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Isolatheurs (3348)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Type de canal	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Puisance Isorée	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Distorsion de la grandeur d'impulsion (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
FOD063L	-	RFQ	7478	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		FOD063	Dc			2	Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ	2,7 V ~ 3,3 V	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10Mbps		-		1,75 V (max)	50m	3750 VRM					2/0	25kV / µs	90ns, 75ns
FOD2711A	0,6233	RFQ	6994	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)		FOD2711	Dc			1	Transistor		8 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m			-	30V	1,5 V (max)		5000vrms									100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
MCT61	1.0100	RFQ	3	onsemi	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)		MCT61	Dc			2	Transistor		8 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	30m			-	30V	1,2 V	60 mA	5000vrms									50% @ 5mA	-	2,4 µs, 2,4 µs	400 mV
H11b1m	0 7600	RFQ	470	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)		H11b1	Dc			1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	150m			-	30V	1,2 V	80 mA	4170vrms									500% @ 1mA	-	25 µs, 18µs	1v
Ncid9410r2	4.2718	RFQ	2846	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	I²c, spi	Ncid9410		Capacitif de couplage		4		2,5 V ~ 5,5 V	16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	488-ncid9410r2tr	EAR99	8542.39.0001	750		10Mbps	Unidirectionnel	3NS, 2NS				5000vrms				Non	3/1	100kV / µs	170ns, 170ns	70ns
MOC3081TVM	1 4000	RFQ	358	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)		MOC308			IEC / EN / DIN, UL	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	MOC3081TVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	50						1,3 V	60 mA	4170vrms	800 V		500 µA (TYP)										Oui	600 V / µs	15m	-
H11A2300W	-	RFQ	8182	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)		H11A	Dc			1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A2300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-			-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM									20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
FOD4218SD	6.1800	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		FOD4218			cul, fimko, ul	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000						1,28 V	30 mA	5000vrms	800 V		500 µA										Non	10kV / µs	1,3 mA	60 µs
CNY17F2VM	0,3095	RFQ	4226	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)		CNY17F2	Dc			1	Transistor		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m			4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms									63% @ 10mA	125% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
FODM3023V	-	RFQ	1728	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		FODM30			BSI, CSA, UL, VDE	1	Triac		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000						1,2 V	60 mA	3750 VRM	400 V	70 mA	300 µA (TYP)										Non	10V / µs (type)	5ma	-
CNY17F2SVM	0 2223	RFQ	3373	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		CNY17F2	Dc			1	Transistor		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m			4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms									63% @ 10mA	125% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
H11av2fvm	-	RFQ	7570	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		H11A	Dc			1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11av2fvm-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-			-	70V	1,18 V	60 mA	7500VPK									50% @ 10mA	-	15 µs, 15 µs	400 mV
MOC81123SD	-	RFQ	5700	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		MOC811	Dc			1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC81123SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-			3µs, 14µs	70V	1,15 V	90 mA	5300 VRM									50% @ 10mA	-	4,2 µs, 23 µs	400 mV
H11A13	-	RFQ	9597	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		H11A	Dc			1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A13S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-			-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM									50% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
H11N23SD	-	RFQ	7964	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		H11N	Dc			1	Collectionner OUVER	-	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	5 MHz		-		1,4 V	5ma	7500 VRM					1/0	-	330ns, 330ns
H11AG1S	-	RFQ	9361	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		H11A	Dc			1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AG1S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m			-	30V	1,5 V (max)	50 mA	5300 VRM									100% @ 1mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
H11A617A3SD	-	RFQ	6050	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		H11A	Dc			1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m			2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,35 V	50 mA	5300 VRM									40% @ 10mA	80% @ 10mA	-	400 mV
CNY17F3W	-	RFQ	3785	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)		CNY17	Dc			1	Transistor		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY17F3W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m			1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM									100% @ 10mA	200% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
MOC3033SR2VM	-	RFQ	8366	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		MOC303			IEC / EN / DIN, UL	1	Triac		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3033SR2VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000						1,25 V	60 mA	4170vrms	250 V		400 µA (TYP)										Oui	1kV / µs	5ma	-
MOC3021FM	-	RFQ	2681	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		MOC302			-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3021FM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000						-	60 mA	7500VPK	400 V		100 µA (TYP)										Non	-	15m	-
FODM3010R1V	-	RFQ	6560	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins		FODM30			BSI, CSA, UL, VDE	1	Triac		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000						1,2 V	60 mA	3750 VRM	250 V	70 mA	300 µA (TYP)										Non	10V / µs (type)	15m	-
MOC5009SR2VM	-	RFQ	9411	onsemi	GlobalOptOisolator ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		MOC500	Dc			1	Collectionner OUVER	-	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	1 MHz		-		-	10m	7500VPK					1/0	-	-
H11G13SD	-	RFQ	2482	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		H11G	Dc			1	Darlington Avec la base		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11G13SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-			-	100V	1,3 V	60 mA	5300 VRM									1000% @ 10mA	-	5 µs, 100 µs	1v
H11A817A300	-	RFQ	6096	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		H11A	Dc			1	Transistor		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A817A300-NDR	EAR99	8541.49.8000	2 000	50m			2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,2 V	50 mA	5300 VRM									80% @ 5mA	160% @ 5mA	-	200 MV
H11A5S	-	RFQ	9132	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		H11A	Dc			1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-			-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM									30% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
H11L3VM	1.7100	RFQ	234	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)		H11L3	Dc			1	Collectionner OUVER	3V ~ 15V	6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	1 MHz		100ns, 100ns		1,2 V	30m	4170vrms					1/0	-	4µs, 4µs
CNX36U300	-	RFQ	8172	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Cnx36	Dc			1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNX36U300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA			-	30V	1,15 V	100 mA	5300 VRM									80% @ 10mA	200% @ 10mA	20 µs, 20 µs	400 mV
HCPL2531SDVM	2.4400	RFQ	4320	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette		HCPL2531	Dc			2	Transistor		8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m			-	20V	1,45 V	25 mA	5000vrms									19% @ 16mA	50% @ 16mA	250ns, 260ns	-
FODM217A	0,7400	RFQ	2637	onsemi	FODM217	Tube	Actif	-55 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)		FODM217	Dc			1	Transistor		4-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	100	50m			2 µs, 3µs	80V	1,2 V	50 mA	3750 VRM									80% @ 5mA	160% @ 5mA	3 µs, 3µs	400 mV
4N26SR2VM	-	RFQ	7670	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette		4N26	Dc			1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N26SR2VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-			-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms									20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Isolatheurs (3348)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²