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Optoisolators (3111)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
HCPL4502V	-	RFQ	8097	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	HCPL45	Dc		1	Base de transistor AVEC		8 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							19% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 300ns	-
HCPL0600	3 5600	RFQ	2	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL06	Dc		1	Collectionner OUVER	4,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	2166-HCPL0600-488	EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,75 V (max)	50m	3750 VRM				1/0	5kV / µs	75ns, 75ns
MOC82043	-	RFQ	3045	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC820	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	2MA		-	400 V	1,2 V	60 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
HMA121BV	-	RFQ	9532	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	HMA121	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	150% @ 5mA	-	400 mV
MOC213R1VM	-	RFQ	6790	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC213	Dc		1	Base de transistor AVEC		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1,15 V	60 mA	2500 VRM							100% @ 10mA	-	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
CNY17F3	-	RFQ	6164	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	CNY17	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY17F3FS	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
4N36SVM	-	RFQ	2655	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N36	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N36SVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							100% @ 10mA	-	2µs, 2µs	300 mV
H11f2	-	RFQ	8348	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11f	Dc		1	Mosfet		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11F2S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,3 V	60 mA	5300 VRM							-	-	25 µs, 25 µs (max)	-
4n26m	0,6700	RFQ	2	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	4N26	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
H11d3w	-	RFQ	2158	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11d	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11d3w-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	200 V	1,15 V	80 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
CNW135300	-	RFQ	7617	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	8-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	CNW13	Dc		1	Base de transistor AVEC		8 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	40	10m		-	20V	-	100 mA	5000vrms							7% @ 16mA	-	-	-
HCPL0501R2V	3.1100	RFQ	6101	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL0501	Dc		1	Base de transistor AVEC		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							19% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 300ns	-
FOD2712R2V	-	RFQ	8031	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FOD271	Dc		1	Transistor		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	50m		-	30V	1,5 V (max)		2500 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
MOC3072SR2VM	1.5700	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC307		Ul	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000					1,18 V	60 mA	4170vrms	800 V		540 µA (TYP)								Non	1kV / µs	10m	-
H11G3300	-	RFQ	2279	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11G	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11G3300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	55V	1,3 V	60 mA	5300 VRM							200% @ 1mA	-	5 µs, 100 µs	1,2 V
MOC81073SD	-	RFQ	1690	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC810	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC81073SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,15 V	100 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	300% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
H11A1VM	0,6600	RFQ	2	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A1	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	H11A1VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							50% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
FOD2742Ar1	-	RFQ	6825	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FOD274	Dc		1	Transistor		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	70V	1,2 V		2500 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
FODM3010R3	-	RFQ	2384	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30		BSI, CSA, UL	1	Triac		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000					1,2 V	60 mA	3750 VRM	250 V	70 mA	300 µA (TYP)								Non	10V / µs (type)	15m	-
MOC3043SM	1.0700	RFQ	37	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC304		Ul	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3043SM-NDR	EAR99	8541.49.8000	50					1,25 V	60 mA	4170vrms	400 V		400 µA (TYP)								Oui	1kV / µs	5ma	-
4n27fm	-	RFQ	7554	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N27	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4n27fm-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK							10% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
H11l2fvm	-	RFQ	8174	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11L	Dc		1	Collectionner OUVER	3V ~ 15V	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11l2fvm-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	1 MHz	100ns, 100ns		1,2 V	30m	4170vrms				1/0	-	4µs, 4µs
MOC3020M	0 7700	RFQ	6	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC302		Ul	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,15 V	60 mA	4170vrms	400 V		100 µA (TYP)								Non	-	30m	-
H11A817D	-	RFQ	6254	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A	Dc		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,2 V	50 mA	5300 VRM							300% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV
MOC80803SD	-	RFQ	1892	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC808	Dc		1	Darlington Avec la base		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC80803SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	55V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							50% @ 10mA	-	3,5 µs, 25 µs	1V
FODM453V	2.4900	RFQ	3	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes	FODM453	Dc		1	Transistor		5 minutes	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	8m		-	20V	1,6 V	25 mA	3750 VRM							20% @ 16mA	50% @ 16mA	400ns, 350ns	-
CNY171TVM	0,6600	RFQ	2	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	CNY171	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	CNY171TVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms							40% @ 10mA	80% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
H11AA814	-	RFQ	7700	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A	AC, DC		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,2 V	50 mA	5300 VRM							20% @ 1mA	300% @ 1mA	-	200 MV
MOC3052FM	-	RFQ	5365	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC305		Ur	1	Triac		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3052FM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,15 V	60 mA	7500VPK	600 V		280 µA (TYP)								Non	1kV / µs	10m	-
H11N2	-	RFQ	3103	onsemi	-	Sac	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11N	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	5 MHz	-		1,4 V	5ma	7500 VRM				1/0	-	330ns, 330ns

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Optoisolators (3111)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²