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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Approbation d'agence | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Type de canal | Courant - Sortie Maximale | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Puisance Isorée | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) | Tension - alimentation de sortie | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
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![]() | TLP185 (Gr, E) | - | ![]() | 8594 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP185 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 5 µs, 9µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 9µs, 9µs | 300 mV | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP734 (D4-C172, F) | - | ![]() | 4589 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP734 | Dc | 1 | Transistor | 6 plombs | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP734 (D4-C172F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 60 mA | 4000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||||
![]() | 4N36 (Cour, F) | - | ![]() | 2266 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4N36 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100 mA | - | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRM | 40% @ 10mA | - | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP627M (TP1, E | 0,9300 | ![]() | 8195 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP627 | Dc | 1 | Darlington | 4 md | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 150m | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 1000% @ 1mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||||||||||
TLP5771 (D4, E | 2.3800 | ![]() | 5395 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5771 | Optique de couplage | CQC, Cur, Ur, VDE | 1 | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP5771 (D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A, 1A | 1A | 15ns, 8ns | 1,65 V | 8 mA | 5000vrms | 35kV / µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10V ~ 30V | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP550 (F) | - | ![]() | 6265 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP550 | Dc | 1 | Transistor | 8 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8m | - | 15V | 1,65 V | 25 mA | 2500 VRM | 10% @ 16mA | - | 300ns, 1 µs | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2531 (TP1, F) | - | ![]() | 8249 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | TLP2531 | Dc | 2 | Base de transistor AVEC | 8 mm | télécharger | 264-TLP2531 (TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 15V | 1,65 V | 25 mA | 2500 VRM | 19% @ 16mA | 30% @ 16mA | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Tlp388 (gb, e | 0,7900 | ![]() | 8875 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | Tlp388 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||||||
TLP2309 (E) | 1.2600 | ![]() | 229 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2309 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8m | - | 20V | 1,55 V | 25 mA | 3750 VRM | 15% @ 16mA | - | 1 µs, 1 µs (max) | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP291 (E) | - | ![]() | 1657 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP291 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50m | 4µs, 7µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 400% @ 5mA | 7µs, 7µs | 300 mV | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP759 (d4teigf2j, f | - | ![]() | 2055 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759 (d4teigf2jf | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 20V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
TLP2368 (E) | 1.7500 | ![]() | 322 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2368 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 25 mA | 20MBD | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP185 (GB, E) | - | ![]() | 5085 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP185 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 5 µs, 9µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 400% @ 5mA | 9µs, 9µs | 300 mV | |||||||||||||||||||||||
TLP5772 (TP, E | 2.4000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5772 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 10V ~ 30V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | - | 15ns, 8ns | 1,65 V | 8m | 5000vrms | 1/0 | 35kV / µs | 150ns, 150ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP183 (GRL, E | 0,5100 | ![]() | 9052 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP183 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP183 (GRLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP185 (GB-TPR, SE | 0,6000 | ![]() | 2461 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP185 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP5705H (D4LF4, E | 2.0100 | ![]() | 3764 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 15V ~ 30V | 6-SO | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 50kV / µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP290 (GB-TP, E) | - | ![]() | 9873 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP290 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 4µs, 7µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 400% @ 5mA | 7µs, 7µs | 300 mV | |||||||||||||||||||||||
![]() | Tlx9185 (toj2gbtf (o | - | ![]() | 3905 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLX9185 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | - | 264-TLX9185 (TOJ2GBTF (O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50m | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,27 V | 30 mA | 3750 VRM | 20% @ 5mA | 600% @ 5mA | 5 µs, 5 µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2761 (LF4, E | - | ![]() | 6051 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2761 | AC, DC | 1 | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP2761 (LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 75 | 10 mA | 15MBD | 3NS, 3NS | 1,5 V | 10m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | Dcl540d01 (t, e | 6.3000 | ![]() | 7301 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Dcl540x01 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Mais Général | DCL540 | Magnétique du couplage | 4 | 2,25 V ~ 5,5 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 500 | 150 Mbps | Unidirectionnel | 0,9 ns, 0,9 n | 5000vrms | Oui | 4/0 | 100kV / µs | 18,3ns, 18,3ns | 2,8ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP121 (Y, F) | - | ![]() | 5341 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP121 | Dc | 1 | Transistor | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP121 (YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP120 (GR-TPL, F) | - | ![]() | 1372 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP120 (GR-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||||
![]() | Tlp385 (d4gr-tr, e | 0,5600 | ![]() | 3080 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP785 (d4-grh, f | - | ![]() | 7042 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | À 4 plombes | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP785 (D4-Grhf | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||||||||
TLP2362 (V4-TPL, E | 1.0500 | ![]() | 9559 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | - | - | TLP2362 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 2,7 V ~ 5,5 V | - | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 25 mA | 10mbd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP3031 (S, C, F) | - | ![]() | 8120 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | - | Par le trou | 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm), 5 pistes | TLP3031 | Semko, ur | 1 | Triac | 6-Dip (coupé), 5 plomb | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP3031 (SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 5000vrms | 250 V | 100 mA | - | Oui | - | 15m | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP291 (BLL-TP, SE | 0,6100 | ![]() | 6152 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP291 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||||||||
![]() | TLP9104A (ND-TL, F) | - | ![]() | 9141 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | En gros | Obsolète | - | 264-TLP9104A (ND-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP627-2 (TP1, F) | - | ![]() | 4395 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | * | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | TLP627 | - | 1 (illimité) | 264-TLP627-2 (TP1F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 |
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