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Optoisolators (3111)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
CNX35US	-	RFQ	2506	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNX35	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNX35US-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	30V	1,15 V	100 mA	5300 VRM							40% @ 10mA	160% @ 10mA	20 µs, 20 µs	400 mV
FODM121DR2	-	RFQ	9349	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM12	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	400 mV
HCPL0531	4.7900	RFQ	190	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL05	Dc		2	Transistor		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							19% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 300ns	-
FODM3022-NF098	1.5300	RFQ	4985	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30		cur, ur	1	Triac		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000					1,2 V	60 mA	3750 VRM	400 V	70 mA	300 µA (TYP)								Non	10V / µs (type)	10m	-
4N37TM	-	RFQ	7651	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	4N37	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4n37tm-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							100% @ 10mA	-	2µs, 2µs	300 mV
MOC3031FR2M	-	RFQ	5408	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC303		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3031FR2M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	250 V		400 µA (TYP)								Oui	-	15m	-
4N30300W	-	RFQ	1011	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	4n30	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N30300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,2 V	80 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	-	5 µs, 40 µs (max)	1v
FOD2741BS	1.8400	RFQ	1	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	FOD2741	Dc		1	Transistor		8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,5 V (max)		5000vrms							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
H11d13sd	-	RFQ	1443	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11d	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11d13sd-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	300 V	1,15 V	80 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
HCPL2503	-	RFQ	1937	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	HCPL25	Dc		1	Base de transistor AVEC		8 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							12% @ 16mA	-	450ns, 300ns	-
H11A1SD	-	RFQ	7335	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A1SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM							50% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
4N26300	-	RFQ	9911	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	4N26	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N26300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
MOC3011FR2VM	-	RFQ	7745	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC301		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3011FR2VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	250 V		100 µA (TYP)								Non	-	10m	-
CNW85	-	RFQ	8829	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	CNW85	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	100 mA		-	80V	-	100 mA	5900 VRM							0,63% @ 10mA	3,20% @ 10mA	-	400 mV
MOC213R1M	-	RFQ	5087	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC213	Dc		1	Base de transistor AVEC		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC213R1M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1,15 V	60 mA	2500 VRM							100% @ 10mA	-	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
CNW11AV1	-	RFQ	2426	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNW11	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	100 mA		-	70V	-	100 mA	4000vrms							100% @ 10mA	300% @ 10mA	-	400 mV
MOC3162SR2M	-	RFQ	1428	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC316		Ul	1	Triac		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3162SR2M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,3 V	60 mA	4170vrms	600 V		500 µA (TYP)								Oui	1kV / µs	10m	-
FOD814ASD	0,7500	RFQ	6162	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FOD814	AC, DC		1	Transistor		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms							50% @ 1mA	150% @ 1mA	-	200 MV
H11B815W	-	RFQ	9282	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0 400 ", 10,16 mm)	H11b	Dc		1	Darlington		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11b815w-ndr	EAR99	8541.49.8000	2 000	80m		300 µs, 250 µs (max)	35V	1,2 V	50 mA	5000vrms							600% @ 1mA	7500% @ 1mA	-	1v
MOC8103300W	-	RFQ	3058	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MOC810	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8103300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	30V	1,15 V	100 mA	5300 VRM							108% @ 10mA	173% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
HMA121F	-	RFQ	2582	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	HMA121	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							100% @ 5mA	600% @ 5mA	-	400 mV
FODM3011R1_NF098	-	RFQ	5635	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30		cur, ur	1	Triac		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	500					1,2 V	60 mA	3750 VRM	250 V	70 mA	300 µA (TYP)								Non	10V / µs (type)	10m	-
H11n3fm	-	RFQ	1783	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11N	Dc		1	Collectionner OUVER	4V ~ 15V	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	5 MHz	7,5ns, 12ns		1,4 V	30m	4170vrms				1/0	-	330ns, 330ns
HCPL4502V	-	RFQ	8097	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	HCPL45	Dc		1	Base de transistor AVEC		8 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							19% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 300ns	-
HCPL0600	3 5600	RFQ	2	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL06	Dc		1	Collectionner OUVER	4,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	2166-HCPL0600-488	EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,75 V (max)	50m	3750 VRM				1/0	5kV / µs	75ns, 75ns
MOC82043	-	RFQ	3045	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC820	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	2MA		-	400 V	1,2 V	60 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
HMA121BV	-	RFQ	9532	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	HMA121	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	150% @ 5mA	-	400 mV
MOC213R1VM	-	RFQ	6790	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC213	Dc		1	Base de transistor AVEC		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1,15 V	60 mA	2500 VRM							100% @ 10mA	-	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
CNY17F3	-	RFQ	6164	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	CNY17	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY17F3FS	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
4N36SVM	-	RFQ	2655	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N36	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N36SVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							100% @ 10mA	-	2µs, 2µs	300 mV

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Optoisolators (3111)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²