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Isolatheurs (3348)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
CNW11AV1	-	RFQ	2281	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	CNW11	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	100 mA		-	70V	-	100 mA	4000vrms							100% @ 10mA	300% @ 10mA	-	400 mV
FODM453V	2.4900	RFQ	3	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes	FODM453	Dc		1	Transistor		5 minutes	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	8m		-	20V	1,6 V	25 mA	3750 VRM							20% @ 16mA	50% @ 16mA	400ns, 350ns	-
HCPL0630	-	RFQ	8216	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL06	Dc		2	Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ	4,5 V ~ 5,5 V	8-si haut	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,75 V (max)	50m	3750 VRM				2/0	-	75ns, 75ns
MOC20R2M	0 7700	RFQ	2	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC205	Dc		1	Base de transistor AVEC		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1,15 V	60 mA	2500 VRM							40% @ 10mA	80% @ 10mA	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
CNW138300	-	RFQ	4544	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	8-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	CNW13	Dc		1	Darlington Avec la base		8 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	40	60m		-	7v	-	100 mA	1000vrms							300% @ 1,6mA	-	-	-
MOC8020S	-	RFQ	7040	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC802	Dc		1	Darlington		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8020S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	50v	1,15 V	60 mA	5300 VRM							500% @ 10mA	-	3,5 µs, 95 µs	2V
H11A617DSD	-	RFQ	1209	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	H11A	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,35 V	50 mA	5300 VRM							160% @ 10mA	320% @ 10mA	-	400 mV
HCPL0637R2	3.9100	RFQ	5	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL0637	Dc		2	Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ	4,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	15 mA	10Mbps	17ns, 5ns		1,75 V (max)	-	3750 VRM				2/0	5kV / µs	75ns, 75ns
MOC8204300	-	RFQ	5724	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC820	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	2MA		-	400 V	1,2 V	60 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	5 µs, 5 µs	400 mV
FOD817ASD	0,6400	RFQ	5	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FOD817	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms							80% @ 5mA	160% @ 5mA	-	200 MV
CNY17F3SD	-	RFQ	7343	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY17	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY17F3SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
FODM2705R2	0,8000	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM2705	AC, DC		1	Transistor		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	80m		3 µs, 3µs	40V	1,4 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	300% @ 5mA	-	300 mV
MOC3031FVM	-	RFQ	4456	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC303		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3031FVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	250 V		400 µA (TYP)								Oui	-	15m	-
MCT2300W	-	RFQ	5354	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	Mct2	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT2300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,25 V	100 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	1,1 µs, 50 µs	400 mV
FOD814	0,5700	RFQ	1231	onsemi	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 105 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	FOD814	AC, DC		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	100	50m		4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms							20% @ 1mA	300% @ 1mA	-	200 MV
H11av1m	1.0800	RFQ	130	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11av	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	-		-	70V	1,18 V	60 mA	4170vrms							100% @ 10mA	300% @ 10mA	15 µs, 15 µs (max)	400 mV
FODM3052R2-NF098	1.6600	RFQ	80	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30		cur, ur	1	Triac		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500					1,2 V	60 mA	3750 VRM	600 V	70 mA	300 µA (TYP)								Non	1kV / µs	10m	-
MOC8080300W	-	RFQ	4667	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MOC808	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8080300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	55V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							50% @ 10mA	-	3,5 µs, 25 µs	1v
H11A1VM	0,6600	RFQ	2	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11A1	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	H11A1VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							50% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
CNY17F4SR2VM_F132	-	RFQ	5881	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY17	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms							160% @ 10mA	320% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
MOCD208R1VM	-	RFQ	1697	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOCD20	Dc		2	Transistor		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	2156-MOCD208R1VM-488	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		1,6 µs, 2,2 µs	70V	1,25 V	60 mA	2500 VRM							40% @ 10mA	125% @ 10mA	3µs, 2,8 µs	400 mV
MOC8050	-	RFQ	9639	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC805	Dc		1	Darlington		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	80V	1,15 V	60 mA	5300 VRM							500% @ 10mA	-	3,5 µs, 95 µs	-
H11AV1SR2M	0,9500	RFQ	6663	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11av	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	70V	1,18 V	60 mA	4170vrms							100% @ 10mA	300% @ 10mA	15 µs, 15 µs (max)	400 mV
CNY17F4300W	-	RFQ	7746	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	CNY17	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY17F4300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM							160% @ 10mA	320% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
FODM3053R2-NF098	1 9000	RFQ	34	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30		cur, ur	1	Triac		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500					1,2 V	60 mA	3750 VRM	600 V	70 mA	300 µA (TYP)								Non	1kV / µs	5ma	-
4N26FR2VM	-	RFQ	5987	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N26	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N26FR2VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
4N26300	-	RFQ	9911	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	4N26	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N26300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
FOD420	4.2400	RFQ	4567	onsemi	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	FOD420		cul, fimko, ul	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,28 V	30 mA	5000vrms	600 V		500 µA								Non	10kV / µs	2MA	60 µs
CNY171	-	RFQ	3536	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	CNY171	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM							40% @ 10mA	80% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
MOC8106M	0 7600	RFQ	15	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC8106	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,15 V	60 mA	4170vrms							50% @ 10mA	150% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Isolatheurs (3348)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²