SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
HMHA2801AR1V onsemi Hmha2801ar1v -
RFQ
ECAD 4589 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) HMHA28 Dc 1 Transistor 4 minutes-plate télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300 mV
MOC81063S onsemi MOC81063 -
RFQ
ECAD 2412 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC810 Dc 1 Transistor 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC81063S-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 1 µs, 2µs 70V 1,15 V 100 mA 5300 VRM 50% @ 10mA 150% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
FOD814300 onsemi FOD814300 0,6100
RFQ
ECAD 190 0,00000000 onsemi - Tube Actif -55 ° C ~ 105 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) FOD814 AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 100 50m 4 µs, 3µs 70V 1,2 V 50 mA 5000vrms 20% @ 1mA 300% @ 1mA - 200 MV
H11C2W onsemi H11C2W -
RFQ
ECAD 2239 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) H11C Ur 1 SCR 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11c2w-ndr EAR99 8541.49.8000 1 000 1,2 V 60 mA 5300 VRM 200 V 300 mA - Non 500 V / µs 20 mA -
6N136TSR2VM onsemi 6N136SR2VM 1.0897
RFQ
ECAD 8399 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette 6N136 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 700 8m - 20V 1,45 V 25 mA 5000vrms 19% @ 16mA 50% @ 16mA 250ns, 260ns -
4N35SVM onsemi 4N35SVM 0,7200
RFQ
ECAD 9 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N35 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V 1,18 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA - 2µs, 2µs 300 mV
MOC3071M onsemi MOC3071M 1.0300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC307 Ul 1 Triac 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 1,18 V 60 mA 4170vrms 800 V 540 µA (TYP) Non 1kV / µs 15m -
H11N1TVM onsemi H11n1tvm 5.8800
RFQ
ECAD 978 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) H11N1 Dc 1 Collectionner OUVER 4V ~ 15V 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50 mA 5 MHz 7,5ns, 12ns 1,4 V 30m 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
H11A1TVM onsemi H11a1tvm 0,8400
RFQ
ECAD 2512 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) H11A1 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V 1,18 V 60 mA 4170vrms 50% @ 10mA - 2µs, 2µs 400 mV
6N139VM onsemi 6N139VM 1.9800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) 6N139 Dc 1 Darlington Avec la base 8 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 60m - 18V 1,3 V 20 mA 5000vrms 500% @ 1,6mA - 240ns, 1,3 µs -
MOC8204W onsemi MOC8204W -
RFQ
ECAD 5725 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) MOC820 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 2MA - 400 V 1,2 V 60 mA 5300 VRM 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400 mV
FOD4108T onsemi FOD4108T -
RFQ
ECAD 5170 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) FOD4108 CSA, ul 1 Triac 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 1,25 V 30 mA 5000vrms 800 V 500 µA Oui 10kV / µs 2MA 60 µs
MOC216R2VM onsemi MOC216R2VM 0,2817
RFQ
ECAD 4280 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOC216 Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 150m 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1.07 V 60 mA 2500 VRM 50% @ 1mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400 mV
FOD617A onsemi FOD617A -
RFQ
ECAD 4499 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) FOD617 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 4 µs, 3µs 70V 1,35 V 50 mA 5000vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400 mV
FODM121ER2 onsemi FODM121ER2 -
RFQ
ECAD 4927 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM12 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 80m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400 mV
FOD2743BSD onsemi FOD2743BSD 2.1900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette FOD2743 Dc 1 Transistor 8 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 70V 1.07 V 5000vrms 50% @ 1mA 100% @ 1mA - 400 mV
H11A817B3S onsemi H11A817B3S -
RFQ
ECAD 4906 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins H11A Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11A817B3S-NDR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2,4 µs, 2,4 µs 70V 1,2 V 50 mA 5300 VRM 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200 MV
MOC8030300W onsemi MOC8030300W -
RFQ
ECAD 6566 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) MOC803 Dc 1 Darlington 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC8030300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 150m - 80V 1,15 V 60 mA 5300 VRM 300% @ 10mA - 3,5 µs, 95 µs -
TIL117TM onsemi TIL117TM -
RFQ
ECAD 4701 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) TIL117 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté TIL117TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - 2µs, 2µs 30V 1,2 V 60 mA 7500VPK 50% @ 10mA - 10 µs, 10 µs (max) 400 mV
4N38M onsemi 4n38m 0,6100
RFQ
ECAD 449 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N38 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 100 mA - 80V 1,15 V 80 mA 4170vrms 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1v
CNY17F3M onsemi CNY17F3M 0,6800
RFQ
ECAD 597 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) CNY17F Dc 1 Transistor 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50m 4µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
MOC256R2M onsemi MOC256R2M 1.1500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOC256 AC, DC 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 150m - 30V 1,2 V 60 mA 2500 VRM 20% @ 10mA - - 400 mV
HMA2701BR3V onsemi HMA2701BR3V -
RFQ
ECAD 1629 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins HMA270 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 80m 3 µs, 3µs 40V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300 mV
FODM217CR4 onsemi FODM217CR4 0.2305
RFQ
ECAD 6711 0,00000000 onsemi FODM217 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) Dc 1 Transistor 4-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 488-FODM217CR4TR EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 3 µs, 3µs 80V 1,2 V 50 mA 3750 VRM 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
FODM1008R2 onsemi FODM1008R2 0,6600
RFQ
ECAD 6646 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM1008 Dc 1 Transistor 4-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 5,7 µs, 8,5 µs 70V 1,4 V 50 mA 5000vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 300 mV
FOD4208 onsemi FOD4208 4.6700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 onsemi - Tube Actif -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) FOD420 cul, fimko, ul 1 Triac 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 1,28 V 30 mA 5000vrms 800 V 500 µA Non 10kV / µs 2MA 60 µs
FODM3082 onsemi FODM3082 -
RFQ
ECAD 2393 0,00000000 onsemi - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM30 cul, ul 1 Triac 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 3 000 1,5 V (max) 60 mA 3750 VRM 800 V 70 mA 300 µA (TYP) Oui 600 V / µs 10m -
MOC8106SR2M onsemi MOC8106SR2M 0,8400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC8106 Dc 1 Transistor 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 4µs, 3,5 µs (max) 70V 1,15 V 60 mA 4170vrms 50% @ 10mA 150% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
MOC3073M onsemi MOC3073M 1.7700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC307 Ul 1 Triac 6 PDI télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 1,18 V 60 mA 4170vrms 800 V 540 µA (TYP) Non 1kV / µs 6MA -
HCPL2730S onsemi HCPL2730 3.2400
RFQ
ECAD 810 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette HCPL2730 Dc 2 Darlington 8 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 60m - 7v 1,3 V 20 mA 2500 VRM 300% @ 1,6mA - 300ns, 5 µs -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock