SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
4N38 onsemi 4N38 -
RFQ
ECAD 2822 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N38 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 100 mA - 80V 1,15 V 80 mA 5300 VRM 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 1v
MOC3083VM onsemi MOC3083VM 1.1700
RFQ
ECAD 6594 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOC308 IEC / EN / DIN, UL 1 Triac 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté MOC3083VM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,3 V 60 mA 4170vrms 800 V 500 µA (TYP) Oui 600 V / µs 5ma -
FOD817C3S onsemi FOD817C3S 0,5000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 onsemi - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins FOD817 Dc 1 Transistor 4 md télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 488-FOD817C3S EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 4 µs, 3µs 70V 1,2 V 50 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200 MV
H11G1S onsemi H11G1S -
RFQ
ECAD 1360 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11G Dc 1 Darlington Avec la base 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 100V 1,3 V 60 mA 5300 VRM 1000% @ 10mA - 5 µs, 100 µs 1v
FODM8801C onsemi FODM8801C 2.0800
RFQ
ECAD 7134 0,00000000 onsemi OptoHit ™ Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) FODM8801 Dc 1 Transistor 4 minutes-plate télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 100 30m 5 µs, 5,5 µs 75V 1,35 V 20 mA 3750 VRM 200% @ 1mA 400% @ 1mA 6µs, 6µs 400 mV
H11A817DW onsemi H11A817DW -
RFQ
ECAD 6269 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) H11A Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11A817DW-SDR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2,4 µs, 2,4 µs 70V 1,2 V 50 mA 5300 VRM 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200 MV
MCT2200SD onsemi MCT2200SD -
RFQ
ECAD 5692 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette Mct2 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MCT2200SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 30V 1,25 V 100 mA 5300 VRM 20% @ 10mA - 2µs, 2µs 400 mV
6N135SD onsemi 6N135SD -
RFQ
ECAD 9507 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette 6N135 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 6N135SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 8m - 20V 1,45 V 25 mA 2500 VRM 7% @ 16mA 50% @ 16mA 450ns, 500ns -
CNX83AW onsemi CNX83AW -
RFQ
ECAD 6596 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) CNX83 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNX83AW-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 100 mA - 50v 1,2 V 100 mA 5300 VRM 40% @ 10mA 250% @ 10mA 3 µs, 3µs 400 mV
SL5583W onsemi SL5583W -
RFQ
ECAD 8628 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) SL5583 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté SL5583W-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 100 mA - 50v 1,2 V 100 mA 5300 VRM 40% @ 10mA 320% @ 10mA 20 µs, 50 µs (max) 400 mV
MOC3063TVM onsemi MOC3063TVM 1.0400
RFQ
ECAD 24 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 6-Dip (0,400 ", 10,16 mm) MOC306 IEC / EN / DIN, UL 1 Triac 6 plombs télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 1,3 V 60 mA 4170vrms 600 V 500 µA (TYP) Oui 600 V / µs 5ma -
FOD8160 onsemi FOD8160 4.0700
RFQ
ECAD 7760 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,362 ", 9,20 mm de grosur), 5 pistes FOD816 Dc 1 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 3V ~ 5,5 V 5-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 100 50 mA 10Mbps 22NS, 9NS 1,45 V 25m 5000vrms 1/1 20kV / µs 90ns, 80ns
FOD617B300W onsemi FOD617B300W -
RFQ
ECAD 1067 0,00000000 onsemi - Boîte Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) FOD617 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 4 µs, 3µs 70V 1,35 V 50 mA 5000vrms 63% @ 10mA 125% @ 10mA - 400 mV
MOC207VM onsemi MOC207VM 0,8600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 onsemi - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOC207 Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1,15 V 60 mA 2500 VRM 100% @ 10mA 200% @ 10mA 7,5 µs, 5,7 µs 400 mV
CNW136 onsemi CNW136 -
RFQ
ECAD 8255 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète - Par le trou 8-Dip (0,400 ", 10,16 mm) CNW13 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 40 10m - 20V - 100 mA 5000vrms 19% @ 16mA - - -
H11F3S onsemi H11F3S -
RFQ
ECAD 7646 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11f Dc 1 Mosfet 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté H11F3S-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 15V 1,3 V 60 mA 5300 VRM - - 25 µs, 25 µs (max) -
H11N3300 onsemi H11N3300 -
RFQ
ECAD 9013 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète - Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) H11N Dc 1 Collectionner OUVER - 6 plombs télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 10m 7500 VRM 1/0 - 330ns, 330ns
HMA121FR2V onsemi HMA121FR2V -
RFQ
ECAD 9911 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins HMA121 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 80m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA - 400 mV
H11AA3SR2VM onsemi H11AA3SR2VM -
RFQ
ECAD 6462 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11A AC, DC 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 50m - 30V 1,17 V 60 mA 7500VPK 50% @ 10mA - - 400 mV
MOC216R1M onsemi MOC216R1M -
RFQ
ECAD 1190 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOC216 Dc 1 Base de transistor AVEC 8-SOIC télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté MOC216R1M-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 150m 3,2 µs, 4,7 µs 30V 1.07 V 60 mA 2500 VRM 50% @ 1mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400 mV
4N27FVM onsemi 4n27fvm -
RFQ
ECAD 7031 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N27 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 4n27fvm-ndr EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 60 mA 7500VPK 10% @ 10mA - 2µs, 2µs 500 mV
HMA2701BR4V onsemi HMA2701BR4V -
RFQ
ECAD 9716 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins HMA270 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 2 500 80m 3 µs, 3µs 40V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300 mV
FODM121CR1 onsemi FODM121CR1 -
RFQ
ECAD 6856 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM12 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 80m 3 µs, 3µs 80V 1,3 V (max) 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 400 mV
HCPL2730SV onsemi HCPL2730SV -
RFQ
ECAD 4375 0,00000000 onsemi - En gros Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette HCPL27 Dc 2 Darlington 8 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 60m - 7v 1,3 V 20 mA 2500 VRM 300% @ 1,6mA - 300ns, 5 µs -
4N33 onsemi 4N33 -
RFQ
ECAD 9081 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 4N33 Dc 1 Darlington Avec la base 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 150m - 30V 1,2 V 80 mA 5300 VRM 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (max) 1v
FODM3082R1 onsemi FODM3082R1 -
RFQ
ECAD 4708 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 4 sous-marins FODM30 cul, ul 1 Triac 4 md télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 1,5 V (max) 60 mA 3750 VRM 800 V 70 mA 300 µA (TYP) Oui 600 V / µs 10m -
H11A3SR2VM onsemi H11A3SR2VM -
RFQ
ECAD 8647 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette H11A Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 - - 30V 1,18 V 60 mA 7500VPK 20% @ 10mA - 2µs, 2µs 400 mV
74OL6000300 onsemi 74OL6000300 -
RFQ
ECAD 8734 0,00000000 onsemi Optologic ™ Tube Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 74OL600 Logique 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 5,5 V 6 plombs télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 1 000 40 mA 15MBD 45ns, 5ns - - 5300 VRM 1/0 5kV / µs 100ns, 100ns
HCPL2531S onsemi HCPL2531 -
RFQ
ECAD 8001 0,00000000 onsemi - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette HCPL2531 Dc 2 Transistor 8 mm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.49.8000 50 8m - 20V 1,45 V 25 mA 2500 VRM 19% @ 16mA 50% @ 16mA 450ns, 300ns -
CNY1733SD onsemi CNY1733SD -
RFQ
ECAD 9247 0,00000000 onsemi - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette CNY173 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté CNY1733SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1 000 50m 1 µs, 2µs 70V 1,35 V 100 mA 5300 VRM 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3µs 300 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock