SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Courant - Sortie Maximale Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) Tension - alimentation de sortie Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP669LF(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669LF (S, C, F) -
RFQ
ECAD 2653 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète - Par le trou 6 DIP (0 400 ", 10,16 mm), 5 pistes TLP669 CSA, cul, ul, vde 1 Triac 6 plombs télécharger 264-TLP669LF (SCF) EAR99 8541.49.8000 1 - 5000vrms 800 V 100 mA - Oui - 10m -
TLP700A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A (TP, F) -
RFQ
ECAD 3540 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Acheter la Dernière -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP700 Optique de couplage cur, ur, vde 1 6 sdip télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP700A (TPF) EAR99 8541.49.8000 1 500 2A, 2A 2.5a 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 20kV / µs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP385(D4GL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4gl-tr, e 0,5600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2468(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2468 (TP, F) -
RFQ
ECAD 5321 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2468 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 500 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,57 V 25m 3750 VRM 1/0 15kV / µs 60ns, 60ns
TLP734(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (D4-Gr, M, F) -
RFQ
ECAD 2461 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP734 - 1 (illimité) 264-TLP734 (d4-grmf) EAR99 8541.49.8000 50
TLP719(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (TP, F) -
RFQ
ECAD 4784 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP719 Dc 1 Transistor Aile de Goéland à 6 sdip - Rohs conforme 1 (illimité) 5A991G 8541.49.8000 1 500 8m - 20V 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - 800ns, 800ns (max) -
TLP292-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (TP, E 1.7900
RFQ
ECAD 2765 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP2166A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2166A (F) -
RFQ
ECAD 2622 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2166 Dc 2 Push-pull, pôle totem 3V ~ 3,63 V 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2166Af EAR99 8541.49.8000 100 10 mA 15MBD 5NS, 5NS 1,65 V 15m 2500 VRM 2/0 15kV / µs 75ns, 75ns
TLP781(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (d4 g, f) -
RFQ
ECAD 9663 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4 GBF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP627MF(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (TP4, E 0,3090
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP627 Dc 1 Darlington 4 md télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 000 150m 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V 50 mA 5000vrms 1000% @ 1mA - 110 µs, 30 µs 1,2 V
TLP292-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4GBTPE 1.7600
RFQ
ECAD 3413 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP385(D4BL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 (d4bl-tl, e 0,5600
RFQ
ECAD 8553 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP385 Dc 1 Transistor 6-So, 4 Avance télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP126(TEE-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (Tee-TPLS, F) -
RFQ
ECAD 7628 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP126 - 1 (illimité) 264-TLP126 (TEE-TPLSF) TR EAR99 8541.49.8000 3 000
TLP109(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (TPL, E 1,3000
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP109 Dc 1 Transistor 6-So, 5 Avance télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 8m - 20V 1,64 V 20 mA 3750 VRM 20% @ 16mA - 800ns, 800ns (max) -
TLP718F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F (TP, F) -
RFQ
ECAD 2931 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP718 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP718F (TPF) EAR99 8541.49.8000 1 5Mbps - - 3MA 5000vrms 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP701(MBS-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701 (MBS-TP, F) -
RFQ
ECAD 2243 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP701 Optique de couplage CSA, cul, ul, vde 1 Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP701 (MBS-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 600mA, 600mA 600mA 50ns, 50ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 10kV / µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP781(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4, F) -
RFQ
ECAD 9988 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4F) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP512(NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (Némic, F) -
RFQ
ECAD 9991 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP512 - 1 (illimité) 264-TLP512 (NEMICF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP701(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701 (TP, F) 1.7400
RFQ
ECAD 25 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP701 Optique de couplage cul, ul 1 Aile de Goéland à 6 sdip télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 5A991G 8541.49.8000 1 500 400mA, 400mA 600mA 50ns, 50ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 10kV / µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP781(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (BLL, F) -
RFQ
ECAD 5143 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (BLLF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP5752(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752 (E 2.5300
RFQ
ECAD 1517 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5752 Optique de couplage CQC, CSA, cul, ul 1 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 2.5a, 2.5a 2.5a 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 35kV / µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP701(GEHC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701 (GEHC, F) -
RFQ
ECAD 4621 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP701 Optique de couplage CSA, cul, ul, vde 1 Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP701 (GEHCF) EAR99 8541.49.8000 1 600mA, 600mA 600mA 50ns, 50ns 1,55 V 20 mA 5000vrms 10kV / µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP715F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 5117 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP715 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 6 sdip télécharger 264-TLP715F (D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,6 V 20 mA 5000vrms 1/0 10kV / µs 250ns, 250ns
TLP512(MBS-SZ,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (MBS-SZ, F) -
RFQ
ECAD 5207 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP512 - 1 (illimité) 264-TLP512 (MBS-SZF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP352(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp352 (d4, f) 1.9900
RFQ
ECAD 100 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) Tlp352 Optique de couplage CSA, cul, ul, vde 1 8 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 2A, 2A 2.5a 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 3750 VRM 20kV / µs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP719F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (TP, F) -
RFQ
ECAD 2967 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP719 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 sdip - 264-TLP719F (TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP155(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP155 (E -
RFQ
ECAD 4077 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur), 5 pistes TLP155 Optique de couplage - 1 6-So, 5 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 - 600mA 35ns, 15ns 1,57 V 20 mA 3750 VRM 20kV / µs 200ns, 200ns 50ns 10V ~ 30V
TLP700F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700F (TP, F) -
RFQ
ECAD 9352 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP700 Optique de couplage - 1 Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP700F (TPF) EAR99 8541.49.8000 1 - 2A - - 5000vrms 15kV / µs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
TLP5772H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (D4, E 2.4700
RFQ
ECAD 7403 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP5772 Dc 1 Push-pull, pôle totem 10V ~ 30V 6-SO télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 125 - 56ns, 25ns 1,65 V 8m 5000vrms 1/0 35kV / µs 150ns, 150ns
TLP785F(D4-GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-Grh, F -
RFQ
ECAD 2557 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4-Grhf EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock