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Isolatheurs (3348)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
H11C1SD	-	RFQ	8837	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11C		Ur	1	SCR		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11C1SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,2 V	60 mA	5300 VRM	200 V	300 mA	-								Non	500 V / µs	20 mA	-
CNY17F23SD	-	RFQ	1869	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY17	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY17F23SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM							63% @ 10mA	125% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
HCPL0600_F132	-	RFQ	8147	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL06	Dc		1	Collectionner OUVER	4,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,75 V (max)	50m	3750 VRM				1/0	5kV / µs	75ns, 75ns
FOD2711ASD	1.6800	RFQ	855	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	FOD2711	Dc		1	Transistor		8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,5 V (max)		5000vrms							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
FODM1008R2	0,6600	RFQ	6646	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM1008	Dc		1	Transistor		4-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m		5,7 µs, 8,5 µs	70V	1,4 V	50 mA	5000vrms							130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	300 mV
4n28fvm	-	RFQ	4583	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N28	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4n28fvm-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK							10% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
MOC5008FM	-	RFQ	9762	onsemi	GlobalOptOisolator ™	Sac	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC500	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	1 MHz	-		-	1,6 mA	7500VPK				1/0	-	-
H11AA1300	-	RFQ	8463	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A	AC, DC		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	-	400 mV
CNY172SVM	0,9400	RFQ	2869	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY172	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms							63% @ 10mA	125% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
MOC3041M	1.0700	RFQ	3	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC304		Ul	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,25 V	60 mA	4170vrms	400 V		400 µA (TYP)								Oui	1kV / µs	15m	-
TIL113W	-	RFQ	5093	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	TIL113	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	TIL113W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							300% @ 10mA	-	350 ns, 55 µs	1,25 V
MOC8112SD	-	RFQ	7565	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC811	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8112SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		3µs, 14µs	70V	1,15 V	90 mA	5300 VRM							50% @ 10mA	-	4,2 µs, 23 µs	400 mV
4N29W	-	RFQ	9570	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	4N29	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N29W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,2 V	80 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	-	5 µs, 40 µs (max)	1V
MOC3081SM	1.4400	RFQ	6281	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC308		Ul	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3081SM-NDR	EAR99	8541.49.8000	50					1,3 V	60 mA	4170vrms	800 V		500 µA (TYP)								Oui	600 V / µs	15m	-
MOCD207R1M_F132	-	RFQ	4774	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOCD20	Dc		2	Transistor		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		1,6 µs, 2,2 µs	70V	1,25 V	60 mA	2500 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	3µs, 2,8 µs	400 mV
CNY173VM	0,7500	RFQ	1	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	CNY173	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	CNY173VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms							100% @ 10mA	200% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
HCPL2503SD	-	RFQ	6039	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	HCPL25	Dc		1	Base de transistor AVEC		8 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							12% @ 16mA	-	450ns, 300ns	-
MOC3061FM	-	RFQ	4743	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC306		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3061FM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	600 V		500 µA (TYP)								Oui	-	15m	-
HMA121DR2V	-	RFQ	7955	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	HMA121	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	100% @ 5mA	-	400 mV
MOC5008M	-	RFQ	3272	onsemi	GlobalOptOisolator ™	Tube	Obsolète	-	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC500	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC5008-M	EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	1 MHz	-		-	4MA	7500VPK				1/0	-	-
H11A2300W	-	RFQ	8182	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A2300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
HMHA2801BR4	-	RFQ	3093	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	HMHA28	Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	50m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	300 mV
FOD2742BR1	-	RFQ	6841	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FOD274	Dc		1	Transistor		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	70V	1,2 V		2500 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
MOC8100SVM	-	RFQ	4458	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC810	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8100SVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		2µs, 2µs	30V	1,2 V	60 mA	7500VPK							30% @ 1MA	-	20 µs, 20 µs (max)	500 mV
MOC81033SD	-	RFQ	7043	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC810	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC81033SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	30V	1,15 V	100 mA	5300 VRM							108% @ 10mA	173% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
MOC8103	-	RFQ	8704	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC810	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8103-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	30V	1,15 V	100 mA	5300 VRM							108% @ 10mA	173% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
HCPL2611	-	RFQ	5278	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	HCPL2611	Dc		1	Collectionner OUVER	4,5 V ~ 5,5 V	8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,4 V	50m	2500 VRM				1/0	10kV / µs	75ns, 75ns
MOC3081M	1.0700	RFQ	260	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC308		Ul	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,3 V	60 mA	4170vrms	800 V		500 µA (TYP)								Oui	600 V / µs	15m	-
6N139VM	1.9800	RFQ	1	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	6N139	Dc		1	Darlington Avec la base		8 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	60m		-	18V	1,3 V	20 mA	5000vrms							500% @ 1,6mA	-	240ns, 1,3 µs	-
MOC20R1M	-	RFQ	9630	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC205	Dc		1	Base de transistor AVEC		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC205R1M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1,15 V	60 mA	2500 VRM							40% @ 10mA	80% @ 10mA	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Isolatheurs (3348)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²