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Optoisolators (3111)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
H11AA1VM	0,9400	RFQ	990	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11AA	AC, DC		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,17 V	60 mA	4170vrms							20% @ 10mA	-	-	400 mV
MCT5211300	-	RFQ	5326	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	Mct5	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT5211300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,25 V	50 mA	5300 VRM							150% à 1,6mA	-	14 µs, 2,5 µs	400 mV
H11N13SD	-	RFQ	4743	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11N	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	5 MHz	-		1,4 V	3,2 ma	7500 VRM				1/0	-	330ns, 330ns
FODM2701BR2	-	RFQ	8505	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM27	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	80m		3 µs, 3µs	40V	1,4 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	300% @ 5mA	-	300 mV
HCPL2630	3.2700	RFQ	5812	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	HCPL2630	Dc		2	Collectionner OUVER	4,5 V ~ 5,5 V	8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,4 V	30m	2500 VRM				2/0	10kV / µs (type)	75ns, 75ns
MOC5007SM	-	RFQ	1814	onsemi	GlobalOptOisolator ™	Sac	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC500	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	1 MHz	-		-	1,6 mA	7500VPK				1/0	-	-
HMA121FR1V	-	RFQ	8936	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	HMA121	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							100% @ 5mA	600% @ 5mA	-	400 mV
HMAA2705V	-	RFQ	3776	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	HMAA27	AC, DC		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	80m		3 µs, 3µs	40V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	300% @ 5mA	-	300 mV
H11C2300	-	RFQ	6752	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11C		Ur, vde	1	SCR		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11C2300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,2 V	60 mA	5300 VRM	200 V	300 mA	-								Non	500 V / µs	20 mA	-
H11A817BSD	-	RFQ	7516	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	H11A	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A817BSD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,2 V	50 mA	5300 VRM							130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	200 MV
4N28SM	0,5900	RFQ	48	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N28	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							10% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
FODM121	0,7000	RFQ	86	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM12	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	100	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	400 mV
MOCD217M	1.1400	RFQ	534	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOCD217	Dc		2	Transistor		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1,05 V	60 mA	2500 VRM							100% @ 1mA	-	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
H11F3S	-	RFQ	7646	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11f	Dc		1	Mosfet		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11F3S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	15V	1,3 V	60 mA	5300 VRM							-	-	25 µs, 25 µs (max)	-
4N33	-	RFQ	9081	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	4N33	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,2 V	80 mA	5300 VRM							500% @ 10mA	-	5 µs, 100 µs (max)	1v
HMHA2801BV	-	RFQ	9035	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	HMHA28	Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	300 mV
CNY174W	-	RFQ	1430	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	CNY174	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY174W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM							160% @ 10mA	320% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
HMA121ER4V	-	RFQ	7325	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	HMA121	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							150% @ 5mA	300% @ 5mA	-	400 mV
FOD2741BV	1 9000	RFQ	993	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	FOD2741	Dc		1	Transistor		8 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50m		-	30V	1,5 V (max)		5000vrms							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
SL5504	-	RFQ	5849	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	SL5504	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SL5504S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	80V	1,23 V	100 mA	5300 VRM							25% @ 10mA	400% @ 10mA	50 µs, 150 µs (max)	400 mV
FOD2200T	-	RFQ	8655	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	FOD220	Dc		1	Trois états	4,5 V ~ 20V	8 MDIP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	25 mA	2,5 MBD	80ns, 25ns		1,4 V	10m	5000vrms				1/0	10kV / µs	300ns, 300ns
SL5504W	-	RFQ	1254	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	SL5504	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SL5504W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	80V	1,23 V	100 mA	5300 VRM							25% @ 10mA	400% @ 10mA	50 µs, 150 µs (max)	400 mV
MOC8108SD	-	RFQ	6003	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC810	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8108SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,15 V	100 mA	5300 VRM							250% @ 10mA	600% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
MOC3061SM	1.6200	RFQ	32	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC306		Ul	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3061SM-NDR	EAR99	8541.49.8000	50					1,3 V	60 mA	4170vrms	600 V		500 µA (TYP)								Oui	600 V / µs	15m	-
MOCD213R1VM	-	RFQ	2935	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOCD21	Dc		2	Transistor		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		1,6 µs, 2,2 µs	70V	1,25 V	60 mA	2500 VRM							100% @ 10mA	-	3µs, 2,8 µs	400 mV
MOC3023SM	0 7700	RFQ	7094	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC302		Ul	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,15 V	60 mA	4170vrms	400 V		100 µA (TYP)								Non	-	5ma	-
CNY171300	-	RFQ	1430	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	CNY171	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM							40% @ 10mA	80% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
FODM121R2V	0 7700	RFQ	2	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM121	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	400 mV
4N283SD	-	RFQ	6916	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N28	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N283SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM							10% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
MOC3041FVM	-	RFQ	9618	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC304		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3041FVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	400 V		400 µA (TYP)								Oui	-	15m	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Optoisolators (3111)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²