SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Courant - Sortie Maximale Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) Tension - alimentation de sortie Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
MOC3011 onsemi MOC3011 -
RFQ
ECAD 1064 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC301 1 Triac 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5300 VRM 250 V 100 µA Non 10m
CNY173M onsemi CNY173M 0 7600
RFQ
ECAD 61 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) CNY173 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50m 4µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
CNY173FM onsemi CNY173FM -
RFQ
ECAD 8197 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette CNY173 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNY173FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 4µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
H11A5TVM onsemi H11A5TVM -
RFQ
ECAD 6994 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) H11A Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 60 mA 7500VPK 30% @ 10mA - 2µs, 2µs 400 mV
H11L1TVM_F132 onsemi H11l1tvm_f132 -
RFQ
ECAD 3394 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) H11L Dc 1 Collectionner OUVER 3V ~ 15V 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50 mA 1 MHz 100ns, 100ns 1,2 V 30m 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
H11AA2S onsemi H11AA2S -
RFQ
ECAD 8756 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11A AC, DC 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11AA2S-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,2 V 100 mA 5300 VRM 10% @ 10mA - - 400 mV
H11A817CW onsemi H11A817CW -
RFQ
ECAD 6042 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) H11A Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11A817CW-NDR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2,4 µs, 2,4 µs 70V 1,2 V 50 mA 5300 VRM 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200 MV
FODM3012R1 onsemi FODM3012R1 -
RFQ
ECAD 7582 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 1,2 V 60 mA 3750 VRM 250 V 70 mA 300 µA (TYP) Non 10V / µs (type) 5ma -
TIL117FM onsemi TIL117FM -
RFQ
ECAD 8574 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette TIL117 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté TIL117FM-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - 2µs, 2µs 30V 1,2 V 60 mA 7500VPK 50% @ 10mA - 10 µs, 10 µs (max) 400 mV
HCPL0701V onsemi HCPL0701V 1.3674
RFQ
ECAD 4116 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HCPL0701 Dc 1 Darlington Avec la base 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 3 000 60m - 18V 1,25 V 20 mA 2500 VRM 500% @ 1,6mA 2600% @ 1,6mA 300ns, 1,6 µs -
CNY17F2W onsemi CNY17F2W -
RFQ
ECAD 6003 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) CNY17 Dc 1 Transistor 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNY17F2W-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 1 µs, 2µs 70V 1,35 V 100 mA 5300 VRM 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3µs 300 mV
H11B23S onsemi H11b23 -
RFQ
ECAD 9342 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11b Dc 1 Darlington Avec la base 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11b23s-ndr EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 25V 1,2 V 100 mA 5300 VRM 200% @ 1mA - 25 µs, 18µs 1V
MOC8101SD onsemi MOC8101SD -
RFQ
ECAD 9442 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC810 Dc 1 Transistor 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC8101SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 1 µs, 2µs 30V 1,15 V 100 mA 5300 VRM 50% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
H11N1SR2M onsemi H11N1SR2M 7.4400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11N1 Dc 1 Collectionner OUVER 4V ~ 15V 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50 mA 5 MHz 7,5ns, 12ns 1,4 V 30m 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
H11F3W onsemi H11f3w -
RFQ
ECAD 2469 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) H11f Dc 1 Mosfet 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11f3w-ndr EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 15V 1,3 V 60 mA 5300 VRM - - 25 µs, 25 µs (max) -
FOD2743CV onsemi FOD2743CV -
RFQ
ECAD 7830 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) FOD274 Dc 1 Transistor 8 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 70V 1.07 V 5000vrms 50% @ 1mA 100% @ 1mA - 400 mV
FODM1009 onsemi FODM1009 0,7300
RFQ
ECAD 14 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM10 Dc 1 Transistor 4-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 100 50m 5,7 µs, 8,5 µs 70V 1,4 V 50 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 300 mV
H11A617A onsemi H11A617A -
RFQ
ECAD 2369 0,00000000 onsemi - Boîte Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11A Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2,4 µs, 2,4 µs 70V 1,35 V 50 mA 5300 VRM 40% @ 10mA 80% @ 10mA - 400 mV
MOC8021W onsemi MOC8021W -
RFQ
ECAD 6778 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) MOC802 Dc 1 Darlington 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC8021W-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 150m - 50v 1,15 V 60 mA 5300 VRM 1000% @ 10mA - 3,5 µs, 95 µs 2V
H11AG3300W onsemi H11AG3300W -
RFQ
ECAD 2637 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) H11A Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11AG3300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 30V 1,5 V (max) 50 mA 5300 VRM 20% @ 1mA - 5 µs, 5 µs 400 mV
CNY172W onsemi CNY172W -
RFQ
ECAD 9469 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) CNY172 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNY172W-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 1 µs, 2µs 70V 1,35 V 100 mA 5300 VRM 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3µs 300 mV
NCV57001DWR2G onsemi NCV57001DWR2G 5.5900
RFQ
ECAD 6 0,00000000 onsemi Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) NCV57001 Capacitif de couplage Ul, vde 1 16 ans télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 1 000 7.8a, 7.1a - 10NS, 15NS - 1200 VRM 100kV / µs 90ns, 90ns - 0v ~ 24V
H11N1SVM onsemi H11N1SVM 6.9700
RFQ
ECAD 925 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11N1 Dc 1 Collectionner OUVER 4V ~ 15V 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz 7,5ns, 12ns 1,4 V 30m 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
FOD073LR1 onsemi FOD073LR1 -
RFQ
ECAD 1580 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FOD073 Dc 2 Darlington 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 500 60m - 7v 1,35 V 20 mA 2500 VRM 400% à 500 µA 7000% à 500 µA 5 µs, 25 µs -
H11AV1SVM onsemi H11av1svm -
RFQ
ECAD 2161 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11A Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11av1svm-ndr EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 70V 1,18 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA 300% @ 10mA 15 µs, 15 µs (max) 400 mV
FODM3051R4V onsemi FODM3051R4V -
RFQ
ECAD 1778 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 1,2 V 60 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 300 µA (TYP) Non 1kV / µs 15m -
MOC3073SM onsemi MOC3073SM 1.7800
RFQ
ECAD 496 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC307 Ul 1 Triac 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 1,18 V 60 mA 4170vrms 800 V 540 µA (TYP) Non 1kV / µs 6MA -
HCPL3700W onsemi HCPL3700W -
RFQ
ECAD 7159 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,400 ", 10,16 mm) HCPL37 AC, DC 1 Darlington 8 MDIP télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 30m 45 µs, 0,5 µs 20V - 2500 VRM - - 6µs, 25 µs -
FODM3010R1V onsemi FODM3010R1V -
RFQ
ECAD 6560 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 1,2 V 60 mA 3750 VRM 250 V 70 mA 300 µA (TYP) Non 10V / µs (type) 15m -
FODM453R1V onsemi FODM453R1V -
RFQ
ECAD 4317 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes FODM45 Dc 1 Transistor 5 minutes télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 8m - 20V 1,6 V 25 mA 3750 VRM 20% @ 16mA 50% @ 16mA 400ns, 350ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock