 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F256G08EECBBJ4-6: B Tr | - | | 7307 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 167 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
| Mt29f2t08emleej4-m: e tr | 42.9300 | | 6788 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-M: ETR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT57V512H36AF-7.5 | 17.3600 | | 41 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - synchrone | 2,4 V ~ 2,6 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 3,6 ns | Sram | 512k x 36 | Hstl | - | ||||||
 | MT58L128L32F1T-8.5 | 3.0700 | | 3090 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT58L128L32 | Sram | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 4mbbitons | 8,5 ns | Sram | 128k x 32 | Parallèle | - | ||
| MT29F1T08EEEEJ4-QJ: E | 26.4750 | | 2373 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F1T08EEEEEEJ4-QJ: E | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT47H512M4THN-25E: M | - | | 1672 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 63-TFBGA | MT47H512M4 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 63-fbga (8x10) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 518 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 512m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
| M25PX16-V6D11 | - | | 7239 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | M25px16 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 75 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | ||||
| JS28F640J3F75G | - | | 2999 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F640J3 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -Js28f640j3f75g | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 64mbitons | 75 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 75ns | ||
| MT53E512M64D4HJ-046 WT: D | - | | 3117 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | - | 557-MT53E512M64D4HJ-046WT: D | OBSOLÈTE | 1 | ||||||||||||||||||||
| M29W640GB70ZS6E | - | | 7657 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MT62F768M64D4EK-026 WT: B TR | 34.2750 | | 5784 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | MT62F768 | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-026WT: BTR | 1 500 | 3,2 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | - | |||||||
 | MT47R64M16HR-25: H | - | | 4904 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47R64M16 | Sdram - ddr2 | 1,55 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT62F3G32D8DV-023 IT: B | 74.6400 | | 2741 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-mt62f3g32d8dv-023it: b | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 3G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| MT47H64M16HR-187E: H | - | | 8895 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 1 gbit | 350 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT55L256L18P1F-10 | 5.5100 | | 149 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - zbt | 3.135V ~ 3 465V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 4mbbitons | 5 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | |||
| MT62F1G128DAWA-031 XT: B TR | 136.0800 | | 3832 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT62F1G128DAWA-031XT: BTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT49H8M36FM-33 TR | - | | 7958 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H8M36 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-fbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 300 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 8m x 36 | Parallèle | - | ||
| MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR | 20.2200 | | 2110 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 149-VFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 149-VFBGA (8x9,5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112TR | 2 000 | Non volatile, volatile | 8 Gbit | 25 ns | Flash, Bélier | 1g x 8 | Onfi | 30ns | ||||||||
 | RC28F256P30TFF TR | - | | 4887 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | RC28F256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-Easybga (10x13) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 52 MHz | Non volatile | 256mbitons | 100 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 100ns | ||
| MT29GZ5A3BPA-53AAT.87K | - | | 5445 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | MT29GZ5 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 260 |
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