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Isolators (2050)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Approbation d'agence Nombre de Canaux Type de sortie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package COURANT - SORTIE ÉLÉVÉE, FAIBLE COURANT - Sortie / Canal Taux de Donnés Courant - Sortie Maximale Temps de Hausse / Chute (Typ) Tension - Sortie (max) Tension - Forme (VF) (TYP) Courant - DC Forward (IF) (Max) Tension - isolement Tension - Hors de l'ÉTAT COURANT - À L'ÉTAT (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entrées - Côté 1 / Côté 2 Immunité Transitoire en Mode Commun (min) Délai de propagation tplh / tphl (max) Distorsion de la grandeur d'impulsion (max) Tension - alimentation de sortie Ratio de Transfert Actual (Min) Ratio de Transfert de Courant (Max) Allumez / desactivez le temps (typ) Saturation VCE (max) Circuit de Croisment Zéro Dv / dt state (min) Courant - Trigger LED (IFT) (Max) ALLUMER LE TEMPS
TLP731(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (d4 g, f) -
RFQ
 ECAD 2744 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP731 - 1 (illimité) 264-TLP731 (D4 GBF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2768A(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768A (TP, E 1.3800
RFQ
 ECAD 7783 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) TLP2768 Dc 1 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 25 mA 20MBD 30ns, 30ns 1,55 V 25m 5000vrms 1/0 20kV / µs 60ns, 60ns
TLP121(GRL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (grl-tpl, f) -
RFQ
 ECAD 8219 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP121 Dc 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP121 (GRL-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781(D4-BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-BLL, F) -
RFQ
 ECAD 3063 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781 (D4-BLLF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP714(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714 (TP, F) -
RFQ
 ECAD 8566 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) Dc 1 Collectionnez OUVER, SCHOTTKY SERRÉ 4,5 V ~ 30V Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP714 (TPF) EAR99 8541.49.8000 1 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000vrms 1/0 20kV / µs 550ns, 400ns
TLP292-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (GBTPR, E 1.7900
RFQ
 ECAD 4816 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 125 ° C Support de surface 16-SOIC (0,179 ", 4,55 mm de grandeur) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 2 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP185(YL-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (YL-TPR, SE -
RFQ
 ECAD 3960 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP185 Dc 1 Base de transistor AVEC 6-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP185 (YL-TPRSE EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP781F(D4-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-BL, F) -
RFQ
 ECAD 5474 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP781F Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (D4-BLF) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP525G-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G-2 (F) -
RFQ
 ECAD 9990 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP525 Ur 2 Triac 8 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 1,15 V 50 mA 2500 VRM 400 V 80 mA 200 µA (TYP) Non 200 V / µs 10m -
TLP785(D4-Y-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-Y-F6, F -
RFQ
 ECAD 2729 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785 (D4-Y-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2118(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2118 (F) -
RFQ
 ECAD 4960 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP2118 - 1 (illimité) 264-TLP2118 (F) EAR99 8541.49.8000 100
TLP2662(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2662 (F) 1.8400
RFQ
 ECAD 980 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP2662 Dc 2 Collectionner OUVER 2,7 V ~ 5,5 V 8 plombs télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2662F EAR99 8541.49.8000 50 25 mA 10mbd 12nS, 3NS 1,55 V 20 mA 5000vrms 2/0 20kV / µs 75ns, 75ns
TLP734F(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4 Go, M, F) -
RFQ
 ECAD 8900 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP734 - 1 (illimité) 264-TLP734F (D4 GBMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP571(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP571 (F) -
RFQ
 ECAD 4067 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP571 - 1 (illimité) 264-TLP571 (F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP3924(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3924 (TP15, F) 4.0800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C Support de surface 4 mm, plombes plombes TLP3924 Dc 1 Photovoltaïque 4-SSOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 1 500 4µA - 30V 1,3 V 30 mA 1500 VRM - - - -
TLP184(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (TPR, SE 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 6-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de grosur), 4 pistes TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,25 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 300 mV
TLP759(D4YSKT1,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4YSKT1, J, F -
RFQ
 ECAD 1815 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 Dc 1 Base de transistor AVEC 8 plombs télécharger 264-TLP759 (d4yskt1jf EAR99 8541.49.8000 1 8m - - 1,65 V 25 mA 5000vrms 20% @ 16mA - - -
TLP624-4(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-4 (LF1, F) -
RFQ
 ECAD 1878 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP624 - 1 (illimité) 264-TLP624-4 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 25
TLP555(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP555 (F) -
RFQ
 ECAD 4730 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C Par le trou 8-Dip (0,300 ", 7,62 mm) TLP555 Dc 1 Trois états 4,5 V ~ 20V 8 plombs - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.49.8000 50 40 mA 5Mbps 35ns, 20ns 1,55 V 10m 2500 VRM 1/0 1kV / µs 400ns, 400ns
TLP785F(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4 Go, F -
RFQ
 ECAD 5988 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -55 ° C ~ 110 ° C Par le trou 4-DIP (0 400 ", 10,16 mm) TLP785 Dc 1 Transistor À 4 plombes télécharger 1 (illimité) 264-TLP785F (D4 gbf EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP632(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (GB-TP1, F) -
RFQ
 ECAD 6176 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Ruban Adhésif (tr) Obsolète TLP632 - 1 (illimité) 264-TLP632 (GB-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 500
TLP127(V4-TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (v4-tpl, u, f) -
RFQ
 ECAD 1254 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP127 Dc 1 Darlington 6 MFSOP, 4 Avance - 1 (illimité) 264-TLP127 (v4-tpluf) tr EAR99 8541.49.8000 3 000 150m 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 VRM 1000% @ 1mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
TLP700(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700 (TP, F) -
RFQ
 ECAD 1601 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6-SOIC (0,268 ", 6,80 mm de grandeur) TLP700 Optique de couplage CSA, cul, ul, vde 1 Aile de Goéland à 6 sdip télécharger 264-TLP700 (TPF) EAR99 8541.49.8000 1 2A, 2A 2A 50ns, 50ns 1,57 V 20 mA 5000vrms 15kV / µs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
4N26(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N26 (Short-LF5, F) -
RFQ
 ECAD 9927 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 mm, Aile de Mouette 4N26 Dc 1 Base de transistor AVEC 6 mm télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 4N26 (Court-LF5f) EAR99 8541.49.8000 50 100 mA 2µs, 2µs 30V 1,15 V 80 mA 2500 VRM 20% @ 10mA - - 500 mV
TLP9121A(FD-GBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (FD-GBTL, F -
RFQ
 ECAD 5947 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * En gros Obsolète - 264-TLP9121A (FD-GBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP120(GR-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GR-TPR, F) -
RFQ
 ECAD 8321 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Support de surface 6 MD (4 pistes), Aile du Mouette TLP120 AC, DC 1 Transistor 6 MFSOP, 4 Avance - Rohs conforme 1 (illimité) TLP120 (GR-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3 000 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 50 mA 3750 VRM 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP781F(Y-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (Y-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 6990 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète -55 ° C ~ 110 ° C Support de surface 4 sous-marins TLP781F Dc 1 Transistor 4 md télécharger 1 (illimité) 264-TLP781F (Y-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50m 2 µs, 3µs 80V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP2408(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2408 (F) -
RFQ
 ECAD 8958 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif -40 ° C ~ 100 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TLP2408 Dc 1 Push-pull, pôle totem 4,5 V ~ 20V 8-so télécharger Rohs conforme 1 (illimité) TLP2408F EAR99 8541.49.8000 100 25 mA 5Mbps 30ns, 30ns 1,57 V 25m 3750 VRM 1/0 15kV / µs 250ns, 250ns
TLP630(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630 (F) -
RFQ
 ECAD 6206 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète -55 ° C ~ 100 ° C Par le trou 6 DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP630 AC, DC 1 Base de transistor AVEC 6 plombs télécharger 264-TLP630 (F) EAR99 8541.49.8000 1 50m 2 µs, 3µs 55V 1,15 V 60 mA 5000vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3 µs, 3µs 400 mV
TLP732(GR-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GR-LF1, F) -
RFQ
 ECAD 1171 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Obsolète TLP732 - 1 (illimité) 264-TLP732 (GR-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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