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Optoisolators (3111)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
MOC3023FM	-	RFQ	8359	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC302		-	1	Triac	6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3023FM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000				-	60 mA	7500VPK	400 V		100 µA (TYP)					Non	-	5ma	-
H11AA13	-	RFQ	3070	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	AC, DC		1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AA13S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-	-	30V	1,2 V	100 mA	5300 VRM				20% @ 10mA	-	-	400 mV
CNY173SR2M	0,8500	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY173	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m	4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms				100% @ 10mA	200% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
MOC8100TVM	-	RFQ	6257	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MOC810	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8100TVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-	2µs, 2µs	30V	1,2 V	60 mA	7500VPK				30% @ 1MA	-	20 µs, 20 µs (max)	500 mV
H11av2m	-	RFQ	1790	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11av2m-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-	-	70V	1,18 V	60 mA	7500VPK				50% @ 10mA	-	15 µs, 15 µs	400 mV
Mct2m	-	RFQ	7703	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	Mct2	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m	2µs, 1,5 µs	30V	1,25 V	60 mA	7500VPK				20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
H11av2fm	-	RFQ	2222	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11av2fm-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-	-	70V	1,18 V	60 mA	7500VPK				50% @ 10mA	-	15 µs, 15 µs	400 mV
HMHA281R3	-	RFQ	9213	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	HMHA28	Dc		1	Transistor	4 minutes-plate	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m	3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM				50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	400 mV
H11C43	-	RFQ	1743	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11C		Ur, vde	1	SCR	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11C43S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000				1,2 V	60 mA	5300 VRM	400 V	300 mA	-					Non	500 V / µs	20 mA	-
MOC3022TM	-	RFQ	1113	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MOC302		Ul	1	Triac	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3022TM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000				1,15 V	60 mA	4170vrms	400 V		100 µA (TYP)					Non	-	10m	-
SL5501	-	RFQ	6553	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	SL5501	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SL5501S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA	-	30V	1,23 V	100 mA	5300 VRM				25% @ 10mA	400% @ 10mA	20 µs, 50 µs (max)	400 mV
H11AA3300	-	RFQ	9132	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A	AC, DC		1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AA3300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-	-	30V	1,2 V	100 mA	5300 VRM				50% @ 10mA	-	-	400 mV
MCT5201SR2M	-	RFQ	1397	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	Mct5	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	150m	2,5 µs, 16 µs	30V	1,25 V	50 mA	7500VPK				120% @ 5mA	-	-	400 mV
4N26300W	-	RFQ	1807	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	4N26	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N26300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-	-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM				20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
FOD2742CR2	-	RFQ	7319	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FOD274	Dc		1	Transistor	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	50m	-	70V	1,2 V		2500 VRM				100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
H11d2	-	RFQ	4544	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11d	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA	-	300 V	1,15 V	80 mA	5300 VRM				20% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
FOD2741BV	1 9000	RFQ	993	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	FOD2741	Dc		1	Transistor	8 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50m	-	30V	1,5 V (max)		5000vrms				100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
FODM3012R4V	-	RFQ	7947	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30		BSI, CSA, UL, VDE	1	Triac	4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500				1,2 V	60 mA	3750 VRM	250 V	70 mA	300 µA (TYP)					Non	10V / µs (type)	5ma	-
4N35FR2M	-	RFQ	1584	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N35	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N35FR2M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-	-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK				100% @ 10mA	-	2µs, 2µs	300 mV
MOC3010FR2M	-	RFQ	7459	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC301		-	1	Triac	6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3010FR2M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000				-	60 mA	7500VPK	250 V		100 µA (TYP)					Non	-	15m	-
4N35M_F132	-	RFQ	3119	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	4N35	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-	-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms				100% @ 10mA	-	2µs, 2µs	300 mV
H11B815SD	-	RFQ	5413	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	H11b	Dc		1	Darlington	4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11b815sd-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	80m	300 µs, 250 µs (max)	35V	1,2 V	50 mA	5000vrms				600% @ 1mA	7500% @ 1mA	-	1v
CNY17F43SD	-	RFQ	8548	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY17	Dc		1	Transistor	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY17F43SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m	1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM				160% @ 10mA	320% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
FOD2742CR2V	-	RFQ	7100	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FOD274	Dc		1	Transistor	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	50m	-	70V	1,2 V		2500 VRM				100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
MCT210SD	-	RFQ	7118	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MCT210	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT210SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m	1 µs, 11 µs	30V	1,33 V	100 mA	5300 VRM				150% @ 10mA	-	1 µs, 50 µs	400 mV
H11f1	-	RFQ	9494	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11f	Dc		1	Mosfet	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-	-	30V	1,3 V	60 mA	5300 VRM				-	-	25 µs, 25 µs (max)	-
MCT52113	-	RFQ	7608	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	Mct5	Dc		1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT52113S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m	-	30V	1,25 V	50 mA	5300 VRM				150% à 1,6mA	-	14 µs, 2,5 µs	400 mV
H11b3	-	RFQ	4692	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11b	Dc		1	Darlington Avec la base	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11b3s-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-	-	25V	1,35 V	100 mA	5300 VRM				100% @ 1mA	-	25 µs, 18µs	1v
H11b1sr2m	0.9900	RFQ	980	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11b1	Dc		1	Darlington Avec la base	6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	150m	-	30V	1,2 V	80 mA	4170vrms				500% @ 1mA	-	25 µs, 18µs	1v
MOC206VM	-	RFQ	3279	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC206	Dc		1	Base de transistor AVEC	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	150m	3,2 µs, 4,7 µs	30V	1,15 V	60 mA	2500 VRM				63% @ 10mA	125% @ 10mA	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Entrepôt en stock

Optoisolators (3111)

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30 000 000

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