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Isolatheurs (3348)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
MOC3081VM	1.7600	RFQ	1	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC308		IEC / EN / DIN, UL	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000					1,3 V	60 mA	4170vrms	800 V		500 µA (TYP)								Oui	600 V / µs	15m	-
FODM1008	0,6300	RFQ	908	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM10	Dc		1	Transistor		4-SOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 000	50m		5,7 µs, 8,5 µs	70V	1,4 V	50 mA	5000vrms							130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	300 mV
FODM3012R1V	-	RFQ	8482	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30		BSI, CSA, UL, VDE	1	Triac		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000					1,2 V	60 mA	3750 VRM	250 V	70 mA	300 µA (TYP)								Non	10V / µs (type)	5ma	-
MCT5201SD	-	RFQ	5625	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	Mct5	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT5201SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		2,5 µs, 16 µs	30V	1,25 V	50 mA	5300 VRM							120% @ 5mA	-	3µs, 12 µs	400 mV
4N36TVM	-	RFQ	2410	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	4N36	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N36TVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							100% @ 10mA	-	2µs, 2µs	300 mV
H11AA4300	-	RFQ	9806	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A	AC, DC		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AA4300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	-	-	400 mV
MOC8103300W	-	RFQ	3058	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MOC810	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8103300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	30V	1,15 V	100 mA	5300 VRM							108% @ 10mA	173% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
FODM3051R1	-	RFQ	8785	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30		BSI, CSA, UL	1	Triac		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000					1,2 V	60 mA	3750 VRM	600 V	70 mA	300 µA (TYP)								Non	1kV / µs	15m	-
HMA121E	-	RFQ	6969	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	HMA121	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							150% @ 5mA	300% @ 5mA	-	400 mV
H11AA43SD	-	RFQ	1400	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	AC, DC		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AA43SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	-	-	400 mV
CNY173300	-	RFQ	5178	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	CNY173	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
H11A817C3SD	-	RFQ	1406	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	H11A	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A817C3SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,2 V	50 mA	5300 VRM							200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	200 MV
CNW11AV3	-	RFQ	1460	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNW11	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	100 mA		-	70V	-	100 mA	4000vrms							20% @ 10mA	-	-	400 mV
SL5511300W	-	RFQ	3303	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	SL5511	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SL5511300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	30V	1,23 V	100 mA	5300 VRM							25% @ 2mA	-	20 µs, 50 µs (max)	400 mV
HMHA281R3V	-	RFQ	2766	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	HMHA28	Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	400 mV
4N33	-	RFQ	1022	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N33	Dc		1	Darlington Avec la base		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N33S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,2 V	80 mA	5300 VRM							500% @ 10mA	-	5 µs, 100 µs (max)	1v
H11F3SM	4.3500	RFQ	1970	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11f	Dc		1	Mosfet		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	-		-	15V	1,3 V	60 mA	4170vrms							-	-	45µs, 45 µs (max)	-
HCPL0501R1	-	RFQ	5636	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL05	Dc		1	Base de transistor AVEC		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							19% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 300ns	-
4N29TVM	-	RFQ	2039	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	4N29	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,2 V	80 mA	4170vrms							100% @ 10mA	-	5 µs, 40 µs (max)	1v
4N26VM	-	RFQ	3970	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	4N26	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N26VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
FOD0738R1	-	RFQ	4974	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FOD073	Dc		2	Push-pull, pôle totem	4,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	500	2 mA	15MBD	12ns, 8ns		1,45 V	20 mA	2500 VRM				2/0	25kV / µs	60ns, 60ns
CNY174SD	-	RFQ	1722	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY174	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY174SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM							160% @ 10mA	320% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
MOC3052FM	-	RFQ	5365	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC305		Ur	1	Triac		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3052FM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,15 V	60 mA	7500VPK	600 V		280 µA (TYP)								Non	1kV / µs	10m	-
H11b1sm	0,9800	RFQ	160	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11b1	Dc		1	Darlington Avec la base		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	150m		-	30V	1,2 V	80 mA	4170vrms							500% @ 1mA	-	25 µs, 18µs	1v
MOC3051TVM	1.2200	RFQ	974	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MOC305		Ur, vde	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	MOC3051TVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,18 V	60 mA	4170vrms	600 V		220µA (TYP)								Non	1kV / µs	15m	-
Mct2esr2vm	0,9200	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	Mct2	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		2µs, 1,5 µs	30V	1,25 V	60 mA	7500VPK							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
MOC3012FM	-	RFQ	1619	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC301		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3012FM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	250 V		100 µA (TYP)								Non	-	5ma	-
FODM3022R2-NF098	1.6100	RFQ	2	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30		cur, ur	1	Triac		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500					1,2 V	60 mA	3750 VRM	400 V	70 mA	300 µA (TYP)								Non	10V / µs (type)	10m	-
H11G3	-	RFQ	4884	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11G	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	55V	1,3 V	60 mA	5300 VRM							200% @ 1mA	-	5 µs, 100 µs	1,2 V
H11AA1S	-	RFQ	2762	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	AC, DC		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AA1S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	-	400 mV

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Isolatheurs (3348)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²