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Optoisolators (1738)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Nombre de Canaux Type de sortie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS Grade Qualification
TLP292-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-Gb, E 1.7900
RFQ
 ECAD 6099 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4-tpl, e 0,5400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP3902(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp3902 (tpl, u, f) 1.0712
RFQ
 ECAD 2518 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP3902 Dc 1 Photovoltaïque 6 MFSOP, 4 Avance télécharger Rohs conforme Tlp3902 (tpluf) EAR99 8541.49.8000 3 000 5µA - 7v 1,15 V 50 mA 2500 VRM - - 600 µs, 2 ms -
TLP371(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp371 (lf1, f) -
RFQ
 ECAD 5901 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète Tlp371 - 1 (illimité) 264-TLP371 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP552(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 3526 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP552 - 1 (illimité) 264-TLP552 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2531(QCPL4532,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (QCPL4532, F -
RFQ
 ECAD 4357 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP2531 Dc 2 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP2531 (QCPL4532F EAR99 8541.49.8000 1 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200ns, 300ns -
TLP620-4(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 1651 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 16 mm TLP620 AC, DC 4 Transistor 16 mm télécharger 264-TLP620-4 (D4-LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP513(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP513 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 2728 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP513 - 1 (illimité) 264-TLP513 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (TP, SE 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLX9185(TOJ2GBTF(O Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9185 (toj2gbtf (o -
RFQ
 ECAD 3905 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLX9185 Dc 1 Transistor 6-SOP - 264-TLX9185 (TOJ2GBTF (O EAR99 8541.49.8000 1 50m 3 µs, 5 µs 80V 1,27 V 30 mA 3750 VRM 20% @ 5mA 600% @ 5mA 5 µs, 5 µs 400 mV
TLX9906(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9906 (TPL, F 4.0500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLX9906 Dc 1 Photovoltaïque 6-SOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 - - 7v 1,65 V 30 mA 3750 VRM - - 200 µs, 200µs - Automobile AEC-Q101
TLP120(GR-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GR-TP, F) -
RFQ
 ECAD 9211 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP120 AC, DC 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP120 (GR-TPF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLX9185(KBDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (KBDGBTLF (O -
RFQ
 ECAD 8129 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLX9185 Dc 1 Transistor 6-SOP - 264-TLX9185 (KBDGBTLF (O EAR99 8541.49.8000 1 50m 3 µs, 5 µs 80V 1,27 V 30 mA 3750 VRM 20% @ 5mA 600% @ 5mA 5 µs, 5 µs 400 mV
TLP731(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (Gr, F) -
RFQ
 ECAD 7253 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP731 - 1 (illimité) 264-TLP731 (GRF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2531(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (TP1, F) -
RFQ
 ECAD 8249 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP2531 Dc 2 Base de transistor AVEC 8 mm télécharger 264-TLP2531 (TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200ns, 300ns -
TLP785(BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (BLL-TP6, F -
RFQ
 ECAD 3089 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP785 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (BLL-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP293-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (LGBTR, E 1.6300
RFQ
 ECAD 8340 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP293 Dc 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 500µA 600% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP292-4(V4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-TP, E 1.7900
RFQ
 ECAD 1944 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP759(D4MBIMT1J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4MBIMT1J, F -
RFQ
 ECAD 3454 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (D4MBIMT1JF EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP732(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (d4-grl, f) -
RFQ
 ECAD 7537 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP732 - 1 (illimité) 264-TLP732 (D4-GRLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP137(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (bv, f) -
RFQ
 ECAD 4856 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes TLP137 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 MFSOP, 5 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP137 (BVF) EAR99 8541.49.8000 50 50m 8 µs, 8 µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 200% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP292-4(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4, E 1.8100
RFQ
 ECAD 6387 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP293-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (LA-TR, E 1.6300
RFQ
 ECAD 7543 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP293 Dc 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% à 500 µA 600% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP624-2(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (LF5, F) -
RFQ
 ECAD 2717 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP624 - 1 (illimité) 264-TLP624-2 (LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP266J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (TPR, E 0,9000
RFQ
 ECAD 6709 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba TLP Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP266 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 1,27 V 30 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 600µA (TYP) Oui 200 V / µs 10m 30 µs
TLP626(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF2, F) -
RFQ
 ECAD 7360 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger 264-TLP626 (LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP293-4(V4LATRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4Latre 1.6400
RFQ
 ECAD 6745 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP293 Dc 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% à 500 µA 600% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP292(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292 (E 0,5600
RFQ
 ECAD 8892 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 175 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP759(J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (J, F) -
RFQ
 ECAD 5085 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Transistor 8 plombs télécharger Rohs conforme Non applicable TLP759 (JF) EAR99 8541.49.8000 50 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - 200ns, 300ns -
TLP291(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (E) -
RFQ
 ECAD 1657 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP291 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 175 50m 4µs, 7µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 400% @ 5mA 7µs, 7µs 300 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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