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Isolators (2050)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Courant - Sortie Maximale Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) Tension - alimentation de sortie Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max)
TLP250(TOJS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (TOJS, F) -
RFQ
 ECAD 3278 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP250 - 1 (illimité) 264-TLP250 (TOJSF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781(TELS-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (TELS-TP6, F) -
RFQ
 ECAD 2071 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (TELS-TP6F) TR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(GB-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GB-TP7, F) -
RFQ
 ECAD 1387 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-tlp781f (gb-tp7f) tr EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP352(TP1,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (TP1, S) -
RFQ
 ECAD 1790 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète Tlp352 - 1 (illimité) 264-TLP352 (TP1S) TR EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP719F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (ABB-TP, F) -
RFQ
 ECAD 4749 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP719 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 sdip - 264-TLP719F (ABB-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP785F(GR-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GR-LF7, F -
RFQ
 ECAD 3252 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (GR-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP750(D4-COS-F2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-COS-F2, F -
RFQ
 ECAD 6220 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP750 (D4-COS-F2F EAR99 8541.49.8000 1 8m - 15V 1,65 V 25 mA 5000vrms 10% @ 16mA - 200 ns, 1 µs -
TLP5702(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (TP4, E 1.5600
RFQ
 ECAD 7130 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5702 Dc 1 Push-pull, pôle totem 15V ~ 30V 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 - 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 200ns, 200ns
TLX9291(TOJGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9291 (tojgbtlf (o -
RFQ
 ECAD 9696 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLX9291 (tojgbtlf (o EAR99 8541.49.8000 1
TLP9118(HITJ-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (HITJ-TL, F) -
RFQ
 ECAD 7220 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9118 (HITJ-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP630(MBS-H,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630 (MBS-H, F) -
RFQ
 ECAD 5139 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP630 AC, DC 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 264-TLP630 (MBS-HF) EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785F(GB-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GB-LF7, F -
RFQ
 ECAD 8031 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP785 Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (GB-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2367(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367 (TPL, E 0,9641
RFQ
 ECAD 4672 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2367 Dc 1 Push-pull, pôle totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2367 (TPLE EAR99 8541.49.8000 3 000 10 mA 50mbd 2NS, 1NS 1,6 V 15m 3750 VRM 1/0 25kV / µs 20ns, 20ns
TLP781F(LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (LF7, F) -
RFQ
 ECAD 4839 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785F(D4GBT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GBT7, F -
RFQ
 ECAD 3830 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4GBT7FTR EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP383(E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp383 (e -
RFQ
 ECAD 7187 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes Tlp383 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger 1 (illimité) 264-TLP383 (E EAR99 8541.49.8000 125 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP351A(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp351a (f) 1,6000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Tlp351 Optique de couplage cur, ur, vde 1 8 plombs télécharger Rohs conforme Non applicable EAR99 8541.49.8000 50 400mA, 400mA 600mA 50ns, 50ns 1,55 V 20 mA 3750 VRM 20kV / µs 500ns, 500ns 350ns 10V ~ 30V
TLP2703(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2703 (TP, E 1.4400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2703 Dc 1 Darlington 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 80m - 18V 1,47 V 20 mA 5000vrms 900% à 500 µA 8000% à 500 µA 330ns, 2,5 µs -
TLP2355(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2355 (TPL, E 1.0200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP2355 Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 6-So, 5 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 25 mA - 15ns, 12ns 1,55 V 20 mA 3750 VRM 1/0 25kV / µs 250ns, 250ns
TLP2958(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (pp, f) -
RFQ
 ECAD 1618 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP2958 Dc 1 Push-pull, pôle totem 3V ~ 20V 8 plombs télécharger 264-TLP2958 (PPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 15NS, 10NS 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 250ns, 250ns
TLP250(D4-FA-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4-FA-TP1, F -
RFQ
 ECAD 7573 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP250 - 1 (illimité) 264-TLP250 (D4-FA-TP1FTR EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP785 Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
 ECAD 6344 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP105(MBS-N-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (MBS-N-TPL, F -
RFQ
 ECAD 5179 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP105 (MBS-N-TPLF EAR99 8541.49.8000 1 50 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP2719(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719 (TP4, E 1.7500
RFQ
 ECAD 945 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2719 Dc 1 Collectionner OUVER 4,5 V ~ 20V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 8 mA 1MBD - 1,6 V 25m 5000vrms 1/0 10kV / µs 800ns, 800ns
TLP161J(T7TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (T7TR, U, C, F -
RFQ
 ECAD 8689 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP161 - 1 (illimité) 264-TLP161J (T7Trucftr EAR99 8541.49.8000 3 000
TLP108(DPW-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108 (DPW-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 9586 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP108 (DPW-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP105(MBS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (MBS-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 5473 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 5 pistes Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 MFSOP, 5 Avance télécharger 264-TLP105 (MBS-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 50 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP785(D4GR-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4GR-F6, F -
RFQ
 ECAD 7555 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (D4GR-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP785F(BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BL, F -
RFQ
 ECAD 6029 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (BLF EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP291(V4GRTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (v4grtp, se 0,6000
RFQ
 ECAD 7762 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP291 Dc 1 Transistor 4-SO télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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