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Optoisolators (3111)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
FOD2711ATV	1.4100	RFQ	1181	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	FOD2711	Dc		1	Transistor		8 MDIP	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,5 V (max)		5000vrms						100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
HCPL2531SD	2.1400	RFQ	7085	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	HCPL2531	Dc		2	Transistor		8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM						19% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 300ns	-
CNY17F3SR2M	0,7500	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY17F3	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms						100% @ 10mA	200% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
MOC3062FR2M	-	RFQ	8098	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC306		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3062FR2M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	600 V	500 µA (TYP)								Oui	-	10m	-
H11L2SD	-	RFQ	5648	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11L	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	1 MHz	-		-	10m	5300 VRM			1/0	-	-
HCPL2531W	-	RFQ	6871	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	8-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	HCPL25	Dc		2	Transistor		8 MDIP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM						19% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 300ns	-
H11av1vm	0,3474	RFQ	3799	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11av	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	70V	1,18 V	60 mA	4170vrms						100% @ 10mA	300% @ 10mA	15 µs, 15 µs (max)	400 mV
MOC3063VM	1.4800	RFQ	1999	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC306		IEC / EN / DIN, UL	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,3 V	60 mA	4170vrms	600 V	500 µA (TYP)								Oui	600 V / µs	5ma	-
H11AA43	-	RFQ	2052	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	AC, DC		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AA43S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,2 V	100 mA	5300 VRM						100% @ 10mA	-	-	400 mV
HMHA2801BR1	-	RFQ	6225	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	HMHA28	Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM						130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	300 mV
H11G1300	-	RFQ	6787	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11G	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11G1300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	100V	1,3 V	60 mA	5300 VRM						1000% @ 10mA	-	5 µs, 100 µs	1v
FOD2711ASD	1.6800	RFQ	855	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	FOD2711	Dc		1	Transistor		8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,5 V (max)		5000vrms						100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
MOC8100VM	-	RFQ	4503	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC810	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8100VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		2µs, 2µs	30V	1,2 V	60 mA	7500VPK						30% @ 1MA	-	20 µs, 20 µs (max)	500 mV
H11N1TM	-	RFQ	6269	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11N	Dc		1	Collectionner OUVER	4V ~ 15V	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	5 MHz	7,5ns, 12ns		1,4 V	30m	4170vrms			1/0	-	330ns, 330ns
HMHA281	0,6700	RFQ	8441	onsemi	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	HMHA28	Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	2156-HMHA281-OS	EAR99	8541.49.8000	150	50m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM						50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	400 mV
H11f2300	-	RFQ	6843	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11f	Dc		1	Mosfet		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11F2300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,3 V	60 mA	5300 VRM						-	-	25 µs, 25 µs (max)	-
H11AA23	-	RFQ	1414	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	AC, DC		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AA23S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,2 V	100 mA	5300 VRM						10% @ 10mA	-	-	400 mV
H11G1	-	RFQ	4587	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11G	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	100V	1,3 V	60 mA	5300 VRM						1000% @ 10mA	-	5 µs, 100 µs	1v
H11d4300	-	RFQ	6889	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11d	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11d4300-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	200 V	1,15 V	80 mA	5300 VRM						10% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
H11A817SD	-	RFQ	5848	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	H11A	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A817SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,2 V	50 mA	5300 VRM						50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV
MOCD223M	1.3600	RFQ	7499	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOCD223	Dc		2	Darlington		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	150m		8 µs, 110 µs	30V	1,25 V	60 mA	2500 VRM						500% @ 1mA	-	10 µs, 125 µs	1v
FOD2743CT	-	RFQ	2268	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	FOD274	Dc		1	Transistor		8 MDIP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	70V	1.07 V		5000vrms						50% @ 1mA	100% @ 1mA	-	400 mV
CNY173SD	-	RFQ	8779	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY173	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY173SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM						100% @ 10mA	200% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
MOC8204W	-	RFQ	5725	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MOC820	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	2MA		-	400 V	1,2 V	60 mA	5300 VRM						20% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
H11l1tvm_f132	-	RFQ	3394	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11L	Dc		1	Collectionner OUVER	3V ~ 15V	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	1 MHz	100ns, 100ns		1,2 V	30m	4170vrms			1/0	-	4µs, 4µs
MOC3021SR2VM	1.1500	RFQ	3	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC302		IEC / EN / DIN, UL	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000					1,15 V	60 mA	4170vrms	400 V	100 µA (TYP)								Non	-	15m	-
4N25SM	0,7800	RFQ	3802	onsemi	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N25	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms						20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
HMA2701AR3V	-	RFQ	9582	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	HMA270	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	80m		3 µs, 3µs	40V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM						150% @ 5mA	300% @ 5mA	-	300 mV
H11d3300W	-	RFQ	1789	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11d	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11d3300W-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	200 V	1,15 V	80 mA	5300 VRM						20% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
HCPL0730R2	-	RFQ	5819	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL07	Dc		2	Darlington		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	60m		-	7v	1,35 V	20 mA	2500 VRM						300% @ 1,6mA	5000% à 1,6mA	2µs, 7µs	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Optoisolators (3111)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²