SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
MOC3033SM onsemi MOC3033SM 1.4600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC303 Ul 1 Triac 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC3033SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,25 V 60 mA 4170vrms 250 V 400 µA (TYP) Oui 1kV / µs 5ma -
H11L3W onsemi H11L3W -
RFQ
ECAD 7406 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète - Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) H11L Dc 1 Collectionner OUVER - 6 plombs télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 MHz - - 5ma 5300 VRM 1/0 - -
4N353SD onsemi 4N353SD -
RFQ
ECAD 4378 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N35 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 4N353SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 100 mA 5300 VRM 100% @ 10mA - 2µs, 2µs 300 mV
CNX83AW onsemi CNX83AW -
RFQ
ECAD 6596 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) CNX83 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNX83AW-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 100 mA - 50v 1,2 V 100 mA 5300 VRM 40% @ 10mA 250% @ 10mA 3 µs, 3µs 400 mV
HMA121CR2V onsemi HMA121CR2V -
RFQ
ECAD 4422 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins HMA121 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 80m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400 mV
H11AA2 onsemi H11AA2 -
RFQ
ECAD 5565 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11A AC, DC 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,2 V 100 mA 5300 VRM 10% @ 10mA - - 400 mV
4N25FVM onsemi 4n25fvm -
RFQ
ECAD 7161 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N25 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 4n25fvm-ndr EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 60 mA 7500VPK 20% @ 10mA - 2µs, 2µs 500 mV
HCPL2601WV onsemi HCPL2601WV -
RFQ
ECAD 2067 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,400 ", 10,16 mm) HCPL2601 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 5,5 V 8 MDIP télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 50m 2500 VRM 1/0 5kV / µs 75ns, 75ns
HMA2701B onsemi HMA2701B -
RFQ
ECAD 9204 0,00000000 onsemi - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins HMA270 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 3 000 80m 3 µs, 3µs 40V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300 mV
FOD050LR2 onsemi FOD050LR2 3.0400
RFQ
ECAD 2903 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FOD050 Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 8m - 7v 1,45 V 25 mA 2500 VRM 15% @ 16mA 50% @ 16mA 1 µs, 1 µs (max) -
FOD2200V onsemi FOD2200V -
RFQ
ECAD 7984 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) FOD2200 Dc 1 Trois états 4,5 V ~ 20V 8 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 25 mA 2,5 MBD 80ns, 25ns 1,4 V 10m 5000vrms 1/0 10kV / µs 300ns, 300ns
H11L2M onsemi H11L2M 1.4500
RFQ
ECAD 2288 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11L2 Dc 1 Collectionner OUVER 3V ~ 15V 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 MHz 100ns, 100ns 1,2 V 30m 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
MCT2202 onsemi MCT2202 -
RFQ
ECAD 1678 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) Mct2 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MCT2202-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 30V 1,25 V 100 mA 5300 VRM 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2µs, 2µs 400 mV
FOD2741ATV onsemi FOD2741ATV 1.9200
RFQ
ECAD 500 0,00000000 onsemi - En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,400 ", 10,16 mm) FOD2741 Dc 1 Transistor 8 MDIP télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 30V 1,5 V (max) 5000vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400 mV
H11AV1FM onsemi H11av1fm -
RFQ
ECAD 7494 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11A Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11av1fm-ndr EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 70V 1,18 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA 300% @ 10mA 15 µs, 15 µs (max) 400 mV
H11D2M onsemi H11d2m -
RFQ
ECAD 1054 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11d Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 100 mA - 300 V 1,15 V 80 mA 7500VPK 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400 mV
MCT23S onsemi MCT23 -
RFQ
ECAD 5130 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MCT23 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MCT23S-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 30V 1,25 V 100 mA 5300 VRM 20% @ 10mA - 1,1 µs, 50 µs 400 mV
FOD420V onsemi FOD420V 4.2400
RFQ
ECAD 5239 0,00000000 onsemi - Tube Actif -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) FOD420 cul, fimko, ul, vde 1 Triac 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 2832-FOD420V-488 EAR99 8541.49.8000 1 000 1,28 V 30 mA 5000vrms 600 V 500 µA Non 10kV / µs 2MA 60 µs
H11AA3300 onsemi H11AA3300 -
RFQ
ECAD 9132 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11A AC, DC 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11AA3300-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,2 V 100 mA 5300 VRM 50% @ 10mA - - 400 mV
H11AG3 onsemi H11AG3 -
RFQ
ECAD 1297 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11A Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11AG3-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 30V 1,5 V (max) 50 mA 5300 VRM 20% @ 1mA - 5 µs, 5 µs 400 mV
MOC3063SR2M onsemi MOC3063SR2M 1.3200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC306 Ul 1 Triac 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 1,3 V 60 mA 4170vrms 600 V 500 µA (TYP) Oui 600 V / µs 5ma -
MOC3042TVM onsemi MOC3042TVM 1 9000
RFQ
ECAD 6129 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) MOC304 IEC / EN / DIN, UL 1 Triac 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 1,25 V 60 mA 4170vrms 400 V 400 µA (TYP) Oui 1kV / µs 10m -
MOC208R1M onsemi MOC208R1M -
RFQ
ECAD 9467 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOC208 Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC208R1M-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 150m 3,2 µs, 4,7 µs 70V 1,15 V 60 mA 2500 VRM 40% @ 10mA 125% @ 10mA 7,5 µs, 5,7 µs 400 mV
4N26300W onsemi 4N26300W -
RFQ
ECAD 1807 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) 4N26 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 4N26300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 100 mA 5300 VRM 20% @ 10mA - 2µs, 2µs 500 mV
HCPL0452R1V onsemi HCPL0452R1V -
RFQ
ECAD 8516 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HCPL04 Dc 1 Transistor 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 8m - 20V 1,45 V 25 mA 2500 VRM 19% @ 16mA 50% @ 16mA 450ns, 300ns -
HMHA2801BR2V onsemi HMHA2801BR2V -
RFQ
ECAD 6239 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) HMHA28 Dc 1 Transistor 4 minutes-plate télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 300 mV
6N139SD onsemi 6N139SD -
RFQ
ECAD 5004 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette 6N139 Dc 1 Darlington Avec la base 8 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 60m - 18V 1,3 V 20 mA 2500 VRM 500% @ 1,6mA - 1,5 µs, 7µs -
MOC217R1M onsemi MOC217R1M -
RFQ
ECAD 1161 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOC217 Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC217R1M-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 150m 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1.07 V 60 mA 2500 VRM 100% @ 10mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400 mV
CNY171FM onsemi CNY171FM -
RFQ
ECAD 2605 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette CNY171 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNY171FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 4µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 V 60 mA 4170vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
SL5500300 onsemi SL5500300 -
RFQ
ECAD 2216 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) SL55 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SL5500300-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 100 mA - 30V 1,23 V 100 mA 5300 VRM 40% @ 10mA 300% @ 10mA 20 µs, 50 µs (max) 400 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock