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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
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MT41K2G8KJR-125: A TR | - | ![]() | 4244 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K2G8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (9,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 16 Gbit | 13,5 ns | Drachme | 2G x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT53B256M64D2NK-053 WT: C | - | ![]() | 3184 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 1 866 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | - | - | ||||
![]() | MT57W512H36JF-5 | 28.0100 | ![]() | 262 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | MT57W512H | Sram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
MT61M256M32JE-12 AAT: A | - | ![]() | 3865 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 180-TFBGA | MT61M256 | Sgram - gddr6 | 1,21V ~ 1,29 V | 180-FBGA (12x14) | télécharger | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 260 | 1,5 GHz | Volatil | 8 Gbit | Bélier | 256m x 32 | Parallèle | - | |||||||
![]() | MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR | 14.9250 | ![]() | 8960 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28EW01 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 600 | Non volatile | 1 gbit | 95 ns | Éclair | 128m x 8, 64m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
![]() | Mt25qu128aba1ew7-msit tr | - | ![]() | 8959 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | MT25QU128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
![]() | MT46H256M32L4JV-5 IT: B | - | ![]() | 5614 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT46H256M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 8 Gbit | 5 ns | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | MT40A256M16GE-075E IT: B | - | ![]() | 8442 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A256M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x14) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 020 | 1,33 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||||
![]() | M29f200ft55m3f2 tr | - | ![]() | 9173 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | M29F200 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 2mbitons | 55 ns | Éclair | 256k x 8, 128k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
![]() | M58WR032KB70ZB6W TR | - | ![]() | 4122 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-VFBGA | M58WR032 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 56-VFBGA (7.7x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 66 MHz | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 16 | Parallèle | 70ns | ||
![]() | EDB5432BEBH-1DAUT-FD | - | ![]() | 6487 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | EDB5432 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 680 | 533 MHz | Volatil | 512mbitons | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | MT29F512G08EBLEEEEJ4-QA: E | 13.2450 | ![]() | 2426 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QA: E | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F512G08CKCABH7-6R: A | - | ![]() | 5438 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 166 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | Mtfc2gmxea-wt tr | - | ![]() | 6441 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc2g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT25QL256ABA8E12-1SAT | - | ![]() | 2708 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT25QL256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 122 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
![]() | MT29F64G08CBEBBL84A3WC1 | - | ![]() | 4381 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | Mourir | - | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | ||||||||
![]() | Mt45w4mw16pcga-70 it tr | - | ![]() | 8508 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 48-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 64mbitons | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | PC28F256P30T2E | - | ![]() | 5109 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | PC28F256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-Easybga (10x13) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 864 | Non volatile | 256mbitons | 100 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 100ns | |||
Mt29f2g08abagawp-ite: g | 2.8500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | MT46H64M16LFCK-6 IT: A TR | - | ![]() | 3632 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H64M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | PN28F256M29EWHA | - | ![]() | 3492 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | PN28F256M29 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 560 | Non volatile | 256mbitons | 100 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 100ns | |||
MT46H32M32LFB5-5 AAT: B | - | ![]() | 5639 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1440 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | MT46V32M16TG-75E: C | - | ![]() | 3398 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | - | Rohs non conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 750 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT29F8T08GQLCEG8-QB: C | 156.3000 | ![]() | 6470 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F8T08GQLCEG8-QB: C | 1 | |||||||||||||||||||||
M28W160ECT70ZB6U TR | - | ![]() | 7634 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 46-TFBGA | M28W160 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 46-TFBGA (6.39x6.37) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 16mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
![]() | MT40A256M16GE-075E AIT: B | - | ![]() | 4198 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A256M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 020 | 1,33 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||||
![]() | M58WR032KU70ZA6U TR | - | ![]() | 2655 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-VFBGA | M58WR032 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 44-VFBGA (7.5x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 66 MHz | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 16 | Parallèle | 70ns | ||
![]() | MT47H128M8B7-5E L: A TR | - | ![]() | 1824 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 92-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 92-FBGA (11x19) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 600 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | N25Q032A13EF440E | - | ![]() | 1691 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-UDFN | N25Q032A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-pdfn (3x3) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | Mt53b2darn-dc | - | ![]() | 3925 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 008 |
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