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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS | Grade | Qualification |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ILQ621GB-X017T | 3.3100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 16 mm, Aile de Mouette | ILQ621 | Dc | 4 | Transistor | 16 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 50m | 2µs, 2µs | 70V | 1,15 V | 60 mA | 5300 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3µs, 2,3 µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
![]() | FODM121ER2 | - | ![]() | 4927 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | FODM12 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 80m | 3 µs, 3µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | - | 400 mV | ||||||||||||||||||
![]() | PS2565L1-1Y-VA | 1.4800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | PS2565 | AC, DC | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 559-PS2565L1-1Y-VA | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,17 V | 80 mA | 5000vrms | 80% @ 5mA | 400% @ 5mA | - | 300 mV | ||||||||||||||||
![]() | El816 (s1) (x) (td) -v | - | ![]() | 6438 | 0,00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | EL816 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 50m | 4 µs, 3µs | 80V | 1,2 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
![]() | TLP759F (D4FA1T4SJF | - | ![]() | 3610 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759F (D4FA1T4SJF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | PS2565-1 | - | ![]() | 8870 | 0,00000000 | Celoir | Népoc | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | AC, DC | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,17 V | 80 mA | 5000vrms | 80% @ 5mA | 400% @ 5mA | - | 300 mV | ||||||||||||||||||
4N35-560E | 0 2269 | ![]() | 9449 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | 4N35 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 100 mA | 3 µs, 3µs | 30V | 1,2 V | 60 mA | 3550 VRM | 100% @ 10mA | - | - | 300 mV | ||||||||||||||||||
![]() | TLP785F (D4GHT7, F | - | ![]() | 6227 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785F (D4GHT7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
![]() | HCPL-4503 # 020 | 1.6986 | ![]() | 7241 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL-4503 | Dc | 1 | Transistor | 8 plombs | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8m | - | 20V | 1,5 V | 25 mA | 5000vrms | 19% @ 16mA | 50% @ 16mA | 200ns, 600ns | - | |||||||||||||||||
TLP293-4 (4lgbtre | 1.6300 | ![]() | 1661 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP293 | Dc | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 500µA | 600% à 500 µA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||||
![]() | 6N136M | 0,2562 | ![]() | 8999 | 0,00000000 | Lite-on Inc. | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,400 ", 10,16 mm) | 6N136 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 8m | - | 20V | 1,4 V | 25 mA | 5000vrms | 19% @ 16mA | 50% @ 16mA | 100ns, 400ns | - | ||||||||||||||||||
![]() | LTV-846 | 0.9900 | ![]() | 43 | 0,00000000 | Lite-on Inc. | LTV-846 | Tube | Actif | -30 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | LTV-846 | Dc | 4 | Transistor | 16 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50m | 4 µs, 3µs | 80V | 1,2 V | 50 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
![]() | HCPL-5631 # 100 | 104.1626 | ![]() | 5721 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface, articulation de combat | Joint de Bout à 8 mmd | HCPL-5631 | Dc | 2 | Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ | 4,5 V ~ 5,5 V | 8 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10mbd | 35ns, 35ns | 1,5 V | 20 mA | 1500VDC | 2/0 | 1kV / µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||||
![]() | 140817140410 | 0 2900 | ![]() | 100 | 0,00000000 | Würth Elektronik | Wl-ocpt | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 3µs, 4µs | 35V | 1,24 V | 60 mA | 5000vrms | 300% @ 5mA | 600% @ 5mA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
![]() | ACPL-M61T-000E | 5.6200 | ![]() | 436 | 0,00000000 | Broadcom Limited | R²Couler ™ | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | ACPL-M61 | Dc | 1 | Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ | 4,5 V ~ 5,5 V | 5-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 mA | 10mbd | 24 ns, 10ns | 1,5 V | 20 mA | 4000vrms | 1/0 | 15kV / µs | 75ns, 75ns | Automobile | AEC-Q100 | |||||||||||||||
![]() | S2S3LB0F | - | ![]() | 3929 | 0,00000000 | Microélectronique Tranchante | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4 md | S2S3L | CSA, ur | 1 | Triac | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 1,2 V | 50 mA | 3750 VRM | 600 V | 50 mA | 3,5 mA | Non | 100V / µs | 5ma | 100 µs (max) | |||||||||||||||||||
![]() | Ps8501l3-ax | 4.4600 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Celoir | Népoc | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8m | - | 35V | 1,7 V | 25 mA | 5000vrms | 15% @ 16mA | - | 220ns, 350 n | - | ||||||||||||||||||
![]() | H11AA1M | 0,2500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) | AC, DC | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 535 | - | 10 µs, 10 µs (max) | 80V | 1,2 V | 60 mA | 5000vrms | 20% @ 10mA | - | 10 µs, 10 µs (max) | 400 mV | |||||||||||||||||||||
![]() | TLX9906 (TPL, F | 4.0500 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLX9906 | Dc | 1 | Photovoltaïque | 6-SOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | - | - | 7v | 1,65 V | 30 mA | 3750 VRM | - | - | 200 µs, 200µs | - | Automobile | AEC-Q101 | |||||||||||||||||
![]() | 4N29SM | 1.1100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | 4N29 | Dc | 1 | Darlington Avec la base | 6 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150m | - | 30V | 1,2 V | 80 mA | 4170vrms | 100% @ 10mA | - | 5 µs, 40 µs (max) | 1V | |||||||||||||||||
![]() | 4N38300 | - | ![]() | 7844 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4N38 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 4N38300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 100 mA | - | 80V | 1,15 V | 80 mA | 5300 VRM | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 1V | |||||||||||||||||
![]() | H11A817A | - | ![]() | 6252 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11A | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,2 V | 50 mA | 5300 VRM | 80% @ 5mA | 160% @ 5mA | - | 200 MV | ||||||||||||||||||
![]() | VO615C-2X019T | 0,2627 | ![]() | 7210 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 751-VO615C-2X019TTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 50m | 3 µs, 3µs | 80V | 1,35 V | 60 mA | 5300 VRM | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 6µs, 4µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
![]() | FODM8071R2 | 3.2000 | ![]() | 1446 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | FODM8071 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 3V ~ 5,5 V | 5 minutes | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 10 mA | 20 Mbps | 5,8ns, 5,3ns | 1,35 V | 20 mA | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||||
![]() | PC12310NSZ0F | - | ![]() | 9103 | 0,00000000 | Microélectronique Tranchante | - | Tube | Obsolète | -30 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 425-2071-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 4 µs, 3µs | 70V | 1,2 V | 10 mA | 5000vrms | 50% à 500 µA | 400% à 500 µA | - | 200 MV | |||||||||||||||||||
![]() | HCPL-053L-000E | 4.5600 | ![]() | 7370 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | HCPL-053 | Dc | 2 | Transistor | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 8m | - | 7v | 1,5 V | 25 mA | 3750 VRM | 19% @ 16mA | 50% @ 16mA | 200ns, 600ns | - | |||||||||||||||||
![]() | LDA201STR | - | ![]() | 5617 | 0,00000000 | Division des circuits Integrés ixys | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | LDA201 | Dc | 2 | Transistor | 8 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | - | - | 30V | 1,2 V | 1 mA | 3750 VRM | 33% @ 1mA | 1000% @ 1mA | 7µs, 20µs | 500 mV | |||||||||||||||||
![]() | 6N138 | - | ![]() | 9371 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | 6N138 | Dc | 1 | Darlington Avec la base | 8 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 60m | - | 7v | 1,4 V | 25 mA | 5300 VRM | 300% @ 1,6mA | - | 2µs, 2µs | - | ||||||||||||||||||
![]() | HCPL-4503 # 060 | - | ![]() | 8618 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Transistor | 8 plombs | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8m | - | 20V | 1,5 V | 25 mA | 3750 VRM | 19% @ 16mA | 50% @ 16mA | 200ns, 600ns | - | ||||||||||||||||||
![]() | HMA121BR2 | - | ![]() | 9660 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | HMA121 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 80m | 3 µs, 3µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | - | 400 mV |
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