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Optoisolators (3111)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
FOD2743A	-	RFQ	4383	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	FOD274	Dc		1	Transistor		8 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	70V	1.07 V		5000vrms							50% @ 1mA	100% @ 1mA	-	400 mV
CNW11AV2300	-	RFQ	4308	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	CNW11	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	100 mA		-	70V	-	100 mA	4000vrms							50% @ 10mA	-	-	400 mV
4N35SD	-	RFQ	2616	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N35	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N35SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	-	2µs, 2µs	300 mV
H11A1SM	0,7300	RFQ	4508	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A1	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							50% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
6N136SDVM	1.8400	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	6N136	Dc		1	Base de transistor AVEC		8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	5000vrms							19% @ 16mA	50% @ 16mA	250ns, 260ns	-
H11L3300W	-	RFQ	1417	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11L	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	1 MHz	-		-	5ma	5300 VRM				1/0	-	-
MOC3163TVM	1.8300	RFQ	1	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MOC316		IEC / EN / DIN, UL	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	MOC3163TVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,3 V	60 mA	4170vrms	600 V		500 µA (TYP)								Oui	1kV / µs	5ma	-
H11F2300W	-	RFQ	6854	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11f	Dc		1	Mosfet		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11F2300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,3 V	60 mA	5300 VRM							-	-	25 µs, 25 µs (max)	-
H11N1SVM	6.9700	RFQ	925	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11N1	Dc		1	Collectionner OUVER	4V ~ 15V	6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	5 MHz	7,5ns, 12ns		1,4 V	30m	4170vrms				1/0	-	330ns, 330ns
FODM121BV	-	RFQ	3713	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM12	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	150% @ 5mA	-	400 mV
4n28fvm	-	RFQ	4583	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N28	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4n28fvm-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK							10% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
4N36TM	-	RFQ	7426	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	4N36	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4n36tm-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK							100% @ 10mA	-	2µs, 2µs	300 mV
MOC206M	0,7400	RFQ	1	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC206	Dc		1	Base de transistor AVEC		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1,15 V	60 mA	2500 VRM							63% @ 10mA	125% @ 10mA	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
MOC3032M	1.0800	RFQ	953	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC303		Ul	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,25 V	60 mA	4170vrms	250 V		400 µA (TYP)								Oui	1kV / µs	10m	-
HMHA2801	0,6600	RFQ	4974	onsemi	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	HMHA28	Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	150	50m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							80% @ 5mA	600% @ 5mA	-	300 mV
MOC8204S	-	RFQ	6800	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC820	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	2MA		-	400 V	1,2 V	60 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
MCT52103	-	RFQ	3680	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	Mct5	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT52103S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,25 V	50 mA	5300 VRM							70% @ 3mA	-	10 µs, 400ns	400 mV
FOD814A3SD	0,8300	RFQ	5	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FOD814	AC, DC		1	Transistor		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms							50% @ 1mA	150% @ 1mA	-	200 MV
H11L2FR2VM	-	RFQ	3547	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11L	Dc		1	Collectionner OUVER	3V ~ 15V	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11L2FR2VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	1 MHz	100ns, 100ns		1,2 V	30m	4170vrms				1/0	-	4µs, 4µs
FOD2743CS	-	RFQ	7899	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	FOD274	Dc		1	Transistor		8 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	70V	1.07 V		5000vrms							50% @ 1mA	100% @ 1mA	-	400 mV
FOD4116SD	5.1300	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	FOD4116		CSA, ul	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000					1,25 V	30 mA	5000vrms	600 V		500 µA								Oui	10kV / µs	1,3 mA	60 µs
H11C1W	-	RFQ	6501	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11C		Ur	1	SCR		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11c1w-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,2 V	60 mA	5300 VRM	200 V	300 mA	-								Non	500 V / µs	20 mA	-
FODM452	2.8300	RFQ	936	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes	FODM45	Dc		1	Transistor		5 minutes	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	8m		-	20V	1,6 V	25 mA	3750 VRM							20% @ 16mA	50% @ 16mA	400ns, 350ns	-
H11G3SD	-	RFQ	6336	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11G	Dc		1	Darlington Avec la base		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11g3sd-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	55V	1,3 V	60 mA	5300 VRM							200% @ 1mA	-	5 µs, 100 µs	1,2 V
H11AG2300W	-	RFQ	4541	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AG2300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,5 V (max)	50 mA	5300 VRM							50% @ 1mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
TIL111FM	-	RFQ	1875	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	TIL111	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	TIL111FM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	2MA		10 µs, 10 µs (max)	30V	1,2 V	60 mA	7500VPK							-	-	-	400 mV
CNY174SR2VM	0,7200	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY174	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms							160% @ 10mA	320% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
FODB101	-	RFQ	3062	onsemi	Microcoupleur ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	4-TEBGA	FODB10	Dc		1	Transistor		4-BGA (3,5x3,5)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m		1 µs, 5 µs	75V	1,5 V (max)	30 mA	2500 VRM							100% @ 1mA	-	3 µs, 5 µs	400 mV
4N27SR2M	0,8400	RFQ	6218	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N27	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							10% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
4N38SD	-	RFQ	9630	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N38	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N38SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	80V	1,15 V	80 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	1v

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Entrepôt en stock

Optoisolators (3111)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²