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Isolatheurs (3348)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Approbation d'agence	Nombre de Canaux	Type de sortie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	COURANT - Sortie / Canal	Taux de Donnés	Temps de Hausse / Chute (Typ)	Tension - Sortie (max)	Tension - Forme (VF) (TYP)	Courant - DC Forward (IF) (Max)	Tension - isolement	Tension - Hors de l'ÉTAT	COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max)	Current - Hold (IH)	Entrées - Côté 1 / Côté 2	Immunité Transitoire en Mode Commun (min)	Délai de propagation tplh / tphl (max)	Ratio de Transfert Actual (Min)	Ratio de Transfert de Courant (Max)	Allumez / desactivez le temps (typ)	Saturation VCE (max)	Circuit de Croisment Zéro	Dv / dt state (min)	Courant - Trigger LED (IFT) (Max)	ALLUMER LE TEMPS
MOC3020FVM	-	RFQ	4110	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC302		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3020FVM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	400 V		100 µA (TYP)								Non	-	30m	-
HCPL2530V	-	RFQ	2176	onsemi	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	HCPL25	Dc		2	Transistor		8 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							7% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 500ns	-
MOCD211R1VM	-	RFQ	5539	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOCD21	Dc		2	Transistor		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1,25 V	60 mA	2500 VRM							20% @ 10mA	-	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
MOCD211VM	-	RFQ	5813	onsemi	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	MOCD21	Dc		2	Transistor		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	3 000	150m		3,2 µs, 4,7 µs	30V	1,25 V	60 mA	2500 VRM							20% @ 10mA	-	7,5 µs, 5,7 µs	400 mV
CNY171FM	-	RFQ	2605	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	CNY171	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	CNY171FM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		4µs, 3,5 µs (max)	70V	1,35 V	60 mA	4170vrms							40% @ 10mA	80% @ 10mA	2 µs, 3µs	400 mV
MOC5008SVM	-	RFQ	4595	onsemi	GlobalOptOisolator ™	Sac	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC500	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 mm	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	1 MHz	-		-	4MA	7500VPK				1/0	-	-
FOD2743ATV	-	RFQ	7357	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	FOD274	Dc		1	Transistor		8 MDIP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	70V	1.07 V		5000vrms							50% @ 1mA	100% @ 1mA	-	400 mV
MOC3033SM	1.4600	RFQ	3	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC303		Ul	1	Triac		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3033SM-NDR	EAR99	8541.49.8000	50					1,25 V	60 mA	4170vrms	250 V		400 µA (TYP)								Oui	1kV / µs	5ma	-
H11A817DW	-	RFQ	6269	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	4-DIP (0 400 ", 10,16 mm)	H11A	Dc		1	Transistor		À 4 plombes	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A817DW-SDR	EAR99	8541.49.8000	2 000	50m		2,4 µs, 2,4 µs	70V	1,2 V	50 mA	5300 VRM							300% @ 5mA	600% @ 5mA	-	200 MV
H11A5300W	-	RFQ	5400	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11A5300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM							30% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
H11av2fr2vm	-	RFQ	5744	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11A	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11AV2FR2VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	70V	1,18 V	60 mA	7500VPK							50% @ 10mA	-	15 µs, 15 µs	400 mV
MOC3020FM	-	RFQ	2833	onsemi	-	Tube	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC302		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3020FM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	400 V		100 µA (TYP)								Non	-	30m	-
FOD2743AT	-	RFQ	9645	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	8-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	FOD274	Dc		1	Transistor		8 MDIP	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	70V	1.07 V		5000vrms							50% @ 1mA	100% @ 1mA	-	400 mV
4N28SM	0,5900	RFQ	48	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N28	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	-		-	30V	1,18 V	60 mA	4170vrms							10% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
Mct2vm	-	RFQ	2424	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	Mct2	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	Mct2vm-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		2µs, 1,5 µs	30V	1,25 V	60 mA	7500VPK							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
MOC5007TM	-	RFQ	4642	onsemi	GlobalOptOisolator ™	Tube	Obsolète	-	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	MOC500	Dc		1	Collectionner OUVER	-	6 plombs	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	1 MHz	-		-	1,6 mA	7500VPK				1/0	-	-
FOD2742CR2V	-	RFQ	7100	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FOD274	Dc		1	Transistor		8-SOIC	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	2 500	50m		-	70V	1,2 V		2500 VRM							100% @ 10mA	200% @ 10mA	-	400 mV
MCT2201	-	RFQ	6374	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	Mct2	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MCT2201-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	50m		-	30V	1,25 V	100 mA	5300 VRM							100% @ 10mA	-	2µs, 2µs	400 mV
4N25	-	RFQ	2542	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	4N25	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	30V	1,18 V	100 mA	5300 VRM							20% @ 10mA	-	2µs, 2µs	500 mV
H11C3	-	RFQ	7708	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	H11C		Ur	1	SCR		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000					1,2 V	60 mA	5300 VRM	200 V	300 mA	-								Non	500 V / µs	30m	-
H11b3	-	RFQ	4692	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	H11b	Dc		1	Darlington Avec la base		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	H11b3s-ndr	EAR99	8541.49.8000	1 000	-		-	25V	1,35 V	100 mA	5300 VRM							100% @ 1mA	-	25 µs, 18µs	1v
H11L3TVM	1.1100	RFQ	8332	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6-Dip (0,400 ", 10,16 mm)	H11L3	Dc		1	Collectionner OUVER	3V ~ 15V	6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	1 MHz	100ns, 100ns		1,2 V	30m	4170vrms				1/0	-	4µs, 4µs
MOC3032FR2M	-	RFQ	9740	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	MOC303		-	1	Triac		6 mm	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté	MOC3032FR2M-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					-	60 mA	7500VPK	250 V		400 µA (TYP)								Oui	-	10m	-
FODM8801AV	1.8600	RFQ	2	onsemi	OptoHit ™	Tube	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C	Support de surface	4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur)	FODM8801	Dc		1	Transistor		4 minutes-plate	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	150	30m		5 µs, 5,5 µs	75V	1,35 V	20 mA	3750 VRM							80% @ 1mA	160% @ 1mA	6µs, 6µs	400 mV
6N136	-	RFQ	2198	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	8-Dip (0,300 ", 7,62 mm)	6N136	Dc		1	Base de transistor AVEC		8 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	8m		-	20V	1,45 V	25 mA	2500 VRM							19% @ 16mA	50% @ 16mA	450ns, 500ns	-
4N40	-	RFQ	2129	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	4N40		Ur	1	SCR		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	4N40S-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000					1,1 V	60 mA	5300 VRM	400 V	300 mA	1 mA								Non	500 V / µs	14m	50 µs (max)
HCPL2631SV	-	RFQ	4780	onsemi	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	8 mm, Aile de Mouette	HCPL2631	Dc		2	Collectionner OUVER	4,5 V ~ 5,5 V	8 mm	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,4 V	30m	2500 VRM				2/0	5kV / µs	75ns, 75ns
MOC3162M	2.3000	RFQ	331	onsemi	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	MOC316		Ul	1	Triac		6 plombs	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	50					1,3 V	60 mA	4170vrms	600 V		500 µA (TYP)								Oui	1kV / µs	10m	-
SL5504SD	-	RFQ	9374	onsemi	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Support de surface	6 mm, Aile de Mouette	SL5504	Dc		1	Base de transistor AVEC		6 mm	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	SL5504SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1 000	100 mA		-	80V	1,23 V	100 mA	5300 VRM							25% @ 10mA	400% @ 10mA	50 µs, 150 µs (max)	400 mV
4N39	-	RFQ	1091	onsemi	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 100 ° C	Par le trou	6 DIP (0,300 ", 7,62 mm)	4N39		Ur	1	SCR		6 plombs	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.49.8000	1 000					1,1 V	60 mA	5300 VRM	200 V	300 mA	1 mA								Non	500 V / µs	30m	50 µs (max)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Isolatheurs (3348)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²