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Circuits Integrés (ICS) (10403)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Sic programmable	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT53B512M64D4NW-062 WT ES: C	-	RFQ	6258	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4		1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	1,6 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
M25p32-VMW6TGBA TR	-	RFQ	1542	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	M25p32	Flash - ni	Non Vérifié	2,7 V ~ 3,6 V	8-So W	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 500	75 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	4m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
Mtfc32gamakam-wt	-	RFQ	8226	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	Mtfc32g	Flash - Nand		-	-	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 520		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT53D768M64D8SQ-046 WT ES: E TR	-	RFQ	9311	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	556-VFBGA	MT53D768	SDRAM - MOBILE LPDDR4		1,1 V	556-VFBGA (12.4x12.4)	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	2.133 GHz	Volatil	48gbit		Drachme	768m x 64	-	-
Mtfc4glmdq-ait a tr	-	RFQ	2417	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga	Mtfc4	Flash - Nand (MLC)		2,7 V ~ 3,6 V	100 lbga (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MTFC4Glmdq-Aitatr			2 000	52 MHz	Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
MT53E512M16D1FW-046 AIT: D TR	9.3750	RFQ	3734	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x		1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	-				557-MT53E512M16D1FW-046AIT: DTR			2 000	2.133 GHz	Volatil	8 Gbit	3,5 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	18n
Mt29f64g08ceccbh1-12it: c	-	RFQ	8284	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 VBGA	MT29F64G08	Flash - Nand		2,7 V ~ 3,6 V	100 VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT44K16M36RB-107: A	-	RFQ	2021	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K16M36	Drachme		1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0024	1 000	933 MHz	Volatil	576mbit	10 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-
MT53E512M32D2FW-046 AUT: D TR	-	RFQ	2642	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x		1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	-				557-MT53E512M32D2FW-046AUT: DTR			1	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit	3,5 ns	Drachme	512m x 32	Parallèle	18n
M29w320dt70n6f tr	-	RFQ	4615	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W320	Flash - ni		2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500		Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	70ns
Mtfc32gasaqhd-aat tr	19.1400	RFQ	1955	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand		2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MTFC32GASAQHD-AATTR			2 000	200 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	EMMC	-
MT29F1G16ABBEAH4-AITX: E	-	RFQ	2223	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G16	Flash - Nand		1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	1 gbit		Éclair	64m x 16	Parallèle	-
MT53D1024M64D8NW-053 WT: D	-	RFQ	2417	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	432-VFBGA	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4		1,1 V	432-VFBGA (15x15)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	1 866 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	-	-
Mtfc8glwdq-3l ait z	-	RFQ	2041	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga	Mtfc8	Flash - Nand		2,7 V ~ 3,6 V	100 lbga (14x18)	-			Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
MT48LC2M32B2P-7 IT: G	-	RFQ	9512	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT48LC2M32B2	Sdram		3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	143 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	2m x 32	Parallèle	14ns
Mt53d4danw-dc tr	-	RFQ	5860	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				MT53D4					-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000
EDB2432B4MA-1DAUT-FR TR	-	RFQ	1256	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	134-VFBGA	EDB2432	Sdram - mobile lpddr2		1,14 V ~ 1,95 V	134-VFBGA (10x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	533 MHz	Volatil	2 gbit		Drachme	64m x 32	Parallèle	-
MT53E2G32D4DT-046 WT ES: A TR	96.1650	RFQ	1726	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53E2G32	SDRAM - MOBILE LPDDR4		1,1 V		-			Atteindre non affecté	557-MT53E2G32D4DT-046WTES: ATR			2 000	2.133 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	2G x 32	-	-
Mtfc32gazaqhd-aat	19.0800	RFQ	1706	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand		2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté				1 520	200 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT47H128M8JN-3 IT: H	-	RFQ	8145	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	MT47H128M8	Sdram - ddr2		1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
MT46H64M32LFCM-5 IT: A	-	RFQ	9268	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H64M32	SDRAM - LPDDR MOBILE		1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	200 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
MT53B4DBDT-DC TR	-	RFQ	2276	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				MT53B4	SDRAM - MOBILE LPDDR4				-					OBSOLÈTE		2 000		Volatil			Drachme
MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT TR	-	RFQ	8040	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	130-VFBGA	MT29C2G24	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE		1,7 V ~ 1,95 V	130-VFBGA (8x9)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	2gbit (nand), 1gbit (lpdram)		Flash, Bélier	256m x 8 (NAND), 64m x 16 (LPDRAM)	Parallèle	-
Nand32gw3f4an6e	-	RFQ	9054	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	NAND32G	Flash - Nand		2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-Nand32gw3f4an6e	3A991B1A	8542.32.0051	96		Non volatile	32 Gbit	50 ns	Éclair	4G x 8	Parallèle	50ns
MT46V32M16P-5B AIT: J TR	-	RFQ	6918	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M16	Sdram - ddr		2,5 V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214	27.4375	RFQ	8446	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif									-				557-MT29VZZZBD9GULPR-046W.214			1 520
MT47H64M16NF-25E AAT: M	4.3884	RFQ	5654	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H64M16	Sdram - ddr2		1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 368	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
MT53E2G32D4DE-046 AUT: C	64.9800	RFQ	2649	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x		1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	-				557-MT53E2G32D4DE-046AUT: C			1	2.133 GHz	Volatil	64gbit	3,5 ns	Drachme	2G x 32	Parallèle	18n
MT29F512G08CKCABH7-10: A	-	RFQ	9323	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète									-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		557-MT29F512G08CKCABH7-10: A	OBSOLÈTE		980
MT58L128L32D1F-6	8.2200	RFQ	1583	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA	MT58L128L32	Sram		3.135V ~ 3,6 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	Volatil	4mbbitons	3,5 ns	Sram	128k x 32	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (ICS) (10403)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²