SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
MOC3043FR2VM onsemi MOC3043FR2VM -
RFQ
ECAD 6846 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète - Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC304 - 1 Triac 6 mm - 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC3043FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - 60 mA 7500VPK 400 V 400 µA (TYP) Oui - 5ma -
CNY17F1TM onsemi CNY17F1TM -
RFQ
ECAD 5073 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) CNY17 Dc 1 Transistor 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 4µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 V 60 mA 4170vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
H11L1FR2VM onsemi H11L1FR2VM -
RFQ
ECAD 1838 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11L Dc 1 Collectionner OUVER 3V ~ 15V 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11L1FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50 mA 1 MHz 100ns, 100ns 1,2 V 30m 4170vrms 1/0 - 4µs, 4µs
H11C1S onsemi H11C1 -
RFQ
ECAD 1503 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11C Ur 1 SCR 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11C1S-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 1,2 V 60 mA 5300 VRM 200 V 300 mA - Non 500 V / µs 20 mA -
CNX39UW onsemi CNX39UW -
RFQ
ECAD 8005 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) CNX39 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNX39UW-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 100 mA - 30V 1,15 V 100 mA 5300 VRM 60% @ 10mA 100% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400 mV
MOC208M onsemi MOC208M -
RFQ
ECAD 7265 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOC208 Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 3,2 µs, 4,7 µs 70V 1,15 V 60 mA 2500 VRM 40% @ 10mA 125% @ 10mA 7,5 µs, 5,7 µs 400 mV
CNX36USD onsemi CNX36USD -
RFQ
ECAD 5464 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette Cnx36 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNX36USD-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 100 mA - 30V 1,15 V 100 mA 5300 VRM 80% @ 10mA 200% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400 mV
H11A3FVM onsemi H11a3fvm -
RFQ
ECAD 1782 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11A Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 60 mA 7500VPK 20% @ 10mA - 2µs, 2µs 400 mV
FOD410SV onsemi FOD410SV 2.0929
RFQ
ECAD 2507 0,00000000 onsemi - En gros Actif -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette FOD410 CSA, UL, VDE 1 Triac 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 1,25 V 30 mA 5000vrms 600 V 500 µA Oui 10kV / µs 2MA 60 µs
HMAA2705R3 onsemi HMAA2705R3 -
RFQ
ECAD 8053 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins HMAA27 AC, DC 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 80m 3 µs, 3µs 40V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 300% @ 5mA - 300 mV
HCPL0601R2 onsemi HCPL0601R2 3.4200
RFQ
ECAD 3 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HCPL0601 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,75 V (max) 50m 3750 VRM 1/0 10kV / µs 75ns, 75ns
HMA121CR2 onsemi HMA121CR2 -
RFQ
ECAD 9764 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins HMA121 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 80m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400 mV
4N35FVM onsemi 4n35fvm -
RFQ
ECAD 6857 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N35 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 4n35fvm-ndr EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 60 mA 7500VPK 100% @ 10mA - 2µs, 2µs 300 mV
H11AA3M onsemi H11AA3M -
RFQ
ECAD 6317 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11A AC, DC 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 30V 1,17 V 60 mA 7500VPK 50% @ 10mA - - 400 mV
HMA121R4 onsemi HMA121R4 -
RFQ
ECAD 5742 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins HMA121 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 80m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400 mV
TIL111FR2VM onsemi TIL111FR2VM -
RFQ
ECAD 4073 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette TIL111 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté TIL111FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 2MA 10 µs, 10 µs (max) 30V 1,2 V 60 mA 7500VPK - - - 400 mV
FODM3052R2V onsemi FODM3052R2V -
RFQ
ECAD 3382 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 1,2 V 60 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 300 µA (TYP) Non 1kV / µs 10m -
H11C63S onsemi H11C63 -
RFQ
ECAD 9435 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11C Ur, vde 1 SCR 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11C63S-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 1,2 V 60 mA 5300 VRM 400 V 300 mA - Non 500 V / µs 30m -
H11D2S onsemi H11d2 -
RFQ
ECAD 9318 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11d Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11d2s-ndr EAR99 8541.49.8000 1 000 100 mA - 300 V 1,15 V 80 mA 5300 VRM 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400 mV
MOC217R1VM onsemi MOC217R1VM -
RFQ
ECAD 6941 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOC217 Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 150m 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1.07 V 60 mA 2500 VRM 100% @ 10mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400 mV
FODM121BR2 onsemi FODM121BR2 0,5500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM121 Dc 1 Transistor 4 md télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 80m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 150% @ 5mA - 400 mV
H11B255 onsemi H11b255 -
RFQ
ECAD 9995 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11b Dc 1 Darlington Avec la base 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11b255-ndr EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 55V 1,2 V 100 mA 5300 VRM 100% @ 10mA - 25 µs, 18µs 1v
MOC5009M onsemi MOC5009M -
RFQ
ECAD 7798 0,00000000 onsemi GlobalOptOisolator ™ Tube Obsolète - Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC500 Dc 1 Collectionner OUVER - 6 plombs télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC5009-M EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 MHz - - 10m 7500VPK 1/0 - -
MOCD211R2VM onsemi MOCD211R2VM -
RFQ
ECAD 4740 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOCD21 Dc 2 Transistor 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 150m 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1,25 V 60 mA 2500 VRM 20% @ 10mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400 mV
FODM121ER1 onsemi FODM121ER1 -
RFQ
ECAD 4943 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM12 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 80m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400 mV
HMA121FR3 onsemi HMA121FR3 -
RFQ
ECAD 7086 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins HMA121 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 80m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA - 400 mV
CNY17F4SR2M onsemi CNY17F4SR2M 0,7900
RFQ
ECAD 6479 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette CNY17F4 Dc 1 Transistor 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 4µs, 3,5 µs (max) 70V 1,35 V 60 mA 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3µs 400 mV
MOC3063TM onsemi MOC3063TM -
RFQ
ECAD 6365 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) MOC306 Ul 1 Triac 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 1,3 V 60 mA 4170vrms 600 V 500 µA (TYP) Oui 600 V / µs 5ma -
MCT2201300 onsemi MCT2201300 -
RFQ
ECAD 5432 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) Mct2 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MCT2201300-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 30V 1,25 V 100 mA 5300 VRM 100% @ 10mA - 2µs, 2µs 400 mV
FODM8801B onsemi FODM8801B 1.7200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 onsemi OptoHit ™ Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) FODM8801 Dc 1 Transistor 4 minutes-plate télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté FODM8801BFS EAR99 8541.49.8000 100 30m 5 µs, 5,5 µs 75V 1,35 V 20 mA 3750 VRM 130% @ 1MA 260% @ 1MA 6µs, 6µs 400 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock