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Circuits Integrés (ICS) (10403)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT29F1G01AAADDH4-ITX: D TR	-	RFQ	7275	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G01	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	1 gbit		Éclair	1g x 1	Pimenter	-
PZ28F032M29EWBB TR	-	RFQ	6861	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-VFBGA	PZ28F032M29	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-BGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 500		Non volatile	32mbitons	60 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	60ns
MTFC16GAPALGT-AIT	-	RFQ	3887	Micron Technology Inc.	-	En gros	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)			Mtfc16	Flash - Nand	-		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MTFC16GAPALGT-AIT	3A991B1A	8542.32.0071	1 520		Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	MMC	-
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D	-	RFQ	9010	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	MT29RZ4C8	Flash - Nand, dram - lpddr2	1,8 V	-	-			Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	980	533 MHz	Non volatile, volatile	4Gbit (NAND), 4GBit (LPDDR2)		Flash, Bélier	256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2)	Parallèle	-
MT29F4G16ABBDAHC-IT: D	-	RFQ	9194	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 140		Non volatile	4 Gbit		Éclair	256m x 16	Parallèle	-
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES: E	-	RFQ	5519	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	376-WFBGA	MT53D1G64	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	376-WFBGA (14x14)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 190	2.133 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	-	-
MT49H8M36FM-25 IT: B	-	RFQ	5727	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H8M36	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144-fbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0028	1 000	400 MHz	Volatil	288mbitons	20 ns	Drachme	8m x 36	Parallèle	-
MT46V64M8P-6T: D TR	-	RFQ	3106	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	-	Rohs3 conforme	4 (72 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT25QL128ABB1ESE-0UT	5.9500	RFQ	3	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	MT25QL128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-so	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500	133 MHz	Non volatile	128mbitons	5 ns	Éclair	16m x 8	Pimenter	1,8 ms
MT45W256KW16PEGA-70 WT TR	-	RFQ	8830	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	48-VFBGA	MT45W256KW16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	4mbbitons	70 ns	Psram	256k x 16	Parallèle	70ns
MT29F128G08CKCCBH2-12: C	-	RFQ	3529	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 TBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT44K16M36RB-093 IT: A TR	-	RFQ	2468	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K16M36	Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0024	1 000	1 066 GHz	Volatil	576mbit	10 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-
MT62F2G64D8EK-026 WT: C TR	90.4650	RFQ	7627	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F2G64D8EK-026WT: CTR			2 000	3,2 GHz	Volatil	128 GBIT		Drachme	2G x 64	Parallèle	-
M29F040B70K1	-	RFQ	9638	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	M29F040	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	32-PLCC (11.35x13.89)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	32		Non volatile	4mbbitons	70 ns	Éclair	512k x 8	Parallèle	70ns
MT53D1024M32D4BD-053 WT ES: D	-	RFQ	1883	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MT47H32M16HR-3: F	-	RFQ	1167	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H32M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-1466	EAR99	8542.32.0024	1 000	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT53D1024M32D4DT-053 WT ES: D TR	-	RFQ	5863	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-VFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MT29F128G08AMCABK3-10: A TR	-	RFQ	2068	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	100 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT47H128M8CF-25E: H TR	-	RFQ	7987	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	MT47H128M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 000	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	128m x 8	Parallèle	15NS
MT53B384M64D4NK-053 WT ES: B	-	RFQ	5136	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	366-WFBGA	MT53B384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	366-WFBGA (15x15)	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	1 866 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	384m x 64	-	-
Mt25qu128aba1ew7-0sit tr	4.4800	RFQ	3	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	MT25QU128	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	8-WPDFN (6x5) (MLP8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT52L256M64D2FT-107 WT: B TR	24.1050	RFQ	5861	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT52L256	Sdram - mobile lpddr3	1,2 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 000	933 MHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	-	-
Mtfc4glvea-0m wt tr	-	RFQ	6168	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-WFBGA	Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-WFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
MT46V32M4TG-75: D	-	RFQ	8843	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M4	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	128mbitons	750 PS	Drachme	32m x 4	Parallèle	15NS
M25p05-avmn6t tr	-	RFQ	9306	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	M25P05-A	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 500	50 MHz	Non volatile	512kbit		Éclair	64k x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT48V8M32LFB5-8 IT TR	-	RFQ	8235	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48V8M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	2,3V ~ 2,7 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	125 MHz	Volatil	256mbitons	7 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
MT53E256M32D2FW-046 AAT: B TR	15.4950	RFQ	1410	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger				557-MT53E256M32D2FW-046AAT: BTR			2 000	2.133 GHz	Volatil	8 Gbit	3,5 ns	Drachme	256m x 32	Parallèle	18n
MT29F1T08EBLCHD4-QA: C TR	20.9850	RFQ	5429	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT29F1T08EBLCHD4-QA: CTR			2 000
MT45W2MW16PAFA-85 WT	-	RFQ	9752	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	48-VFBGA	MT45W2MW16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	2 000		Volatil	32mbitons	85 ns	Psram	2m x 16	Parallèle	85ns
Mtfc16gltdv-wt tr	-	RFQ	8913	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	Mtfc16g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	MMC	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Circuits Integrés (ICS) (10403)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²