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Isolators (2050)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Fuseau | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Nombre de Canaux | Type de sortie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | COURANT - Sortie / Canal | Taux de Donnés | Type de canal | Temps de Hausse / Chute (Typ) | Tension - Sortie (max) | Tension - Forme (VF) (TYP) | Courant - DC Forward (IF) (Max) | Tension - isolement | Tension - Hors de l'ÉTAT | COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Puisance Isorée | Entrées - Côté 1 / Côté 2 | Immunité Transitoire en Mode Commun (min) | Délai de propagation tplh / tphl (max) | Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) | Ratio de Transfert Actual (Min) | Ratio de Transfert de Courant (Max) | Allumez / desactivez le temps (typ) | Saturation VCE (max) | Circuit de Croisment Zéro | Dv / dt state (min) | Courant - Trigger LED (IFT) (Max) | ALLUMER LE TEMPS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP130 (GB-TPR, F) | - |  | 9661 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | TLP130 | AC, DC | 1 | Base de transistor AVEC | 6 MFSOP, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||||
 | TLP2531 (TP1, F) | - | | 8249 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 8 mm, Aile de Mouette | TLP2531 | Dc | 2 | Base de transistor AVEC | 8 mm | télécharger | 264-TLP2531 (TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 15V | 1,65 V | 25 mA | 2500 VRM | 19% @ 16mA | 30% @ 16mA | 200ns, 300ns | - | ||||||||||||||||||||
 | Tlp388 (gb, e | 0,7900 | | 8875 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | Tlp388 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP2309 (E) | 1.2600 | | 229 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2309 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8m | - | 20V | 1,55 V | 25 mA | 3750 VRM | 15% @ 16mA | - | 1 µs, 1 µs (max) | - | |||||||||||||||||||
 | TLP291 (E) | - | | 1657 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP291 | Dc | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50m | 4µs, 7µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 400% @ 5mA | 7µs, 7µs | 300 mV | |||||||||||||||||||
| TLP2361 (E | 1.1200 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2361 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 15MBD | 3NS, 3NS | 1,5 V | 10m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||
 | TLP785 (TP6, F) | 0,6400 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4 sous-marins | TLP785 | Dc | 1 | Transistor | 4 md | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||||||||||
 | TLP624-2 (F) | - | | 3253 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP624 | Dc | 2 | Transistor | 8 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50m | 8 µs, 8 µs | 55V | 1,15 V | 50 mA | 5000vrms | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10 µs, 8 µs | 400 mV | |||||||||||||||||||
| TLP759 (d4teigf2j, f | - | | 2055 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 8 plombs | télécharger | 264-TLP759 (d4teigf2jf | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8m | - | 20V | 1,65 V | 25 mA | 5000vrms | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
 | TLP281 (GB-TP, F) | - | | 2615 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grandeur) | TLP281 | Dc | 1 | Transistor | 4-SOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 2500 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
| TLP2601 (F) | - | | 8371 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Par le trou | 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) | TLP2601 | Dc | 1 | Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ | 4,5 V ~ 5,5 V | 8 plombs | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 10mbd | 30ns, 30ns | 1,65 V | 20 mA | 2500 VRM | 1/0 | 1kV / µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||
 | TLP183 (y, e | 0,5100 | | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP183 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP183 (YE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||||
| TLP2368 (E) | 1.7500 | | 322 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2368 | Dc | 1 | Collectionner OUVER | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 25 mA | 20MBD | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||||
| TLP185 (GB, E) | - | | 5085 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP185 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 5 µs, 9µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 400% @ 5mA | 9µs, 9µs | 300 mV | |||||||||||||||||||
 | TLP292-4 (V4-TP, E | 1.7900 | | 1944 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||||
| TLP266J (TPL, E | 0,9000 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | TLP | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP266 | 1 | Triac | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 1,27 V | 30 mA | 3750 VRM | 600 V | 70 mA | 600µA (TYP) | Oui | 200 V / µs | 10m | 30 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP5772 (TP, E | 2.4000 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP5772 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 10V ~ 30V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | - | 15ns, 8ns | 1,65 V | 8m | 5000vrms | 1/0 | 35kV / µs | 150ns, 150ns | ||||||||||||||||||||
| TLP137 (BV-TPL, F) | - | | 1862 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes | TLP137 | Dc | 1 | Base de transistor AVEC | 6 MFSOP, 5 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP137 (BV-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 8 µs, 8 µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 200% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10 µs, 8 µs | 400 mV | ||||||||||||||||||
| TLP183 (GRL, E | 0,5100 | | 9052 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP183 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP183 (GRLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 200% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||||
| TLP185 (GB-TPR, SE | 0,6000 | | 2461 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP185 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3 000 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | |||||||||||||||||||
| TLP5705H (D4LF4, E | 2.0100 | | 3764 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 15V ~ 30V | 6-SO | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 5000vrms | 1/0 | 50kV / µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||||||
| TLP290 (GB-TP, E) | - | | 9873 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) | TLP290 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2 500 | 50m | 4µs, 7µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 100% @ 5mA | 400% @ 5mA | 7µs, 7µs | 300 mV | |||||||||||||||||||
| Tlx9185 (toj2gbtf (o | - | | 3905 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLX9185 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | - | 264-TLX9185 (TOJ2GBTF (O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50m | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,27 V | 30 mA | 3750 VRM | 20% @ 5mA | 600% @ 5mA | 5 µs, 5 µs | 400 mV | ||||||||||||||||||||
| TLP2761 (LF4, E | - | | 6051 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2761 | AC, DC | 1 | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP2761 (LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 75 | 10 mA | 15MBD | 3NS, 3NS | 1,5 V | 10m | 5000vrms | 1/0 | 20kV / µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||
| TLP2370 (E | 1.7900 | | 5671 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes | TLP2370 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-So, 5 Avance | télécharger | 1 (illimité) | 264-TLP2370 (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 mA | 20 Mbps | 3NS, 2NS | 1,5 V | 8m | 3750 VRM | 1/0 | 20kV / µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||||||
| TLP2745 (TP, E | 1.1100 | | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | TLP2745 | Dc | 1 | Push-pull, pôle totem | 4,5 V ~ 30V | 6-SO | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 500 | 50 mA | - | 3NS, 3NS | 1,55 V | 15m | 5000vrms | 1/0 | 30kV / µs | 120ns, 120ns | |||||||||||||||||||
| Tlp385 (d4-bll, e | 0,5500 | | 5999 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP385 | Dc | 1 | Transistor | 6-So, 4 Avance | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP385 (D4-Blle | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 5000vrms | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||||
| TLP183 (BLL, E | 0,5100 | | 28 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes | TLP183 | Dc | 1 | Transistor | 6-SOP | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP183 (BLLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50 mA | 3750 VRM | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||||||||||
| Dcl540d01 (t, e | 6.3000 | | 7301 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | Dcl540x01 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 110 ° C | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Mais Général | DCL540 | Magnétique du couplage | 4 | 2,25 V ~ 5,5 V | 16 ans | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 500 | 150 Mbps | Unidirectionnel | 0,9 ns, 0,9 n | 5000vrms | Oui | 4/0 | 100kV / µs | 18,3ns, 18,3ns | 2,8ns | |||||||||||||||||||
| TLP121 (Y, F) | - | | 5341 | 0,00000000 | Semi-conducteur et stockage de Toshiba | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 100 ° C | Support de surface | 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette | TLP121 | Dc | 1 | Transistor | 6 MFSOP, 4 Avance | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | TLP121 (YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50m | 2 µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 50 mA | 3750 VRM | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3 µs, 3µs | 400 mV |
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