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Circuits Integrés (ICS) (10403)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT42L256M32D2LK-18 WT: A TR | - |  | 7592 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | MT42L256M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 216-FBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | - | ||||
 | M25P16-VME6G | - | | 6982 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | M25P16 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 920 | 75 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 2m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | ||||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT: C TR | 31.9350 | | 2943 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: CTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | |||||||||
 | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G | - | | 3953 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 162-VFBGA | MT29RZ2B1 | Flash - Nand, dram - lpddr2 | 1,8 V | 162-VFBGA (10.5x8) | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1440 | 533 MHz | Non volatile, volatile | 2gbit (nand), 1gbit (LPDDR2) | Flash, Bélier | 256m x 8 (NAND), 32m x 32 (LPDDR2) | Parallèle | - | |||||
 | PC28F640J3F75B | 4.6700 | | 3 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | PC28F640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 2832-PC28F640J3F75B-TR | EAR99 | 8542.32.0051 | 108 | Non volatile | 64mbitons | 75 ns | Éclair | 4m x 16, 8m x 8 | Parallèle | 75ns | Non Vérifié | ||||
 | MT58L128L18DT-10 | 4.5300 | | 28 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatil | 2mbitons | 5 ns | Sram | 128K x 18 | Parallèle | - | ||||
| M29W640GL70ZF6E | - | | 6254 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
| MT46H64M32LFCX-5 IT: B Tr | - | | 9265 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | ||||
 | MTFC64GJDDN-4M | - | | 6226 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 169-LFBGA | Mtfc64 | Flash - Nand | 1,65 V ~ 3,6 V | 169-LFBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8523.51.0000 | 980 | Non volatile | 512kbit | Éclair | 64k x 8 | MMC | - | |||||
| MT47H512M4THN-25E: H | - | | 8328 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 63-TFBGA | MT47H512M4 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 63-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 512m x 4 | Parallèle | 15NS | |||
| N25Q128A13E1441E | - | | 2313 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-bga (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||||
| MT42L128M64D4LC-25 IT: A | - | | 8498 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 240-VFBGA | MT42L128M64 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 240-FBGA (14x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | |||||
| MT55L512Y36FT-11 | 18.6700 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volatil | 18mbitons | 8,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||||
 | MT48H4M16LFB4-8 IT: H TR | - | | 9206 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 54-VFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 125 MHz | Volatil | 64mbitons | 6 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
| MT29F16G08ABECBM72A3WC1L | 26.7100 | | 4582 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F16G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | Tranche | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F16G08ABECBM72A3WC1L | 1 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | - | - | ||||||
 | MT29F128G08CECGBJ4-37R: G | - | | 9888 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 267 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G | 2.5267 | | 2047 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G | 1 260 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | ||||||
| Mt29f4g08abafah4-oites: f tr | - | | 5380 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | |||||
| M29F800DB70M1 | - | | 7464 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0,525 ", 13,34 mm de grosur) | M29F800 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 16 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
 | MT52L256M32D1PF-107 WT ES: B TR | - | | 2247 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 178-VFBGA | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 178-fbga (11,5x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | |||||
 | MT48LC8M32B2B5-6 TR | - | | 9459 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48LC8M32B2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5,5 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | 12ns | |||
 | MT46H64M16LFCK-5 IT: A | - | | 3978 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H64M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
| MT29GZ5A5BPGA-53IT.87J | - | | 6047 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 149-WFBGA | MT29GZ5A5 | Flash - Nand, dram - lpddr4 | 1,8 V | 149-WFBGA (8x9,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | 1866 MHz | Non volatile, volatile | 4Gbit (NAND), 4GBit (LPDDR4) | Flash, Bélier | 512m x 8 (NAND), 128m x 32 (LPDDR4) | Parallèle | - | ||||
| Mtfc16gjvec-it | - | | 2274 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc16g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29F4G08ABADAWP: D | 5.6000 | | 593 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | |||||
| MT46H128M16LFB7-5 WT: B Tr | - | | 6402 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H128M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (10x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
 | MT48LC16M16A2P-6A: D | - | | 5185 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 12ns | |||
| MT60B1G16HC-56B: G | 19.0650 | | 9184 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 102-VFBGA | Sdram - ddr5 | - | 102-VFBGA (9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-56B: G | 1 | 2,8 GHz | Volatil | 16 Gbit | 16 ns | Drachme | 1g x 16 | Coffre | - | ||||||||
| M29f200ft55n3f2 tr | - | | 7685 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29F200 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 2mbitons | 55 ns | Éclair | 256k x 8, 128k x 16 | Parallèle | 55ns | ||||
| MT61K512M32KPA-24: U TR | 33.4650 | | 8915 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 180-TFBGA | Sgram - gddr6 | 1 3095V ~ 1 3905V | 180-FBGA (12x14) | - | 557-MT61K512M32KPA-24: UTR | 2 000 | 12 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | Pod_135 | - |
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