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Isolatheurs (3348)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
H11b255	-	RFQ	9995	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11b	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11b255-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	55V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	-	25 µs, 18µs	1v
Cnw11av2	-	RFQ	3925	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNW11	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	100 mA		-	70V	-	100 mA	4000vrms							50% @ 10mA	-	-	400 mV
4N39W	-	RFQ	2236	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	4N39		Ur	1	SCR		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N39W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,1 V	60 mA	5300 VRM	200 V	300 mA	1 mA								Non	500 V / µs	30m	50 µs (max)
FOD2743ASDV	-	RFQ	7450	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	FOD274	Dc		1	Transistor		8 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	70V	1.07 V		5000vrms							50% @ 1mA	100% @ 1mA	-	400 mV
Mct2evm	-	RFQ	7165	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	Mct2	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	Mct2evm-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		2µs, 1,5 µs	30V	1,25 V	60 mA	7500VPK							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
MOC3081SVM	1.3500	RFQ	1	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC308		IEC / EN / DIN, UL	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,3 V	60 mA	4170vrms	800 V		500 µA (TYP)								Oui	600 V / µs	15m	-
H11B2300W	-	RFQ	6462	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11b	Dc		1	Darlington Avec la base		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11B2300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	25V	1,2 V	100 mA	5300 VRM							200% @ 1mA	-	25 µs, 18µs	1v
CNY171SVM	0,7300	RFQ	815	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY171	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY171SVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	50	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms							40% @ 10mA	80% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
FOD2742AR2	-	RFQ	6012	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FOD274	Dc		1	Transistor		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	50m		-	70V	1,2 V		2500 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
FODM452R2	2.6400	RFQ	4	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes	FODM452	Dc		1	Transistor		5 minutes	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	8m		-	20V	1,6 V	25 mA	3750 VRM							20% @ 16mA	50% @ 16mA	400ns, 350ns	-
MCT210W	-	RFQ	4614	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MCT210	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT210W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 11 µs	30V	1,33 V	100 mA	5300 VRM							150% @ 10mA	-	1 µs, 50 µs	400 mV
FODM3023R4V	-	RFQ	6939	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	FODM30		BSI, CSA, UL, VDE	1	Triac		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500					1,2 V	60 mA	3750 VRM	400 V	70 mA	300 µA (TYP)								Non	10V / µs (type)	5ma	-
FODM8801CR2	1 8000	RFQ	3406	onsemi	OptoHit ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	FODM8801	Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	30m		5 µs, 5,5 µs	75V	1,35 V	20 mA	3750 VRM							200% @ 1mA	400% @ 1mA	6µs, 6µs	400 mV
MOC8021	-	RFQ	8394	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC802	Dc		1	Darlington		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		-	50v	1,15 V	60 mA	5300 VRM							1000% @ 10mA	-	3,5 µs, 95 µs	2V
CNY174VM	0,2112	RFQ	6981	onsemi	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	CNY174	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms							160% @ 10mA	320% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
H11B815W	-	RFQ	9282	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0 400 ", 10,16 mm)	H11b	Dc		1	Darlington		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11b815w-ndr	EAR99	8541.49.8000	2 000	80m		300 µs, 250 µs (max)	35V	1,2 V	50 mA	5000vrms							600% @ 1mA	7500% @ 1mA	-	1v
HCPL2601	2.1400	RFQ	5	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	HCPL26	Dc		1	Collectionner OUVER	4,5 V ~ 5,5 V	8 plombs	-	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,4 V	50m	2500 VRM				1/0	5kV / µs	75ns, 75ns
MOC81023SD	-	RFQ	3548	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC810	Dc		1	Transistor		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC81023SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	30V	1,15 V	100 mA	5300 VRM							73% @ 10mA	117% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
CNY17F4300	-	RFQ	7060	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	CNY17	Dc		1	Transistor		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY17F4300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		1 µs, 2µs	70V	1,35 V	100 mA	5300 VRM							160% @ 10mA	320% @ 10mA	2 µs, 3µs	300 mV
FOD2743CTV	-	RFQ	4635	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	FOD274	Dc		1	Transistor		8 MDIP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	70V	1.07 V		5000vrms							50% @ 1mA	100% @ 1mA	-	400 mV
FOD260L	2.6900	RFQ	1	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	FOD260	Dc		1	Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ	3V ~ 5,5 V	8 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10Mbps	22NS, 3NS		1,4 V	50m	5000vrms				1/0	25kV / µs	90ns, 75ns
Mct2etvm	-	RFQ	1513	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	Mct2	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	Mct2etvm-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		2µs, 1,5 µs	30V	1,25 V	60 mA	7500VPK							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
H11A617CSD	-	RFQ	8265	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	4 sous-marins	H11A	Dc		1	Transistor		4 md	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,35 V	50 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
FODB101V	-	RFQ	2062	onsemi	Microcoupleur ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	4-TEBGA	FODB10	Dc		1	Transistor		4-BGA (3,5x3,5)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	50m		1 µs, 5 µs	75V	1,5 V (max)	30 mA	2500 VRM							100% @ 1mA	-	3 µs, 5 µs	400 mV
FOD0708R2	-	RFQ	4647	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FOD070	Dc		1	Push-pull, pôle totem	4,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	2 mA	15MBD	12ns, 8ns		1,45 V	20 mA	2500 VRM				1/0	25kV / µs	60ns, 60ns
MCT271300W	-	RFQ	8254	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	Mct2	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT271300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,25 V	100 mA	5300 VRM							45% @ 10mA	90% @ 10mA	1 µs, 48µs	400 mV
FOD2741C	-	RFQ	3771	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	FOD274	Dc		1	Transistor		8 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,5 V (max)		5000vrms							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
H11C1	-	RFQ	1503	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11C		Ur	1	SCR		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11C1S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,2 V	60 mA	5300 VRM	200 V	300 mA	-								Non	500 V / µs	20 mA	-
FODM8801BV	1.6700	RFQ	3	onsemi	OptoHit ™	Tube	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	FODM8801	Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	2832-FODM8801BV-488	EAR99	8541.49.8000	150	30m		5 µs, 5,5 µs	75V	1,35 V	20 mA	3750 VRM							130% @ 1MA	260% @ 1MA	6µs, 6µs	400 mV
4N36FR2M	-	RFQ	7027	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N36	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4n36fr2m-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	60 mA	7500VPK							100% @ 10mA	-	2µs, 2µs	300 mV

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Isolatheurs (3348)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²