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Optoisolators (3111)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
H11A1300	-	RFQ	2662	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM							50% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
MOC3043M	1.0400	RFQ	12	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC304		Ul	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,25 V	60 mA	4170vrms	400 V		400 µA (TYP)								Oui	1kV / µs	5ma	-
MOCD207M	1.4100	RFQ	30	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOCD207	Dc		2	Transistor		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	150m		3,2 µs, 4,7 µs	70V	1,25 V	60 mA	2500 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
H11A817B3S	-	RFQ	4906	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	H11A	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A817B3S-NDR	EAR99	8541.49.8000	2 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,2 V	50 mA	5300 VRM							130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	200 MV
H11l1vm	1.1900	RFQ	5	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11L1	Dc		1	Collectionner OUVER	3V ~ 15V	6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	1 MHz	100ns, 100ns		1,2 V	30m	4170vrms				1/0	-	4µs, 4µs
CNY17F4TVM	0,9100	RFQ	600	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	CNY17F4	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms							160% @ 10mA	320% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
MOC223R1M	-	RFQ	8476	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC223	Dc		1	Darlington Avec la base		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC223R1M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		1 µs, 2µs	30V	1,08 V	60 mA	2500 VRM							500% @ 1mA	-	3,5 µs, 95 µs	1v
HMA2701AR3V	-	RFQ	9582	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	HMA270	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	80m		3 µs, 3µs	40V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							150% @ 5mA	300% @ 5mA	-	300 mV
MOC5009SR2M	-	RFQ	6712	onsemi	GlobalOptOisolator ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC500	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	1 MHz	-		-	10m	7500VPK				1/0	-	-
4N283	-	RFQ	7458	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N28	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N283S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM							10% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
4N26W	-	RFQ	8479	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	4N26	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N26W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
FOD814A300W	0,6100	RFQ	2	onsemi	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 105 ° C	Par le trou	4-DIP (0 400 ", 10,16 mm)	FOD814	AC, DC		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	100	50m		4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms							50% @ 1mA	150% @ 1mA	-	200 MV
H11b13	-	RFQ	7667	onsemi	-	Sac	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11b	Dc		1	Darlington Avec la base		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11b13s-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	25V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							500% @ 1mA	-	25 µs, 18µs	1v
HCPL2731SD	2.4900	RFQ	1074	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	HCPL2731	Dc		2	Darlington		8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	60m		-	18V	1,3 V	20 mA	2500 VRM							500% @ 1,6mA	-	300ns, 5 µs	-
MOC5008FR2VM	-	RFQ	1611	onsemi	GlobalOptOisolator ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC500	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	1 MHz	-		-	4MA	7500VPK				1/0	-	-
MOC3082M	2.0100	RFQ	610	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC308		Ul	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,3 V	60 mA	4170vrms	800 V		500 µA (TYP)								Oui	600 V / µs	10m	-
MOC217M	0,8700	RFQ	2	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC217	Dc		1	Base de transistor AVEC		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1.07 V	60 mA	2500 VRM							100% @ 10mA	-	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
6N139m	1.3700	RFQ	1258	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	6N139	Dc		1	Darlington Avec la base		8 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	60m		-	18V	1,3 V	20 mA	5000vrms							500% @ 1,6mA	-	240ns, 1,3 µs	-
FOD2711as	1.7600	RFQ	15	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	FOD2711	Dc		1	Transistor		8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,5 V (max)		5000vrms							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
CNX38U	-	RFQ	1478	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	CNX38	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNX38U-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	80V	1,15 V	100 mA	5300 VRM							70% @ 10mA	210% @ 10mA	20 µs, 20 µs	400 mV
H11G2TVM	0,4246	RFQ	6898	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11G2	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	80V	1,3 V	60 mA	4170vrms							1000% @ 10mA	-	5 µs, 100 µs	1v
FOD2741CT	-	RFQ	7359	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	FOD274	Dc		1	Transistor		8 MDIP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,5 V (max)		5000vrms							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
MOC3021FR2M	-	RFQ	1085	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC302		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3021FR2M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	400 V		100 µA (TYP)								Non	-	15m	-
MCT623SD	1.6700	RFQ	950	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	MCT623	Dc		2	Transistor		8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	30m		-	30V	1,2 V	60 mA	5000vrms							100% @ 5mA	-	2,4 µs, 2,4 µs	400 mV
H11C1300W	-	RFQ	7787	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11C		Ur, vde	1	SCR		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11C1300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,2 V	60 mA	5300 VRM	200 V	300 mA	-								Non	500 V / µs	20 mA	-
FODM611	1 9000	RFQ	3969	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes	FODM61	Dc		1	Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ	4,5 V ~ 5,5 V	5 minutes	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	100	50 mA	10Mbps	20ns, 10ns		1,45 V	50m	3750 VRM				1/0	20kV / µs	100ns, 100ns
HCPL3700M	5.9800	RFQ	519	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	HCPL3700	AC, DC		1	Darlington		8 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	2832-HCPL3700M	EAR99	8541.49.8000	50	30m		45 µs, 0,5 µs	20V	-		5000vrms							-	-	6µs, 25 µs	-
MOC8204	-	RFQ	3762	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC820	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	2MA		-	400 V	1,2 V	60 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
FOD270LT	-	RFQ	9650	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	FOD270	Dc		1	Darlington Avec la base		8 MDIP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	60m		-	7v	1,35 V	20 mA	5000vrms							400% à 500 µA	7000% à 500 µA	3 µs, 50 µs	-
4N26FR2M	-	RFQ	6708	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N26	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N26FR2M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Optoisolators (3111)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²