SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
SFH6316 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6316 -
RFQ
ECAD 4536 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SFH6316 Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 751-SFH6316 EAR99 8541.49.8000 100 8m - 25V 1,3 V 25 mA 4000vrms 19% @ 16mA 50% @ 16mA 600ns, 600ns -
PS2703-1-L-A CEL PS2703-1-LA -
RFQ
ECAD 9000 0,00000000 Celoir Népoc Tube Abandonné à sic -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins Dc 1 Transistor 4-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.49.8000 100 30m 10 µs, 10 µs 120 V 1,1 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 300 mV
PS9687L2-V-E3-A CEL PS9687L2-V-E3-A -
RFQ
ECAD 5718 0,00000000 Celoir Népoc Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 5,5 V Aile de Goéland à 8 tremblements télécharger 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.49.8000 1 000 25 mA 10Mbps 20ns, 10ns 1,65 V 30m 5000vrms 1/0 10kV / µs 75ns, 75ns
EL216 Everlight Electronics Co Ltd EL216 -
RFQ
ECAD 4316 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 100 - 1,6 µs, 2,2 µs 80V 1,3 V 60 mA 3750 VRM 50% @ 1mA - 3 µs, 3µs 400 mV
TLP385(GRL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (grl-tpr, e 0,5600
RFQ
ECAD 4446 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
PVI5033RSPBF Infineon Technologies PVI5033RSPBF 17.1500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies PVI Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette PVI5033 Dc 2 Photovoltaïque 8 mm télécharger Rohs3 conforme 4 (72 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 5µA - 10V - 40 mA 3750 VRM - - 2,5 ms, 500 µs (max) -
4N36M Fairchild Semiconductor 4n36m 0 1700
RFQ
ECAD 29 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger EAR99 8541.49.8000 1 767 - - 80V 1,2 V 60 mA 5000vrms 100% @ 10mA - 10 µs, 9µs 300 mV
SFH6325-X009 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6325-X009 -
RFQ
ECAD 2359 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette SFH6325 Dc 2 Transistor 8 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 000 8m - 25V 1,33 V 25 mA 5300 VRM 7% @ 16mA - 300ns, 600ns -
FOD8001R2 Fairchild Semiconductor FOD8001R2 1 0000
RFQ
ECAD 3438 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -40 ° C ~ 105 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Logique 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC télécharger EAR99 8541.49.8000 1 10 mA 25 Mbps 6,5 ns, 6,5 n - - 3750 VRM 1/0 20kV / µs 40ns, 40ns
HCPL0701R1 onsemi HCPL0701R1 -
RFQ
ECAD 2741 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HCPL07 Dc 1 Darlington Avec la base 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 60m - 18V 1,25 V 20 mA 2500 VRM 500% @ 1,6mA 2600% @ 1,6mA 300ns, 1,6 µs -
CNY17G-1 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17G-1 0.1993
RFQ
ECAD 9583 0,00000000 Division Opto de Vishay Semi-conducteur - Tube Actif -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) CNY17 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2µs, 2µs 70V 1,25 V 60 mA 5000vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 3µs, 2,3 µs 400 mV
TLP781F(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BLL, F) -
RFQ
ECAD 8371 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (BLLF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
140816141110 Würth Elektronik 140816141110 0,3800
RFQ
ECAD 100 0,00000000 Würth Elektronik Wl-ocpt Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) Dc 1 Transistor 4-dip-m télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 732-140816141110 EAR99 8541.49.8000 100 50m 3µs, 4µs 80V 1,24 V 60 mA 5000vrms 80% @ 5mA 160% @ 5mA -
CNY17F4SM onsemi CNY17F4SM 0,8700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 onsemi - En gros Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette CNY17F4 Dc 1 Transistor 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 4µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 V 60 mA 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
OR-357PVG(A)-TP-G Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-357PVG (A) -TP-G 1 0000
RFQ
ECAD 3989 0,00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - Ruban Adhésif (tr) Actif - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 3 000
OR-6N136S-TA1 Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-6N136S-TA1 0,9300
RFQ
ECAD 3740 0,00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - Ruban Adhésif (tr) Actif - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1 000
PS9617-V-A CEL PS9617-VA -
RFQ
ECAD 2800 0,00000000 Celoir Népoc Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 5,5 V 8 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.49.8000 50 25 mA 10Mbps 20ns, 10ns 1,65 V 30m 5000vrms 1/0 15kV / µs 75ns, 75ns
TLP759(MBJ-IGM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (MBJ-IGM, J, F -
RFQ
ECAD 5035 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (MBJ-IGMJF EAR99 8541.49.8000 1 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
5962-8947701PA Broadcom Limited 5962-8947701PA 179.3868
RFQ
ECAD 6218 0,00000000 Broadcom Limited - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) 5962-8947701 AC, DC 1 Darlington 8 plombs télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 40m 10 µs, 0,5 µs 20V - 1500VDC - - 4µs, 8µs -
LDA212STR IXYS Integrated Circuits Division LDA212STR -
RFQ
ECAD 7934 0,00000000 Division des circuits Integrés ixys - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette LDA212 AC, DC 2 Darlington 8 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,2 V 1 mA 3750 VRM 300% @ 1mA 30000% @ 1MA 8 µs, 345µs 1V
EL3082S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3082S (TA) -V 0,7541
RFQ
ECAD 1404 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette EL3082 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 Triac 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 3903820012 EAR99 8541.49.8000 1 000 1,5 V (max) 60 mA 5000vrms 800 V 100 mA 280 µA (TYP) Oui 600 V / µs 10m -
H11A5VM onsemi H11A5VM -
RFQ
ECAD 8443 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11A Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 60 mA 7500VPK 30% @ 10mA - 2µs, 2µs 400 mV
TLP627-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 3833 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP627 - 1 (illimité) 264-TLP627-2 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
HCPL2530V Fairchild Semiconductor HCPL2530V 1 0000
RFQ
ECAD 1824 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 2 Transistor 8 plombs télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.49.8000 1 000 8m - 20V 1,45 V 25 mA 2500 VRM 7% @ 16mA 50% @ 16mA 450ns, 500ns -
MOC8111W Fairchild Semiconductor MOC8111W 0,1100
RFQ
ECAD 8432 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) Dc 1 Transistor 6 plombs télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.49.8000 2 000 - 2 µs, 11 µs 70V 1,15 V 90 mA 5300 VRM 20% @ 10mA - 3µs, 18µs 400 mV
OR-355-TP-G Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-355-TP-G 0,5600
RFQ
ECAD 5098 0,00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - Ruban Adhésif (tr) Actif - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 3 000
CNY17F3VM onsemi CNY17F3VM 0,7100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 onsemi - En gros Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) CNY17F3 Dc 1 Transistor 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 4µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
EL817(S1)(B)(TU)-V Everlight Electronics Co Ltd El817 (s1) (b) (tu) -v -
RFQ
ECAD 1585 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins EL817 Dc 1 Transistor 4 md télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 50m 4 µs, 3µs 35V 1,2 V 60 mA 5000vrms 130% @ 5mA 260% @ 5mA - 200 MV
TLP372(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp372 (lf1, f) -
RFQ
ECAD 9841 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète Tlp372 - 1 (illimité) 264-TLP372 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
MCT5211TVM onsemi MCT5211TVM 0,6163
RFQ
ECAD 2966 0,00000000 onsemi - En gros Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) MCT5211 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 150m - 30V 1,25 V 50 mA 4170vrms 150% à 1,6mA - 14 µs, 2,5 µs 400 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock