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Isolatheurs (3348)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
HCPL2630SDVM	0,9596	RFQ	4553	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	HCPL2630	Dc		2	Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ	4,5 V ~ 5,5 V	8 mm	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,4 V	30m	2500 VRM				2/0	10kV / µs (type)	75ns, 75ns
MOC208R2VM	-	RFQ	3767	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC208	Dc		1	Base de transistor AVEC		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	150m		3,2 µs, 4,7 µs	70V	1,15 V	60 mA	2500 VRM							40% @ 10mA	125% @ 10mA	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
FODM121CV	-	RFQ	4278	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM12	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							100% @ 5mA	200% @ 5mA	-	400 mV
MCT5211W	-	RFQ	7827	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	Mct5	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT5211W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,25 V	50 mA	5300 VRM							150% à 1,6mA	-	14 µs, 2,5 µs	400 mV
FOD8143SD	0 7600	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FOD814	AC, DC		1	Transistor		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms							20% @ 1mA	300% @ 1mA	-	200 MV
MOC8050300	-	RFQ	1449	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC805	Dc		1	Darlington		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC8050300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	80V	1,15 V	60 mA	5300 VRM							500% @ 10mA	-	3,5 µs, 95 µs	-
HMA121BR4V	-	RFQ	1815	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	HMA121	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							50% @ 5mA	150% @ 5mA	-	400 mV
FODM121CR2V	0,7800	RFQ	2	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM121	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							100% @ 5mA	200% @ 5mA	-	400 mV
H11b1300	-	RFQ	8691	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11b	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	25V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							500% @ 1mA	-	25 µs, 18µs	1v
FOD617D300	-	RFQ	5084	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 110 ° C	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	FOD617	Dc		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	4 000	50m		4 µs, 3µs	70V	1,35 V	50 mA	5000vrms							160% @ 10mA	320% @ 10mA	-	400 mV
CNW84S	-	RFQ	6281	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNW84	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	100 mA		-	80V	-	100 mA	5900 VRM							0,63% @ 10mA	3,20% @ 10mA	-	400 mV
74OL6010W	-	RFQ	5846	onsemi	Optologic ™	Tube	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	74OL601	Logique		1	Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ	4.5V ~ 15V	6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	40 mA	15MBD	50ns, 5ns		-	-	5300 VRM				1/0	5kV / µs	180ns, 120ns
FODM121AR1	-	RFQ	2519	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM12	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	80m		3 µs, 3µs	80V	1,3 V (max)	50 mA	3750 VRM							100% @ 5mA	300% @ 5mA	-	400 mV
MOC3163FR2M	-	RFQ	9572	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC316		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3163FR2M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	600 V		500 µA (TYP)								Oui	-	5ma	-
HCPL0531	4.7900	RFQ	190	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HCPL05	Dc		2	Transistor		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							19% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 300ns	-
HCPL2503	-	RFQ	1937	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	HCPL25	Dc		1	Base de transistor AVEC		8 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							12% @ 16mA	-	450ns, 300ns	-
MOC3011FR2VM	-	RFQ	7745	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC301		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3011FR2VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	250 V		100 µA (TYP)								Non	-	10m	-
MOC213R1M	-	RFQ	5087	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOC213	Dc		1	Base de transistor AVEC		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC213R1M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1,15 V	60 mA	2500 VRM							100% @ 10mA	-	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
MOC3162SR2M	-	RFQ	1428	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC316		Ul	1	Triac		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3162SR2M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,3 V	60 mA	4170vrms	600 V		500 µA (TYP)								Oui	1kV / µs	10m	-
H11B815W	-	RFQ	9282	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0 400 ", 10,16 mm)	H11b	Dc		1	Darlington		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11b815w-ndr	EAR99	8541.49.8000	2 000	80m		300 µs, 250 µs (max)	35V	1,2 V	50 mA	5000vrms							600% @ 1mA	7500% @ 1mA	-	1v
H11n3fm	-	RFQ	1783	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11N	Dc		1	Collectionner OUVER	4V ~ 15V	6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	5 MHz	7,5ns, 12ns		1,4 V	30m	4170vrms				1/0	-	330ns, 330ns
H11C23SD	-	RFQ	2386	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11C		Ur, vde	1	SCR		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11C23SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,2 V	60 mA	5300 VRM	200 V	300 mA	-								Non	500 V / µs	20 mA	-
FOD817S	0,5500	RFQ	1	onsemi	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 110 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FOD817	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	100	50m		4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms							50% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV
H11aa1tvm	1.0600	RFQ	16	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11AA	AC, DC		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50m		-	30V	1,17 V	60 mA	4170vrms							20% @ 10mA	-	-	400 mV
FOD814ASD	0,7500	RFQ	6162	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 105 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FOD814	AC, DC		1	Transistor		4 md	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4 µs, 3µs	70V	1,2 V	50 mA	5000vrms							50% @ 1mA	150% @ 1mA	-	200 MV
FOD420	4.2400	RFQ	4567	onsemi	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	FOD420		cul, fimko, ul	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,28 V	30 mA	5000vrms	600 V		500 µA								Non	10kV / µs	2MA	60 µs
FOD410SDV	4.1400	RFQ	1	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	FOD410		CSA, UL, VDE	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000					1,25 V	30 mA	5000vrms	600 V		500 µA								Oui	10kV / µs	2MA	60 µs
MCT5211SVM	-	RFQ	9109	onsemi	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	Mct5	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	30V	1,25 V	50 mA	4170vrms							150% à 1,6mA	-	14 µs, 2,5 µs	400 mV
Mct2esd	-	RFQ	3467	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	Mct2	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	Mct2esd-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,25 V	100 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	1,1 µs, 50 µs	400 mV
CNW136S	-	RFQ	2030	onsemi	-	Sac	Obsolète	-	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	CNW13	Dc		1	Base de transistor AVEC		8 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	40	10m		-	20V	-	100 mA	5000vrms							19% @ 16mA	-	-	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Isolatheurs (3348)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²