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Optoisolators (3111)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
H11A1SVM	-	RFQ	8284	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A1SVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							50% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
MOC8112300	-	RFQ	8958	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC811	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8112300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		3µs, 14µs	70V	1,15 V	90 mA	5300 VRM							50% @ 10mA	-	4,2 µs, 23 µs	400 mV
FOD410V	1.6213	RFQ	9572	onsemi	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	FOD410		CSA, UL, VDE	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000					1,25 V	30 mA	5000vrms	600 V		500 µA								Oui	10kV / µs	2MA	60 µs
H11A4SD	-	RFQ	9025	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A4SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM							10% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
HCPL2503SD	-	RFQ	6039	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	HCPL25	Dc		1	Base de transistor AVEC		8 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							12% @ 16mA	-	450ns, 300ns	-
H11C1SD	-	RFQ	8837	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11C		Ur	1	SCR		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11C1SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,2 V	60 mA	5300 VRM	200 V	300 mA	-								Non	500 V / µs	20 mA	-
H11A617C	-	RFQ	9939	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A	Dc		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,35 V	50 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
H11L2SD	-	RFQ	5648	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11L	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	1 MHz	-		-	10m	5300 VRM				1/0	-	-
FODM3022R4	-	RFQ	9696	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30		BSI, CSA, UL	1	Triac		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500					1,2 V	60 mA	3750 VRM	400 V	70 mA	300 µA (TYP)								Non	10V / µs (type)	10m	-
MOC3163M	1.9200	RFQ	4	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC316		Ul	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,3 V	60 mA	4170vrms	600 V		500 µA (TYP)								Oui	1kV / µs	5ma	-
H11L1SR2M	1.0700	RFQ	30	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11L1	Dc		1	Collectionner OUVER	3V ~ 15V	6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	1 MHz	100ns, 100ns		1,2 V	30m	4170vrms				1/0	-	4µs, 4µs
H11A817A	-	RFQ	6252	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A	Dc		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,2 V	50 mA	5300 VRM							80% @ 5mA	160% @ 5mA	-	200 MV
CNX35U3SD	-	RFQ	1609	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNX35	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNX35U3SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	30V	1,15 V	100 mA	5300 VRM							40% @ 10mA	160% @ 10mA	20 µs, 20 µs	400 mV
HCPL0452R2	-	RFQ	4340	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL04	Dc		1	Transistor		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							19% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 300ns	-
H11N1300W	-	RFQ	4206	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11N	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	5 MHz	-		1,4 V	3,2 ma	7500 VRM				1/0	-	330ns, 330ns
FOD852	1.1400	RFQ	3	onsemi	-	Tube	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	FOD852	Dc		1	Darlington		À 4 plombes	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	100	150m		100 µs, 20 µs	300 V	1,2 V	50 mA	5000vrms							1000% @ 1mA	15000% @ 1mA	-	1,2 V
H11AA814A3SD	-	RFQ	9302	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	H11A	AC, DC		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AA814A3SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,2 V	50 mA	5300 VRM							50% @ 1mA	150% @ 1mA	-	200 MV
TIL113W	-	RFQ	5093	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	TIL113	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	TIL113W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							300% @ 10mA	-	350 ns, 55 µs	1,25 V
TIL113SD	-	RFQ	4296	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	TIL113	Dc		1	Darlington Avec la base		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	TIL113SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							300% @ 10mA	-	350 ns, 55 µs	1,25 V
H11A3FR2M	-	RFQ	9337	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
CNY17F4TVM	0,9100	RFQ	600	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	CNY17F4	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms							160% @ 10mA	320% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
H11A817CW	-	RFQ	6042	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0 400 ", 10,16 mm)	H11A	Dc		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A817CW-NDR	EAR99	8541.49.8000	2 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,2 V	50 mA	5300 VRM							200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	200 MV
CNY17F3SVM	-	RFQ	3520	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY17	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms							100% @ 10mA	200% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
H11f1	-	RFQ	2600	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11f	Dc		1	Mosfet		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11F1S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,3 V	60 mA	5300 VRM							-	-	25 µs, 25 µs (max)	-
MCT5210SD	-	RFQ	2420	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	Mct5	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT5210SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,25 V	50 mA	5300 VRM							70% @ 3mA	-	10 µs, 400ns	400 mV
H11N2SD	-	RFQ	3899	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11N	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	5 MHz	-		1,4 V	5ma	7500 VRM				1/0	-	330ns, 330ns
MOC3023VM	0,9400	RFQ	314	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC302		IEC / EN / DIN, UL	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,15 V	60 mA	4170vrms	400 V		100 µA (TYP)								Non	-	5ma	-
MCT210	-	RFQ	5616	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MCT210	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 11 µs	30V	1,33 V	100 mA	5300 VRM							150% @ 10mA	-	1 µs, 50 µs	400 mV
HMHA2801BR1	-	RFQ	6225	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	HMHA28	Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	300 mV
H11L1	-	RFQ	8068	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11L	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	1 MHz	-		-	1,6 mA	5300 VRM				1/0	-	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Optoisolators (3111)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²