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Isolatheurs (3348)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE	COURANT - Sortie / Canal	Courant - Sortie Maximale	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Distorsion de la grandeur d'impulsion (max)	Tension - alimentation de sortie	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
FOD070LR2	-	RFQ	1867	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FOD070	Dc			1	Darlington Avec la base	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500		60m		-	7v	1,35 V	20 mA	2500 VRM								400% à 500 µA	7000% à 500 µA	3 µs, 50 µs	-
4N393SD	-	RFQ	8775	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N39			Ur, vde	1	SCR	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N393SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000						1,1 V	60 mA	5300 VRM	200 V	300 mA	1 mA									Non	500 V / µs	30m	50 µs (max)
CNY174S	-	RFQ	2878	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY174	Dc			1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000		50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM								160% @ 10mA	320% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
FODM2701A	-	RFQ	9709	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM27	Dc			1	Transistor	4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000		80m		3 µs, 3µs	40V	1,4 V (max)	50 mA	3750 VRM								50% @ 5mA	300% @ 5mA	-	300 mV
MCT5210300W	-	RFQ	7541	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	Mct5	Dc			1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT5210300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000		150m		-	30V	1,25 V	50 mA	5300 VRM								70% @ 3mA	-	10 µs, 400ns	400 mV
CNW11AV2300	-	RFQ	4308	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	CNW11	Dc			1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50		100 mA		-	70V	-	100 mA	4000vrms								50% @ 10mA	-	-	400 mV
NCV57090CDWR2G	1.7066	RFQ	2547	onsemi	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	NCV57090		Capacitif de couplage	Vde	1		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	1 000	6.5a, 6.5a		6.5a	13ns, 13ns		-		5000vrms				100kV / µs	90ns, 90ns	-	0v ~ 32V
4N27FR2M	-	RFQ	5582	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N27	Dc			1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N27FR2M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000		-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK								10% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
FOD2711ASD	1.6800	RFQ	855	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	FOD2711	Dc			1	Transistor	8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000		50m		-	30V	1,5 V (max)		5000vrms								100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
TIL117FR2VM	-	RFQ	8794	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	TIL117	Dc			1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	TIL117FR2VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000		-		2µs, 2µs	30V	1,2 V	60 mA	7500VPK								50% @ 10mA	-	10 µs, 10 µs (max)	400 mV
H11A5FR2VM	-	RFQ	6805	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	Dc			1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000		-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK								30% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
H11av1vm	0,3474	RFQ	3799	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11av	Dc			1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000		-		-	70V	1,18 V	60 mA	4170vrms								100% @ 10mA	300% @ 10mA	15 µs, 15 µs (max)	400 mV
CNW83300	-	RFQ	9432	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	CNW83	Dc			1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50		100 mA		-	50v	-	100 mA	5900 VRM								0,4% @ 10mA	-	-	400 mV
MOC8111SD	-	RFQ	1367	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC811	Dc			1	Transistor	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8111SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000		-		2 µs, 11 µs	70V	1,15 V	90 mA	5300 VRM								20% @ 10mA	-	3µs, 18µs	400 mV
CNY174	-	RFQ	2561	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	CNY174	Dc			1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000		50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM								160% @ 10mA	320% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
H11A4300W	-	RFQ	4789	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11A	Dc			1	Base de transistor AVEC	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A4300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000		-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM								10% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
MOC8111	-	RFQ	1444	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC811	Dc			1	Transistor	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8111S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000		-		2 µs, 11 µs	70V	1,15 V	90 mA	5300 VRM								20% @ 10mA	-	3µs, 18µs	400 mV
MOC20R2VM	0,7300	RFQ	4059	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC205	Dc			1	Base de transistor AVEC	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500		150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1,15 V	60 mA	2500 VRM								40% @ 10mA	80% @ 10mA	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
H11G2300	-	RFQ	4137	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11G	Dc			1	Darlington Avec la base	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11G2300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000		-		-	80V	1,3 V	60 mA	5300 VRM								1000% @ 10mA	-	5 µs, 100 µs	1V
H11G2SR2M	1.0600	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11G2	Dc			1	Darlington Avec la base	6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000		-		-	80V	1,3 V	60 mA	4170vrms								1000% @ 10mA	-	5 µs, 100 µs	1V
H11AA3SD	-	RFQ	1588	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	AC, DC			1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AA3SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000		-		-	30V	1,2 V	100 mA	5300 VRM								50% @ 10mA	-	-	400 mV
4N35SR2VM	0,7800	RFQ	7962	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N35	Dc			1	Base de transistor AVEC	6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000		-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms								100% @ 10mA	-	2µs, 2µs	300 mV
MOC216VM	-	RFQ	6416	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC216	Dc			1	Base de transistor AVEC	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000		150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1.07 V	60 mA	2500 VRM								50% @ 1mA	-	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
NCD57255DR2G	4.4900	RFQ	2	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			Capacitif de couplage	Vde	2		16 ans	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	2 500	3.5a, 3.5a		3.5a, 6.5a	12NS, 10NS		-		2500 VRM				100kV / µs	80ns, 80ns	20ns	32v
MOC3062SR2M	1.3700	RFQ	192	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC306			Ul	1	Triac	6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000						1,3 V	60 mA	4170vrms	600 V		500 µA (TYP)									Oui	600 V / µs	10m	-
H11A617D300	-	RFQ	4313	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0 400 ", 10,16 mm)	H11A	Dc			1	Transistor	À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 000		50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,35 V	50 mA	5300 VRM								160% @ 10mA	320% @ 10mA	-	400 mV
MOC8050M	0,7400	RFQ	5567	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC8050	Dc			1	Darlington	6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50		150m		-	80V	1,18 V	60 mA	4170vrms								500% @ 10mA	-	8,5 µs, 95 µs	-
FOD053LR1	-	RFQ	4121	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FOD053	Dc			2	Transistor	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000		8m		-	7v	1,45 V	25 mA	2500 VRM								15% @ 16mA	50% @ 16mA	1 µs, 1 µs (max)	-
FODM3052	-	RFQ	4266	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30			BSI, CSA, UL	1	Triac	4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000						1,2 V	60 mA	3750 VRM	600 V	70 mA	300 µA (TYP)									Non	1kV / µs	10m	-
6N135	-	RFQ	1761	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	6N135	Dc			1	Base de transistor AVEC	8 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000		8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM								7% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 500ns	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Isolatheurs (3348)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²