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Isolatheurs (3348)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Courant - Sortie Maximale Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) Tension - alimentation de sortie Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
CNY17F33SD onsemi CNY17F33SD -
RFQ
 ECAD 1999 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette CNY17 Dc 1 Transistor 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNY17F33SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 1 µs, 2µs 70V 1,35 V 100 mA 5300 VRM 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3µs 300 mV
MOC206VM onsemi MOC206VM -
RFQ
 ECAD 3279 0,00000000 onsemi - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOC206 Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 3 000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1,15 V 60 mA 2500 VRM 63% @ 10mA 125% @ 10mA 7,5 µs, 5,7 µs 400 mV
MCT2202300 onsemi MCT2202300 -
RFQ
 ECAD 9311 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) Mct2 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MCT2202300-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 30V 1,25 V 100 mA 5300 VRM 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2µs, 2µs 400 mV
MOC3010VM onsemi MOC3010VM 0,8900
RFQ
 ECAD 964 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC301 IEC / EN / DIN, UL 1 Triac 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 1,15 V 60 mA 4170vrms 250 V 100 µA (TYP) Non - 15m -
FOD250LS onsemi FOD250LS -
RFQ
 ECAD 4897 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette FOD250 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 8m - 7v 1,45 V 25 mA 5000vrms 15% @ 16mA 50% @ 16mA 1 µs, 1 µs (max) -
HMA121FR1 onsemi HMA121FR1 -
RFQ
 ECAD 6372 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins HMA121 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 80m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA - 400 mV
MOC8020300 onsemi MOC8020300 -
RFQ
 ECAD 4425 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC802 Dc 1 Darlington 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC8020300-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 150mA - 50v 1,15 V 60 mA 5300 VRM 500% @ 10mA - 3,5 µs, 95 µs 2V
MOC3023FM onsemi MOC3023FM -
RFQ
 ECAD 8359 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète - Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC302 - 1 Triac 6 mm - 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC3023FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - 60 mA 7500VPK 400 V 100 µA (TYP) Non - 5ma -
MCT5210SM onsemi MCT5210SM 1.5800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MCT5210 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 150mA - 30V 1,25 V 50 mA 4170vrms 70% @ 3mA - 10 µs, 400ns 400 mV
HMA121AR1 onsemi HMA121AR1 -
RFQ
 ECAD 8238 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins HMA121 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 80m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA - 400 mV
FOD2743ATV onsemi FOD2743ATV -
RFQ
 ECAD 7357 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,400 ", 10,16 mm) FOD274 Dc 1 Transistor 8 MDIP télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 70V 1.07 V 5000vrms 50% @ 1mA 100% @ 1mA - 400 mV
6N137VM onsemi 6N137VM 1.8400
RFQ
 ECAD 551 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) 6N137 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 5,5 V 8 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 30ns, 10ns 1,45 V 50m 5000vrms 1/0 10kV / µs (type) 75ns, 75ns
H11L1W onsemi H11L1W -
RFQ
 ECAD 5825 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète - Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) H11L Dc 1 Collectionner OUVER - 6 plombs télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 MHz - - 1,6 mA 5300 VRM 1/0 - -
4N37300 onsemi 4N37300 -
RFQ
 ECAD 3961 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N37 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 4N37300-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 100 mA 5300 VRM 100% @ 10mA - 2µs, 2µs 300 mV
H11F23SD onsemi H11F23SD -
RFQ
 ECAD 3972 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11f Dc 1 Mosfet 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11F23SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,3 V 60 mA 5300 VRM - - 25 µs, 25 µs (max) -
NCP51560BBDWR2G onsemi NCP51560BBDWR2G 3.8800
RFQ
 ECAD 888 0,00000000 onsemi Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) Magnétique du couplage CQC, UL, VDE 2 16 ans télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 1 000 2.6a, 7a 4.5A, 9A 11NS, 10NS - 5000vrms 200v / ns 60ns, 60ns 5n 9.5V ~ 30V
MOC3061M onsemi MOC3061M 1.0500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC306 Ul 1 Triac 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 1,3 V 60 mA 4170vrms 600 V 500 µA (TYP) Oui 600 V / µs 15m -
HCPL0661 onsemi HCPL0661 -
RFQ
 ECAD 9086 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HCPL06 Dc 2 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,75 V (max) 50m 3750 VRM 2/0 25kV / µs 75ns, 75ns
4N253SD onsemi 4N253SD -
RFQ
 ECAD 8288 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N25 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 4N253SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 100 mA 5300 VRM 20% @ 10mA - 2µs, 2µs 500 mV
MOC206R2M onsemi MOC206R2M 0,7500
RFQ
 ECAD 3686 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOC206 Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1,15 V 60 mA 2500 VRM 63% @ 10mA 125% @ 10mA 7,5 µs, 5,7 µs 400 mV
MOC8112S onsemi MOC8112 -
RFQ
 ECAD 8641 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC811 Dc 1 Transistor 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC8112S-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - 3µs, 14µs 70V 1,15 V 90 mA 5300 VRM 50% @ 10mA - 4,2 µs, 23 µs 400 mV
MOCD207R1M onsemi MOCD207R1M -
RFQ
 ECAD 7618 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOCD20 Dc 2 Transistor 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 500 150mA 1,6 µs, 2,2 µs 70V 1,25 V 60 mA 2500 VRM 100% @ 10mA 200% @ 10mA 3µs, 2,8 µs 400 mV
HMHA281R3 onsemi HMHA281R3 -
RFQ
 ECAD 9213 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) HMHA28 Dc 1 Transistor 4 minutes-plate télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400 mV
MCT62SD onsemi MCT62SD 1.3100
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette MCT62 Dc 2 Transistor 8 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 30m - 30V 1,2 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA - 2,4 µs, 2,4 µs 400 mV
MOC3061SM onsemi MOC3061SM 1.6200
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC306 Ul 1 Triac 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC3061SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,3 V 60 mA 4170vrms 600 V 500 µA (TYP) Oui 600 V / µs 15m -
H11L2VM onsemi H11l2vm 1.8900
RFQ
 ECAD 987 0,00000000 onsemi - En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11L2 Dc 1 Collectionner OUVER 3V ~ 15V 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50 mA 1 MHz 100ns, 100ns 1,2 V 30m 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
FOD410TV onsemi FOD410TV 1.8543
RFQ
 ECAD 4259 0,00000000 onsemi - En gros Actif -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) FOD410 CSA, UL, VDE 1 Triac 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 1,25 V 30 mA 5000vrms 600 V 500 µA Oui 10kV / µs 2MA 60 µs
CNY173TM onsemi CNY173TM -
RFQ
 ECAD 7028 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) CNY173 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNY173TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 4µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
MOCD211R1M onsemi MOCD211R1M -
RFQ
 ECAD 8631 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOCD21 Dc 2 Transistor 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOCD211R1M-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1,25 V 60 mA 2500 VRM 20% @ 10mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400 mV
SL5501SD onsemi SL5501SD -
RFQ
 ECAD 2547 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette SL5501 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SL5501SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 100 mA - 30V 1,23 V 100 mA 5300 VRM 25% @ 10mA 400% @ 10mA 20 µs, 50 µs (max) 400 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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