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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
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![]() | 6N135SVM | 2.0400 | ![]() | 1163 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | 6N135 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8m | - | 20V | 1,45 V | 25 mA | 5000vrms | 7% @ 16mA | 50% @ 16mA | 230 ns, 450ns | - | |||||||||||||||
![]() | Tlp383 (d4gb-tl, e | 0,6100 | ![]() | 1349 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | Tlp383 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||
![]() | ILQ32-X001 | - | ![]() | 3713 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ILQ32 | Dc | 4 | Darlington | 16 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 125mA | - | 30V | 1,25 V | 60 mA | 5300 VRM | 500% @ 10mA | - | 15 µs, 30 µs | 1V | ||||||||||||||||
![]() | Ps2381-1y-l-ax | - | ![]() | 2180 | 0,00000000 | Celoir | Népoc | En gros | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 115 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | Dc | 1 | Transistor | 4 LSOP (2,54 mm) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | PS23811ylax | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50m | 4 µs, 5 µs | 80V | 1,1 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | - | 300 mV | |||||||||||||||
![]() | H11n2fm | - | ![]() | 1925 | 0,00000000 | onsemi | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 6 mm, Aile de Mouette | H11N | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 4V ~ 15V | 6 mm | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 50 mA | 5 MHz | 7,5ns, 12ns | 1,4 V | 30m | 4170vrms | 1/0 | - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||
![]() | Pc123x5ysz0f | - | ![]() | 3898 | 0,00000000 | Technologie Sharp / Socle | - | Tube | Abandonné à sic | -30 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 4 µs, 3µs | 70V | 1,2 V | 50 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
![]() | TLP785 (yh, f | - | ![]() | 8103 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (YHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | SFH617A-4X006 | 1.0300 | ![]() | 5782 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) | SFH617 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 4 000 | 50m | 2µs, 2µs | 70V | 1,35 V | 60 mA | 5300 VRM | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 3µs, 2,3 µs | 400 mV | |||||||||||||||
![]() | TLP2630 (LF1, F) | - | ![]() | 7720 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Tube | Obsolète | TLP2630 | - | 1 (illimité) | 264-TLP2630 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACPL-W483-060E | 1.9094 | ![]() | 9281 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) | ACPL-W483 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 30V | 6-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 mA | - | 6NS, 6NS | 1,5 V | 10m | 5000vrms | 1/0 | 30kV / µs | 120ns, 120ns | |||||||||||||||
![]() | HCPL-2219 # 300 | - | ![]() | 8569 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | Dc | 1 | Trois états | 4,5 V ~ 20V | Aile de Goéland à 8 tremblements | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 2,5 MBD | 55ns, 15ns | 1,5 V | 10m | 3750 VRM | 1/0 | 2,5 kV / µs | 300ns, 300ns | ||||||||||||||||
![]() | Pc713v0yszx | - | ![]() | 8401 | 0,00000000 | Microélectronique Tranchante | - | Tube | Obsolète | -25 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 425-1417-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50m | 4 µs, 3µs | 80V | 1,2 V | 50 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | - | 200 MV | |||||||||||||||
![]() | PS2701-1Y-F3-A | - | ![]() | 9011 | 0,00000000 | Celoir | Népoc | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 500 | 80m | 3 µs, 5 µs | 40V | 1,1 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 300% @ 5mA | - | 300 mV | ||||||||||||||||
![]() | CNY17F-2 | 0.4900 | ![]() | 31 | 0,00000000 | Lite-on Inc. | CNY17F | Tube | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY17 | Dc | 1 | Transistor | 6 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 150m | 5 µs, 5 µs | 70V | 1,45 V | 60 mA | 5000vrms | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | - | 300 mV | ||||||||||||||||
![]() | SL5583300W | - | ![]() | 7129 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) | SL5583 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | SL5583300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 100 mA | - | 50v | 1,2 V | 100 mA | 5300 VRM | 40% @ 10mA | 320% @ 10mA | 20 µs, 50 µs (max) | 400 mV | |||||||||||||||
MOC8111300 | - | ![]() | 6758 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MOC811 | Dc | 1 | Transistor | 6 plombs | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | MOC8111300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | - | 2 µs, 11 µs | 70V | 1,15 V | 90 mA | 5300 VRM | 20% @ 10mA | - | 3µs, 18µs | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | FODM1007 | - | ![]() | 8079 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | Dc | 1 | Transistor | 4-SOP | télécharger | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50m | 5,7 µs, 8,5 µs | 70V | 1,4 V | 50 mA | 5000vrms | 80% @ 5mA | 160% @ 5mA | - | 300 mV | |||||||||||||||||||
![]() | H11A2M | - | ![]() | 6606 | 0,00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) | H11A2 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 80V | 1,2 V | 60 mA | 5000vrms | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | VO2631-X007T | 3.4100 | ![]() | 865 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | VO2631 | Dc | 2 | Drainer à ciel ouvert | 4,5 V ~ 5,5 V | 8 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 50 mA | 10mbd | 23ns, 7ns | 1,42 V | 15m | 5300 VRM | 2/0 | 5kV / µs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
![]() | Apv2111vy | 1.6300 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Panasonic Electric Works | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 4 mm, plombes plombes | APV2111 | Dc | 1 | Photovoltaïque | 4-SSOP | télécharger | Rohs conforme | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 500 | 8µA | - | 8.2v | 1,15 V | 50 mA | 1500 VRM | - | - | 800 µs, 100 µs | - | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F (GRL-LF7, F) | - | ![]() | 3243 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP781F | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP781F (GRL-LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||
![]() | EL207 | - | ![]() | 7134 | 0,00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80V | 1,3 V | 60 mA | 3750 VRM | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||
![]() | CNY17F2W | - | ![]() | 6003 | 0,00000000 | onsemi | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) | CNY17 | Dc | 1 | Transistor | 6 plombs | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | CNY17F2W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 000 | 50m | 1 µs, 2µs | 70V | 1,35 V | 100 mA | 5300 VRM | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 2 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||
![]() | HCPL-270L-000E | 2.0800 | ![]() | 9287 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | HCPL-270 | Dc | 1 | Darlington | 8 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60m | - | 7v | 1,5 V | 20 mA | 3750 VRM | 300% @ 1,6mA | 2600% @ 1,6mA | 25 µs, 50 µs | - | |||||||||||||||
![]() | BRT21-H | - | ![]() | 5675 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | BRT21 | CQC, UL | 1 | Triac | 6 plombs | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 1,16 V | 60 mA | 5300 VRM | 400 V | 300 mA | 500 µA | Oui | 10kV / µs | 2MA | 35 µs | ||||||||||||||||
4N23ATX | - | ![]() | 5469 | 0,00000000 | TT Electronics / Optek Technology | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 125 ° C | Par le trou | To-78-6 Metal Can | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | To-78-6 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50m | 15 µs, 15 µs | 35V | 1,3 V (max) | 40 mA | 1000vdc | 60% @ 10mA | - | - | 300 mV | |||||||||||||||||
![]() | HCPL-J454-600E | 1.2966 | ![]() | 8405 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | HCPL-J454 | Dc | 1 | Transistor | 8 mm | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 8m | - | 20V | 1,59 V | 25 mA | 3750 VRM | 19% @ 16mA | 60% @ 16mA | 500ns, 800ns | - | |||||||||||||||
![]() | SFH6106-1 | 1.1200 | ![]() | 82 | 0,00000000 | Division Opto de Vishay Semi-conducteur | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | SFH6106 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 2266-sfh6106-1 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2µs, 2µs | 70V | 1,25 V | 60 mA | 5300 VRM | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 3µs, 2,3 µs | 400 mV | ||||||||||||||
![]() | ACPL-M62L-000E | 3.4400 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | ACPL-M62 | Dc | 1 | Drainer à ciel ouvert | 2,7 V ~ 5,5 V | 5-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 mA | 10mbd | 12ns, 12ns | 1,3 V | 8m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||
![]() | PS2561D-1Y-LA | 0.1906 | ![]() | 5938 | 0,00000000 | Celoir | Népoc | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | PS2561 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | PS2561d1yla | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50m | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,2 V | 40 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | - | 300 mV |
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