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Isolatheurs (3348)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
74OL6000	-	RFQ	3428	onsemi	Optologic ™	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	74OL600	Logique		1	Push-pull, pôle totem	4,5 V ~ 5,5 V	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	40 mA	15MBD	45ns, 5ns		-	-	5300 VRM				1/0	5kV / µs	100ns, 100ns
FOD2711	-	RFQ	1983	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	FOD271	Dc		1	Transistor		8 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,5 V (max)		5000vrms							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
MOC3052TVM_F132	-	RFQ	7438	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MOC305		Ur, vde	1	Triac		6 plombs	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000					1,18 V	60 mA	4170vrms	600 V		220µA (TYP)								Non	1kV / µs	10m	-
HMHAA280R2	1.0100	RFQ	2946	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	HMHAA280	AC, DC		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	50m		3 µs, 3µs	80V	1,4 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	400 mV
MOC3083SM	1.3100	RFQ	970	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC308		Ul	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3083SM-NDR	EAR99	8541.49.8000	50					1,3 V	60 mA	4170vrms	800 V		500 µA (TYP)								Oui	600 V / µs	5ma	-
HCPL0601	3.2300	RFQ	2	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL06	Dc		1	Collectionner OUVER	4,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,75 V (max)	50m	3750 VRM				1/0	10kV / µs	75ns, 75ns
FODM8071R2	3.2000	RFQ	1446	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes	FODM8071	Dc		1	Push-pull, pôle totem	3V ~ 5,5 V	5 minutes	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	10 mA	20 Mbps	5,8ns, 5,3ns		1,35 V	20 mA	3750 VRM				1/0	20kV / µs	55ns, 55ns
FODM8801AR2	1.8600	RFQ	1955	onsemi	OptoHit ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	FODM8801	Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	30m		5 µs, 5,5 µs	75V	1,35 V	20 mA	3750 VRM							80% @ 1mA	160% @ 1mA	6µs, 6µs	400 mV
H11A617C300	-	RFQ	3829	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A	Dc		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,35 V	50 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
H11A617C	-	RFQ	9939	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A	Dc		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,35 V	50 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
FODM3022R4	-	RFQ	9696	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30		BSI, CSA, UL	1	Triac		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500					1,2 V	60 mA	3750 VRM	400 V	70 mA	300 µA (TYP)								Non	10V / µs (type)	10m	-
MOC3163M	1.9200	RFQ	4	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC316		Ul	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,3 V	60 mA	4170vrms	600 V		500 µA (TYP)								Oui	1kV / µs	5ma	-
H11N1300W	-	RFQ	4206	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11N	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	5 MHz	-		1,4 V	3,2 ma	7500 VRM				1/0	-	330ns, 330ns
H11A3FR2M	-	RFQ	9337	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
MCT5210SD	-	RFQ	2420	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	Mct5	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT5210SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,25 V	50 mA	5300 VRM							70% @ 3mA	-	10 µs, 400ns	400 mV
MOC8113300	-	RFQ	8116	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC811	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8113300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		3µs, 14µs	70V	1,15 V	90 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	-	4,2 µs, 23 µs	400 mV
H11d4s	-	RFQ	3820	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11d	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11d4s-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	200 V	1,15 V	80 mA	5300 VRM							10% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
4N333	-	RFQ	3544	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N33	Dc		1	Darlington Avec la base		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N333S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,2 V	80 mA	5300 VRM							500% @ 10mA	-	5 µs, 100 µs (max)	1V
6N137TSR2VM	2.3500	RFQ	8	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	6N137	Dc		1	Collectionner OUVER	4,5 V ~ 5,5 V	8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	700	50 mA	10Mbps	30ns, 10ns		1,45 V	50m	5000vrms				1/0	10kV / µs (type)	75ns, 75ns
MOC3081TVM	1 4000	RFQ	358	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MOC308		IEC / EN / DIN, UL	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	MOC3081TVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	50					1,3 V	60 mA	4170vrms	800 V		500 µA (TYP)								Oui	600 V / µs	15m	-
HCPL0453R1	-	RFQ	2570	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL04	Dc		1	Transistor		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							19% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 300ns	-
H11d23	-	RFQ	4892	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11d	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11d23s-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	300 V	1,15 V	80 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
FOD8173TR2	1.4543	RFQ	5568	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur)	FOD8173	Dc		1	Push-pull, pôle totem	3V ~ 5,5 V	6-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	10 mA	20 Mbps	7NS, 7NS		1,35 V	20 mA	5000vrms				1/0	20kV / µs	55ns, 55ns
FODM2701AV	-	RFQ	1624	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM27	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	80m		3 µs, 3µs	40V	1,4 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	300% @ 5mA	-	300 mV
4N36SR2M	0,6200	RFQ	2	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N36	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							40% @ 10mA	-	2µs, 2µs	300 mV
MOC3033SR2VM	-	RFQ	8366	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC303		IEC / EN / DIN, UL	1	Triac		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3033SR2VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,25 V	60 mA	4170vrms	250 V		400 µA (TYP)								Oui	1kV / µs	5ma	-
MCT5210W	-	RFQ	2800	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	Mct5	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT5210W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,25 V	50 mA	5300 VRM							60% @ 3mA	-	10 µs, 400ns	400 mV
H11A2TVM	-	RFQ	3867	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
H11AG1300	-	RFQ	1412	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AG1300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,5 V (max)	50 mA	5300 VRM							100% @ 1mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
MOC81113SD	-	RFQ	6116	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC811	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC81113SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		2 µs, 11 µs	70V	1,15 V	90 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	3µs, 18µs	400 mV

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Isolatheurs (3348)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²