SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Courant - Sortie Maximale Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) Tension - alimentation de sortie Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (Mat, F) -
RFQ
ECAD 3433 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP552 - 1 (illimité) 264-TLP552 (MATF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP732(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (F) -
RFQ
ECAD 4532 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP732 - 1 (illimité) 264-TLP732 (F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP750(D4-O-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O-TP4, F) -
RFQ
ECAD 1204 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP750 - 1 (illimité) 264-TLP750 (D4-O-TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP185(V4GRTR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (V4grtr, SE 0,5900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP620-2(YASK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (Yask, F) -
RFQ
ECAD 8282 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 2 Transistor 8 plombs télécharger 264-TLP620-2 (Yaskf) EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP124(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (TPL, F) -
RFQ
ECAD 1975 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP124 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP124 (TPLF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 8 µs, 8 µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP5231(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5231 (D4-TP, E 5.5100
RFQ
ECAD 9931 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5231 Optique de couplage CQC, Cul, UL, VDE 2 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 1A, 1A 2.5a 50ns, 50ns 1,7 V (max) 25 mA 5000vrms 25kV / µs 300ns, 300ns 150ns 21V ~ 30V
TLP785F(LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (LF7, F -
RFQ
ECAD 9999 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP785 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(D4-Y-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-Y-LF6, F) -
RFQ
ECAD 4558 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4-Y-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP3042SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042SCF -
RFQ
ECAD 8672 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes TLP3042 BSI, SEMKO, UR 1 Triac 6-Dip (coupé), 5 plomb télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 50 mA 5000vrms 400 V 100 mA 600µA (TYP) Oui 200 V / µs 10m -
TLP9121A(MBHAGBTLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (MBHAGBTLF -
RFQ
ECAD 1213 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9121A (MBHAGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP183(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (Gr, E 0,5100
RFQ
ECAD 2219 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP183 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP183 (GRE EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP626(MAT-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (MAT-LF2, F) -
RFQ
ECAD 9349 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger 264-TLP626 (MAT-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP127(MAT-M-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MAT-M-TPL, F -
RFQ
ECAD 8990 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP127 Dc 1 Darlington 6 MFSOP, 4 Avance - 1 (illimité) 264-TLP127 (MAT-M-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP183(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (BLL, E 0,5100
RFQ
ECAD 28 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP183 Dc 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP183 (BLLE EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP620-4(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (GB, F) -
RFQ
ECAD 8762 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 16 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP620 AC, DC 4 Transistor 16 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 25 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 50 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP293-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (TP, E 1,6000
RFQ
ECAD 4090 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP293 Dc 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP523-4(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-4 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 1486 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP523 - 1 (illimité) 264-TLP523-4 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2761F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F (TP, F) -
RFQ
ECAD 5383 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2761 AC, DC 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO - Rohs conforme 1 (illimité) TLP2761F (TPF) EAR99 8541.49.8000 2 500 10 mA 15MBD 3NS, 3NS 1,5 V 10m 5000vrms 1/0 20kV / µs 80ns, 80ns
TLP292-4(LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LA, E 1.7900
RFQ
ECAD 5078 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% à 500 µA 600% à 500 µA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP358(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp358 (tp5, f) -
RFQ
ECAD 9877 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP358 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 8 mm télécharger 264-TLP358 (TP5F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5 A - 17ns, 17ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 20kV / µs 500ns, 500ns
TLP5751H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751H (TP4, E 1.8500
RFQ
ECAD 8709 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5751 Optique de couplage CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 1A, 1A 1A 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 35kV / µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP265J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (E 0,8200
RFQ
ECAD 5081 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP265 CQC, Cur, Ur 1 Triac 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 1,27 V 50 mA 3750 VRM 600 V 70 mA 1MA (TYP) Non 500 V / µs (TYP) 10m 20 µs
TLP331(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp331 (lf5, f) -
RFQ
ECAD 1127 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète Tlp331 - 1 (illimité) 264-TLP331 (LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP700A(D4-TP,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A (D4-TP, S) -
RFQ
ECAD 8064 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP700 - 1 (illimité) 264-TLP700A (D4-TPS) TR EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP9148J(PSD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J (PSD-TL, F) -
RFQ
ECAD 2942 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9148J (PSD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP781F(D4GRT7FD,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp781f (d4grt7fd, f -
RFQ
ECAD 4341 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-tlp781f (d4grt7fdftr EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB-TP, E) -
RFQ
ECAD 5477 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP291 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 4µs, 7µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 400% @ 5mA 7µs, 7µs 300 mV
TLP551(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 (Y-LF1, F) -
RFQ
ECAD 4205 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP551 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 mm - Rohs conforme Non applicable TLP551 (Y-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50 8m - 15V 1,65 V 25 mA 2500 VRM 10% @ 16mA - 300ns, 1 µs -
TLP759(D4-IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-IGM, J, F) -
RFQ
ECAD 1741 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (D4-IGMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 25% @ 10mA 75% @ 10mA - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock