SIC
close

Isolatheurs (3348)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
FOD2742AR1V onsemi FOD2742AR1V -
RFQ
 ECAD 4224 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -25 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FOD274 Dc 1 Transistor 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 70V 1,2 V 2500 VRM 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400 mV
FOD0720 onsemi FOD0720 3 8000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FOD072 Logique 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 10 mA 25 Mbps 5NS, 4,5 N - - 3750 VRM 1/0 20kV / µs 40ns, 40ns
FODM3062R1 onsemi FODM3062R1 -
RFQ
 ECAD 8438 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM30 cul, ul 1 Triac 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 1,5 V (max) 60 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 300 µA (TYP) Oui 600 V / µs 10m -
FOD819S onsemi FOD819 1.1000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins FOD819 AC, DC 1 Transistor 4 md télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 100 30m 12 µs, 20 µs 80V 1,2 V 50 mA 5000vrms 100% @ 1,5 mA 600% à 1,5 mA 18 µs, 18µs 300 mV
4N37M onsemi 4n37m 0,7400
RFQ
 ECAD 46 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N37 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V 1,18 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA - 2µs, 2µs 300 mV
HCPL0600 onsemi HCPL0600 3 5600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HCPL06 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 2166-HCPL0600-488 EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,75 V (max) 50m 3750 VRM 1/0 5kV / µs 75ns, 75ns
MOC211R2M onsemi MOC211R2M 0,8000
RFQ
 ECAD 9517 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOC211 Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 150m 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1,15 V 60 mA 2500 VRM 20% @ 10mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400 mV
4N36SVM onsemi 4N36SVM -
RFQ
 ECAD 2655 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N36 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 4N36SVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA - 2µs, 2µs 300 mV
MOCD213M onsemi MOCD213M 1.1200
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOCD213 Dc 2 Transistor 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 150m 1,6 µs, 2,2 µs 70V 1,25 V 60 mA 2500 VRM 100% @ 10mA - 3µs, 2,8 µs 400 mV
MOC3010 onsemi MOC3010 -
RFQ
 ECAD 9383 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC301 1 Triac 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC3010QT EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5300 VRM 250 V 100 µA Non 15m
CNX39U3S onsemi CNX39U3S -
RFQ
 ECAD 9543 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette CNX39 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNX39U3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 100 mA - 30V 1,15 V 100 mA 5300 VRM 60% @ 10mA 100% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400 mV
HCPL2531M onsemi HCPL2531M 2.4200
RFQ
 ECAD 6649 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) HCPL2531 Dc 2 Transistor 8 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 8m - 20V 1,45 V 25 mA 5000vrms 19% @ 16mA 50% @ 16mA 250ns, 260ns -
MOC8050S onsemi MOC8050S -
RFQ
 ECAD 7129 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC805 Dc 1 Darlington 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC8050S-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 150m - 80V 1,15 V 60 mA 5300 VRM 500% @ 10mA - 3,5 µs, 95 µs -
H11F3M onsemi H11f3m 4.5300
RFQ
 ECAD 9441 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11f Dc 1 Mosfet 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 - - 15V 1,3 V 60 mA 4170vrms - - 45µs, 45 µs (max) -
HMHAA280R4 onsemi HMHAA280R4 -
RFQ
 ECAD 1114 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) Hmhaa28 AC, DC 1 Transistor 4 minutes-plate télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 3 µs, 3µs 80V 1,4 V (max) 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400 mV
FODM3062R2 onsemi FODM3062R2 -
RFQ
 ECAD 9707 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM30 cul, ul 1 Triac 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 1,5 V (max) 60 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 300 µA (TYP) Oui 600 V / µs 10m -
MCT5201M onsemi MCT5201M -
RFQ
 ECAD 8347 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) Mct5 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 150m 2,5 µs, 16 µs 30V 1,25 V 50 mA 7500VPK 120% @ 5mA - - 400 mV
HCPL0730R1 onsemi HCPL0730R1 -
RFQ
 ECAD 5813 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HCPL07 Dc 2 Darlington 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 60m - 7v 1,35 V 20 mA 2500 VRM 300% @ 1,6mA 5000% à 1,6mA 2µs, 7µs -
FODM3023R2V onsemi FODM3023R2V -
RFQ
 ECAD 2628 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 1,2 V 60 mA 3750 VRM 400 V 70 mA 300 µA (TYP) Non 10V / µs (type) 5ma -
H11L13SD onsemi H11L13SD -
RFQ
 ECAD 6630 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète - Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11L Dc 1 Collectionner OUVER - 6 mm télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50 mA 1 MHz - - 1,6 mA 5300 VRM 1/0 - -
HCPL0534R1 onsemi HCPL0534R1 -
RFQ
 ECAD 2701 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) HCPL05 Dc 2 Transistor 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 8m - 20V 1,45 V 25 mA 2500 VRM 15% @ 16mA - 450ns, 300ns -
HCPL2611M onsemi HCPL2611M 2.3400
RFQ
 ECAD 190 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) HCPL2611 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 5,5 V 8 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,45 V 50m 5000vrms 1/0 10kV / µs 75ns, 75ns
H11N3TVM onsemi H11N3TVM -
RFQ
 ECAD 3125 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) H11N Dc 1 Collectionner OUVER 4V ~ 15V 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50 mA 5 MHz 7,5ns, 12ns 1,4 V 30m 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
MOC81133S onsemi MOC81133 -
RFQ
 ECAD 6838 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC811 Dc 1 Transistor 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC81133S-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - 3µs, 14µs 70V 1,15 V 90 mA 5300 VRM 100% @ 10mA - 4,2 µs, 23 µs 400 mV
4N35SM onsemi 4N35SM 0,7800
RFQ
 ECAD 3389 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N35 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V 1,18 V 60 mA 4170vrms 100% @ 10mA - 2µs, 2µs 300 mV
FODM3021R1V onsemi FODM3021R1V -
RFQ
 ECAD 3312 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 1,2 V 60 mA 3750 VRM 400 V 70 mA 300 µA (TYP) Non 10V / µs (type) 15m -
FODM121R1 onsemi FODM121R1 -
RFQ
 ECAD 3860 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM12 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 80m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400 mV
CNX35US onsemi CNX35US -
RFQ
 ECAD 2506 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette CNX35 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNX35US-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 100 mA - 30V 1,15 V 100 mA 5300 VRM 40% @ 10mA 160% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400 mV
H11A1M onsemi H11A1M 0 7600
RFQ
 ECAD 899 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11A1 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 PDI télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 - - 30V 1,18 V 60 mA 4170vrms 50% @ 10mA - 2µs, 2µs 400 mV
MOC80803SD onsemi MOC80803SD -
RFQ
 ECAD 1892 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette MOC808 Dc 1 Darlington Avec la base 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC80803SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 55V 1,2 V 100 mA 5300 VRM 50% @ 10mA - 3,5 µs, 25 µs 1v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

Liste RFQ (0 éléments)
Liste des paniers (0 articles)
WishlistWishList (0 éléments)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

Quantité: 1

Comparez la liste (0 éléments)
Appuyez sur Entrée pour rechercher ou ESC pour fermer