RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Optoisolators (172)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
PC3H4AJ0001H	-	RFQ	9767	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-	-	-		-			-	-	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	10 500	-	-	-	-		-				-	-	-	-
PC123X8YUP0F	-	RFQ	1939	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m	4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms				100% @ 5mA	200% @ 5mA	-	200 MV
PC852XNNSZ1H	-	RFQ	4946	Technologie Sharp / Socle	PC852X	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	5 000	150m	100 µs, 20 µs	350 V	1,2 V	50 mA	5000vrms				1000% @ 1mA	15000% @ 1mA	-	1,2 V
PC12311NSZ0X	-	RFQ	6412	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m	4 µs, 3µs	70V	1,2 V	10 mA	5000vrms				100% @ 500µA	250% à 500 µA	-	200 MV
PC357N9J000F	-	RFQ	6493	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	3750 VRM				130% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV
Pc817x7nip0f	-	RFQ	5712	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	30m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	5000vrms				200% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV
Pc3sd11ntzbh	-	RFQ	5410	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	PC3SD11		CSA, ur	1	Triac	À 4 plombes	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000vrms	600 V	100 mA	3,5 mA					Non	1kV / µs	7m	100 µs (max)
PC817X1NIP1B	-	RFQ	5904	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	6 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	-				-	-	-	200 MV
PC123X2YSZ1B	0 2274	RFQ	1632	Technologie Sharp / Socle	PC123	Tube	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	PC123X2	Dc		1	Transistor	À 4 plombes	télécharger	Rohs conforme			EAR99	8541.49.8000	100	20 mA	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	5000vrms				50% @ 5mA	400% @ 5mA	-	200 MV
Pc817x2nip1b	-	RFQ	5338	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	6 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	-				-	-	-	200 MV
Pc123x5ysz0f	-	RFQ	3898	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m	4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms				200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	200 MV
Pc3sd21ntzdf	-	RFQ	4868	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes	PC3SD21		CSA, ur	1	Triac	6 plombs	-	Rohs conforme		425-2131-5	EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000vrms	600 V	100 mA	3,5 mA					Oui	1kV / µs	3MA	50 µs (max)
PC123X1YUP0F	-	RFQ	3614	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	-	Rohs conforme	2 (1 AN)		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m	4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms				50% @ 5mA	150% @ 5mA	-	200 MV
PC357N7J000F	-	RFQ	7881	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		Dc		1	Transistor	4 md	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	3750 VRM				200% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV
PC817X1CSZ9F	-	RFQ	4255	Technologie Sharp / Socle	PC817	Tube	Obsolète	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	télécharger		Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	5000vrms				50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV
Pc4sd21ntzdf	-	RFQ	6893	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes	PC4SD21		CSA, ur	1	Triac	6 plombs	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	425-2152-5	EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000vrms	800 V	100 mA	3,5 mA					Oui	500 V / µs	3MA	50 µs (max)
PC814X1CSZ9F	0,0940	RFQ	5960	Technologie Sharp / Socle	PC814X	Tube	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	-	Rohs conforme	Non applicable		OBSOLÈTE	0000.00.0000	100	50m	4 µs, 3µs	35V	1,2 V	50 mA	5000vrms				20% @ 1mA	300% @ 1mA	-	200 MV
Pc457l0yip0f	2.4200	RFQ	18	Technologie Sharp / Socle	OPIC ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes	PC457L0	Dc		1	Transistor	5 MFP	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000	8m	-	20V	1,7 V	25 mA	3750 VRM				19% @ 16mA	50% @ 16mA	200 ns, 400ns	-
PC357N4J000F	0,8200	RFQ	77	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	PC357	Dc		1	Transistor	4 minutes-plate	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	3750 VRM				300% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV
PC357N3J000F	0,8200	RFQ	100	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	PC357	Dc		1	Transistor	4 minutes-plate	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	3750 VRM				200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	200 MV
Pc4sd21yxpcf	-	RFQ	2731	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm	PC4SD21		CSA, UR, VDE	1	Triac	6 mm	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	1 000				1,2 V	50 mA	5000vrms	800 V	100 mA	3,5 mA					Oui	500 V / µs	5ma	50 µs (max)
Pc3h712nip0f	-	RFQ	9628	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)		Dc		1	Transistor	4 minutes-plate	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	10 mA	2500 VRM				200% à 500 µA	500% à 500 µA	-	200 MV
Pc4sd11yxpcf	-	RFQ	8392	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm	PC4SD11		CSA, UR, VDE	1	Triac	6 mm	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	1 000				1,2 V	50 mA	5000vrms	800 V	100 mA	3,5 mA					Non	50v / µs	5ma	100 µs (max)
PC3H7CJ0001H	-	RFQ	3676	Technologie Sharp / Socle	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-	-	-		-			-	-	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	10 500	-	-	-	-		-				-	-	-	-
Pc3sd21ntzdh	-	RFQ	5950	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes	PC3SD21		CSA, ur	1	Triac	6 plombs	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000vrms	600 V	100 mA	3,5 mA					Oui	1kV / µs	3MA	50 µs (max)
PC81712NSZ0X	-	RFQ	6484	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	10 mA	5000vrms				160% à 500 µA	400% à 500 µA	-	200 MV
PC123X8YSZ0F	-	RFQ	2476	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m	4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms				100% @ 5mA	200% @ 5mA	-	200 MV
PC817X2NSZ0F	-	RFQ	8882	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	5000vrms				130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	200 MV
PC3H712NIP1H	0,9100	RFQ	44	Technologie Sharp / Socle	PC3H71	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	PC3H712	Dc		1	Transistor	4 minutes-plate	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	3 500	500 µA	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	10 mA	2500 VRM				100% @ 500µA	700% à 500 µA	-	200 MV
Pc817xnnsz0f	-	RFQ	5703	Technologie Sharp / Socle	-	Tube	Abandonné à sic	-30 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Dc		1	Transistor	À 4 plombes	-	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m	4 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	5000vrms				50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Optoisolators (172)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²