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Isolators (2050)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Courant - Sortie Maximale Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) Tension - alimentation de sortie Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP127(CANOD-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Canod-Tpl, F -
RFQ
 ECAD 6177 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP127 Dc 1 Darlington 6 MFSOP, 4 Avance - 1 (illimité) 264-TLP127 (Canod-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP5751(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751 (D4-TP, E 0,9707
RFQ
 ECAD 4574 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5751 Optique de couplage CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 1A, 1A 1A 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 35kV / µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP2955(MBD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955 (MBD, F) -
RFQ
 ECAD 4867 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 8 plombs télécharger 264-TLP2955 (MBDF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP3083F(LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (LF4, F 1.7800
RFQ
 ECAD 6567 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette, 5 pistes TLP3083 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6 mm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 50 mA 5000vrms 800 V 100 mA 600 µA Oui 2kV / µs (type) 5ma -
TLP759(D4IM-F5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4IM-F5, J, F -
RFQ
 ECAD 2025 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (D4IM-F5JF EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP759(D4-TP4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-TP4, J, F) -
RFQ
 ECAD 8421 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8 mm, Aile de Mouette TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 mm télécharger 264-TLP759 (D4-TP4JF) EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLX9291(TOJGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9291 (tojgbtlf (o -
RFQ
 ECAD 9696 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLX9291 (tojgbtlf (o EAR99 8541.49.8000 1
TLP5702(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (TP4, E 1.5600
RFQ
 ECAD 7130 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5702 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 - 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 200ns, 200ns
TLP630(MBS-H,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630 (MBS-H, F) -
RFQ
 ECAD 5139 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP630 AC, DC 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 264-TLP630 (MBS-HF) EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP9118(HITJ-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (HITJ-TL, F) -
RFQ
 ECAD 7220 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9118 (HITJ-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP632(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (Grl, F) -
RFQ
 ECAD 3400 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP632 - 1 (illimité) 264-TLP632 (GRLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP108(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 (TPR, F) -
RFQ
 ECAD 9357 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP108 (TPRF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP161J(T7TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (T7TR, U, C, F -
RFQ
 ECAD 8689 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP161 - 1 (illimité) 264-TLP161J (T7Trucftr EAR99 8541.49.8000 3 000
TLP5754(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754 (TP, E 2.9100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5754 Optique de couplage CQC, CSA, cul, ul 1 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 3A, 3A 4A 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 35kV / µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP785F(BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BL, F -
RFQ
 ECAD 6029 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (BLF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2358(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2358 (TPL, E) 1.0200
RFQ
 ECAD 5634 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2358 Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA - 15ns, 12ns 1,55 V 20 mA 3750 VRM 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP108(DPW-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 (DPW-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 9586 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP108 (DPW-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP785(D4GR-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4GR-F6, F -
RFQ
 ECAD 7555 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (D4GR-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP105(MBS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (MBS-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 5473 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP105 (MBS-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 50 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP350F(LF4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp350f (lf4, z, f) -
RFQ
 ECAD 2540 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète Tlp350 - 1 (illimité) 264-TLP350F (LF4ZF) EAR99 8541.49.8000 50
TLPN137(TP1,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137 (TP1, S) -
RFQ
 ECAD 5495 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLPN137 - 1 (illimité) 264-TLPN137 (TP1S) TR EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP700HF(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700HF (TP, F) -
RFQ
 ECAD 6965 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Acheter la Dernière -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) Optique de couplage CSA, cul, ul, vde 2 6 sdip télécharger 1 2A, 2A 2.5a 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 20kV / µs 500ns, 500ns 250ns 15V ~ 30V
TLP9118(FD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (FD-TL, F) -
RFQ
 ECAD 7483 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9118 (FD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP626(TA-015,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (TA-015, F) -
RFQ
 ECAD 3445 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) AC, DC 1 Transistor À 4 plombes télécharger 264-TLP626 (TA-015F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 8 µs, 8 µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 1mA 1200% @ 1mA 10 µs, 8 µs 400 mV
TLP715(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715 (D4, F) -
RFQ
 ECAD 5372 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP715 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP715 (D4F) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,6 V 20 mA 5000vrms 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP5752(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752 (D4-TP, E 2.6500
RFQ
 ECAD 758 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5752 Optique de couplage CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 2.5a, 2.5a 2.5a 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 35kV / µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP785F(GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GRH, F -
RFQ
 ECAD 1176 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (GRHF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785F(D4GBT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GBT7, F -
RFQ
 ECAD 3830 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4GBT7FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (LF7, F) -
RFQ
 ECAD 4839 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785F(GB-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GB-LF7, F -
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 ECAD 8031 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP785 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (GB-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
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    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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